Minne & lagring
-
Renesas Electronics
Renesas Electronics 72V293L7-5PFGI – minne/lagring
I lager (45 st)
-
SanDisk
SanDisk SDINBDA6-256G-ZA – minne/lagring · EMMC WD/SD
- e.MMC 5.1-gränssnitt (inbyggd flashenhet)
- Kapacitet 256 GB med 3D NAND-teknik
- Temperaturområde -40 °C till 105 °C (Grade 2)
I lager (50 st)
-
I lager (604 st)
-
SanDisk
SanDisk SDINDDH4-32G – minne/lagring
- UFS 2.1 (V2.1 HS-G3), Gear3, 2-lane
- 3D NAND-teknik
- Kapacitet 32 GB (SDINDDH4-32G); familjen upp til
I lager (123 st)
-
I lager (42 st)
-
I lager (28 st)
-
I lager (278 st)
-
I lager (192 st)
-
I lager (53 st)
-
I lager (154 st)
-
SanDisk
SanDisk SDSDQAF4-032G-I – minne/lagring · Minneskort WD/SD
- Kapacitet 32GB (1GB = 1 000 000 000 byte)
- Gränssnitt SD6.0 UHS-I 104
- 3D TLC-NAND
I lager (789 st)
-
SanDisk
SanDisk SDSDQAF4-064G-I – minne/lagring · Minneskort WD/SD
- Kapacitet 64GB (1GB = 1 000 000 000 byte)
- Gränssnitt SD6.0 UHS-I 104
- 3D TLC-NAND
I lager (637 st)
-
SanDisk
SanDisk SDSDQAF4-256G-I – minne/lagring · Minneskort WD/SD
- Kapacitet 256GB (1GB = 1 000 000 000 byte)
- Gränssnitt SD6.0 UHS-I 104
- 3D TLC-NAND
I lager (239 st)
-
I lager (3 st)
-
SMART Modular Technologies
SMART Modular Technologies SPI1026UV351838SE – minne/lagring
I lager (97 st)
-
SMARTsemi
SMARTsemi KTDM2G3C818BGIEAT – minne/lagring
- Densitet 2Gb (256M × 8), x8 databredd
- Hastighetsklass DDR3-1866 (1866 Mbps)
- DDR3(L) SDRAM, spänningskod C: 1,35 V/1,5 V
I lager (201 st)
-
SMARTsemi
SMARTsemi KTDM4G3C618BGCEAT – minne/lagring
- 4 Gbit (256M x 16) med 8 banker, JEDEC DDR3(L)-k
- DDR3(L)-1866 (13-13-13): upp till 1866 Mb/s per
- Matning 1.35 V (-0.067 V/+0.1 V) eller 1.5 V (±0
I lager (131 st)
-
SMARTsemi
SMARTsemi KTDM4G4B826BGCEAT – minne/lagring
- 4 Gbit (512M x 8), 16 banker i 4 bankgrupper, si
- DDR4-2666 (CL-tRCD-tRP 19-19-19), max 1333 MHz
- VDD/VDDQ 1.2 V ±5 % och VPP 2.375 V till 2.75 V
I lager (225 st)
-
I lager (38 st)
-
I lager (7 st)
-
I lager (9 st)
-
I lager (2 st)
-
I lager (8 st)
-
I lager (5 st)