Apacer 78.C2GCM.AT30C – minne/lagring

Apacer 78.C2GCM.AT30C är en 8 GB DDR3 SDRAM-modul i formatet SO-DIMM (small outline dual in-line memory module) med SPD. Modulen har 204 stift och är organiserad som 1024M ord × 64 bitar med två ranks. Hastighetsklassen är 1333 Mbps med maxfrekvensen 666 MHz, bandbredden är 10,6 GB/s och CAS-latensen är CL9.

Modulen är bestyckad med 16 st 4 Gbit DDR3 SDRAM i FBGA-kapsel (komponentsammansättning 512Mx8 × 16 st). Matningsspänningen är VDD = 1,5 V ± 0,075 V och signalgränssnittet är SSTL_15. Modulen är blyfri och uppfyller RoHS. Databladet anger att modulen saknar termisk sensor på kortet (On Dimm Thermal Sensor: No).

Teknik och prestanda

Modulen bygger på DDR-arkitektur med två dataöverföringar per klockcykel och en pipelinad 8-bitars prefetch-arkitektur. Data sänds och tas emot tillsammans med en dubbelriktad differentiell datastrob (DQS och /DQS), som är kantsynkroniserad med data vid läsning (READ) och centrerad mot data vid skrivning (WRITE). Klockingångarna är differentiella (CK och /CK), en DLL justerar DQ- och DQS-övergångarna mot CK-övergångarna, kommandon läggs in på varje positiv CK-flank, och data samt datamask refereras till båda flankerna av DQS. En datamask (DM) finns för skrivdata.

• Densitet och organisation: 8 GB, 1024M × 64 bitar, 2 ranks; 16 komponenter om 512M × 8.
• Hastighet: 1333 Mbps (666 MHz), bandbredd 10,6 GB/s.
• CAS-latens (CL): 6, 7, 8, 9; CAS write latency (CWL): 5, 6, 7. Modulens angivna latens är CL9.
• Burstlängder (BL): 8 och 4 med Burst Chop (BC).
• Åtta interna banker för samtidig drift (komponenterna).
• Posted /CAS med programmerbar additiv latens för bättre effektivitet på kommando- och databussen.
• Precharge: auto precharge-alternativ för varje burst-åtkomst.
• Uppdatering: auto-refresh och self-refresh; genomsnittlig uppdateringsperiod 7,8 µs vid 0 °C ≤ TC ≤ +85 °C och 3,9 µs vid +85 °C < TC ≤ +95 °C.
• Drifttemperaturområde (kapseltemperatur): TC = 0 °C … +95 °C.

Enligt databladets funktionslista finns även On-Die-Termination (ODT) i synkron, dynamisk och asynkron form för bättre signalkvalitet, ZQ-kalibrering för DQ-drivning och ODT, programmerbar styrning av utgångsdrivarens impedans, programmerbar Partial Array Self-Refresh (PASR) samt SRT-område (normal/utökad) med automatisk eller manuell self-refresh. Ett Multi Purpose Register (MPR) anges för temperaturavläsning, och ett /RESET-stift styr uppstartssekvens och återställning.

Anslutningar och gränssnitt

Modulen har ett kantkontaktfält med 204 stift och stiftdelningen 0,6 mm (Lead pitch: 0.6 mm (pin)). Udda stift (1 … 203) sitter på framsidan och jämna stift (2 … 204) på baksidan. Enligt måttritningen är modulens längd 67,60 mm och höjden 30,00 mm (PCB-höjd 30,0 mm), och största tjocklek är 3,80 mm; toleransen är ±0,15 mm om inget annat anges.

Stiftfunktioner enligt databladet:

• A0 … A15: adressingång (radadress A0 … A15, kolumnadress A0 … A9); A10 (AP): auto precharge; A12 (/BC): burst chop; BA0, BA1, BA2: bankval.
• DQ0 … DQ63: data in/ut; DQS0 … DQS7 och /DQS0 … /DQS7: datastrober; DM0 … DM7: datamask.
• /RAS, /CAS, /WE: kommandosignaler (radadressstrob, kolumnadressstrob och skrivaktivering); /CS0, /CS1: chipval; CKE0, CKE1: klockaktivering; ODT0, ODT1: ODT-styrning.
• CK0, CK1 och /CK0, /CK1: differentiell klockingång.
• SCL, SDA, SA0, SA1: seriellt gränssnitt för SPD; VDDSPD: matning för seriell EEPROM.
• VDD: matning för intern krets; VSS: jord; VTT: I/O-terminering för SDRAM; VREFCA och VREFDQ: referensspänningar för CA respektive DQ.
• /RESET: sätter DRAM i känt tillstånd; /EVENT: temperaturhändelsestift (databladet anger samtidigt att modulen saknar termisk sensor).

Programvara och kompatibilitet

Modulen har SPD (serial presence detect) i form av en seriell EEPROM på 256 byte (U1 i blockschemat) som nås via SCL, SDA, SA0 och SA1 och matas via VDDSPD.

Modulen är en DDR3 SO-DIMM med 204 stift som matas med VDD = 1,5 V ± 0,075 V och har två ranks. Det system som modulen ska användas i, till exempel ett moderkort, en bärbar dator eller ett inbyggt datorkort, måste stödja denna minnestyp, kapaciteten 8 GB och matningsspänningen, och bör kontrolleras mot systemtillverkarens kompatibilitetslista. Databladet innehåller inga uppgifter om specifika system.

Egenskaper

• 8 GB DDR3 SDRAM SO-DIMM, 204 stift, med SPD
• 1333 Mbps (666 MHz), bandbredd 10,6 GB/s
• CAS-latens CL9 (CL 6, 7, 8 och 9 stöds)
• Organisation 1024M × 64 bitar, 2 ranks
• 16 st 4 Gbit DDR3 SDRAM (512M × 8) i FBGA
• Matning VDD = 1,5 V ± 0,075 V, gränssnitt SSTL_15
• On-Die-Termination: synkron, dynamisk och asynkron
• Åtta interna banker, burstlängd 8 och 4 (BC)
• Drifttemperatur (kapsel) TC 0 … +95 °C
• PCB-höjd 30,0 mm, stiftdelning 0,6 mm
• Blyfri, RoHS-förenlig; ingen termisk sensor på modulen

Användningsområden

• Minnesexpansion i bärbara datorer, mini-PC och kompakta industriella datorer med DDR3 SO-DIMM-sockel
• Inbyggda system och industri-PC med SO-DIMM-sockel
• Nätverks- och lagringsutrustning som använder DDR3 SO-DIMM
• Underhåll och reservminne till äldre system med DDR3 (1,5 V)

Certifieringar och standarder: RoHS (blyfri)

Leverantörens beskrivning anger CL8, medan databladet anger CL9 (CL 6, 7, 8 och 9 stöds); databladets värde används här. Måttuppgifterna och SPD-uppgiften är hämtade ur databladets måttritning respektive blockschema.

Tillverkarens artikelnummer 78.C2GCM.AT30C. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.