Minne & lagring
-
I lager (25 st)
-
GSI Technology
GSI Technology GS880Z32CGT-150 – minne/lagring
I lager (415 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY14B101LA-BA45XI – minne/lagring
I lager (348 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY14B101LA-SP25XI – minne/lagring
I lager (229 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY14B101NA-ZS45XI – minne/lagring
I lager (420 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY14B104NA-BA45XI – minne/lagring
I lager (485 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY14B104NA-ZS25XI – minne/lagring
I lager (723 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY14B108L-BA25XI – minne/lagring
I lager (1 131 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY14B108M-ZSP45XI – minne/lagring
- 8 Mbit nvSRAM organiserat som 512 K × 16 (CY14B1
- Åtkomsttid 45 ns (familjen: 25 ns och 45 ns)
- Enkel matning på 3 V +20 %, −10 %
I lager (391 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY14B108N-BA45XI – minne/lagring
I lager (300 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY14B108N-ZSP25XI – minne/lagring
I lager (799 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY14B116N-ZSP25XI – minne/lagring · NVRAM NVSRAM
I lager (293 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY14B256I-SFXI – minne/lagring
- 256 Kbit (32 K × 8) nvSRAM med fullfjädrad realt
- I²C-gränssnitt: 100 kHz, 400 kHz, 1 MHz (Fast mo
- AutoStore vid spänningsbortfall, Software STORE/
I lager (637 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY14B256PA-SFXI – minne/lagring
- 256 Kbit (32 K × 8) nvSRAM med fullfjädrad realt
- SPI med 40 MHz utan väntecykler; 104 MHz med sna
- SPI-läge 0 (0, 0) och läge 3 (1, 1)
I lager (460 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY14V101QS-BK108XI – minne/lagring
I lager (1 006 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY14V101QS-BK108XQ – minne/lagring
I lager (190 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY14V101QS-SE108XI – minne/lagring
I lager (118 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY14V101QS-SF108XI – minne/lagring
I lager (246 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY15B016Q-SXE – minne/lagring · F-RAM F-RAM Memory Serial
- 16 Kbit (2K × 8) seriellt F-RAM med SPI-gränssni
- 10¹³ (10 biljoner) läs-/skrivcykler
- 121 års dataretention
I lager (1 153 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY15B108QSN-108BKXI – minne/lagring · F-RAM FRAM
- 8 Mbit F-RAM organiserat som 1024K × 8
- 10¹⁴ (100 biljoner) läs-/skrivcykler och 151 års
- Skrivning med busshastighet utan skrivfördröjnin
I lager (730 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY15B116QSN-108BKXQ – minne/lagring · F-RAM FRAM
I lager (1 001 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY15B256J-SXA – minne/lagring · F-RAM FRAM
- 256 Kbit F-RAM, 32K × 8, icke-flyktigt
- I²C upp till 3,4 MHz; stöd för 100 kHz och 400 k
- NoDelay™-skrivningar i busshastighet, ingen avfr
I lager (345 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY15E004Q-SXE – minne/lagring · F-RAM F-RAM Memory Serial
I lager (881 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY15E016Q-SXE – minne/lagring · F-RAM F-RAM Memory Serial
- 16 Kbit F-RAM, 2K × 8, icke-flyktigt
- SPI upp till 16 MHz, lägena 0 och 3
- NoDelay™-skrivningar i busshastighet utan sidbuf
I lager (903 st)