Din varukorg är tom.
Börja handlaMinne & lagring
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY62168EV30LL-45BVXI – minne/lagring
I lager (1 090 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY62177EV30LL-55BAXI – minne/lagring
- 32 Mbit statiskt RAM organiserat som 2M × 16 (4M
- Åtkomsttid 55 ns
- Brett matningsspänningsområde: 2,2 V till 3,6 V
I lager (2 040 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1041G-10ZSXI – minne/lagring
I lager (2 088 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1041G30-10BVXI – minne/lagring
I lager (1 030 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1041GE30-10BVXI – minne/lagring
I lager (805 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1041GE30-10ZSXI – minne/lagring
I lager (744 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1041GN30-10BVXI – minne/lagring · SRAM ASYNC
I lager (2 895 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1051H30-10ZSXI – minne/lagring · SRAM ASYNC SRAMS
I lager (1 072 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1061G30-10BVJXI – minne/lagring
I lager (122 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1061G30-10ZSXI – minne/lagring
I lager (1 300 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1061GN30-10ZSXI – minne/lagring · SRAM ASYNC
I lager (383 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1370KV33-200BZXI – minne/lagring · SRAM Sync SRAMs
- 18 Mbit pipelinat burst-SRAM, 512K × 36
- NoBL™-arkitektur: dataöverföring i varje klockcy
- Hastighetsklass 200 MHz, maximal åtkomsttid 3.0
I lager (96 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1371KV33-100AXI – minne/lagring · SRAM SYNC SRAMS
- 18 Mbit flow-through-SRAM, 512K × 36
- NoBL™-arkitektur eliminerar döda cykler mellan s
- Hastighetsklass 100 MHz, maximal åtkomsttid 8.5
I lager (100 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1371KV33-133AXC – minne/lagring · SRAM SYNC SRAMS
- 18 Mbit flow-through-SRAM, 512K × 36
- NoBL™-arkitektur: dataöverföring i varje klockcy
- Hastighetsklass 133 MHz, maximal åtkomsttid 6.5
I lager (144 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1371KVE33-100AXI – minne/lagring · SRAM SYNC SRAMS
- 18 Mbit flow-through-SRAM, 512K × 36 (KVE33-vari
- NoBL™-arkitektur eliminerar döda cykler mellan s
- Hastighetsklass 100 MHz, maximal åtkomsttid 8.5
I lager (176 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1372KV33-167AXI – minne/lagring · SRAM SYNC SRAMS
- 18 Mbit pipelinat burst-SRAM, 1M × 18
- NoBL™-arkitektur: dataöverföring i varje klockcy
- Hastighetsklass 167 MHz, maximal åtkomsttid 3.4
I lager (113 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1383KV33-133AXI – minne/lagring · SRAM SYNC SRAMS
I lager (96 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1441KV33-133AXM – minne/lagring · SRAM Sync SRAMs
- 36 Mbit synkront flow-through-SRAM, 1M × 36 med
- Stöd för 133 MHz busdrift; max 6.5 ns från klock
- Åtkomstmönster 2-1-1-1
I lager (64 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1463KV33-133AXC – minne/lagring
I lager (106 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1470BV25-167BZXI – minne/lagring
I lager (46 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1470BV33-200BZXI – minne/lagring
I lager (7 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C1470V33-167AXI – minne/lagring
I lager (248 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C2665KV18-450BZXI – minne/lagring
- 144 Mbit QDR II+ SRAM, 4M × 36, med fyrords burs
- Separata, oberoende läs- och skrivportar med DDR
- Klockfrekvens 450 MHz i denna hastighetsklass (5
I lager (311 st)
-
Infineon Technologies
Infineon Technologies CY7C4122KV13-933FCXI – minne/lagring · SRAM SYNC
I lager (245 st)
