ISSI IS66WVS16M8FBLL-104NLI – minne/lagring

IS66WVS16M8FBLL-104NLI från ISSI är ett 128 Mb SerialRAM, ett integrerat minne av typen pseudostatiskt RAM (PSRAM) som använder en DRAM-matris med självrefresh, organiserad som 16M ord om 8 bitar. Kretsen är en stapel av två 64 Mb-chip (dual die stack) och ansluts över ett seriellt gränssnitt med SPI- eller QPI-protokoll (Quad Peripheral Interface).

Databladet IS66/67WVS16M8FALL/BLL framhåller det mycket låga signalantalet: sex signalpinnar (CE#, CLK och SIO0–SIO3). Kretsen har dold refresh (hidden refresh), och familjen finns enligt databladet i industriell klass samt i automotive-klasserna A1 och A2. I stället för en dedikerad RESET#-pinne stöds In-Band Reset, och minsta överförda datastorlek är 8 bitar.

Teknik och prestanda

Protokoll: SPI-protokollet stöds i driftlägena 1-1-1 och 1-4-4 (antal pinnar för instruktion, adress och data), och QPI-protokollet i läget 4-4-4. CLK är den seriella klockingången, och SIO0–SIO3 är pinnar för seriell datainmatning och datautmatning. Klockfrekvensen är högst 33 MHz för normal läsning och högst 104 MHz för snabb läsning. Längsta tid från klocka till access vid 104 MHz är 7 ns.

Minnesorganisation: Sidstorleken är 1024 byte, och burstoperationen är alltid wrapped inom sidan. Wrapped burst-längden kan konfigureras till 32 eller 1024, där 1024 är standard. Gränsövergång mellan de två chipen (die boundary crossing) är inte tillåten under wrapped burst-operation. Drivstyrkan är 50 ohm.

Effektförbrukning: Matningen sker med en enda spänning, antingen 1,65–1,95 V eller 2,7–3,6 V. Typisk standbyström är 240 µA vid 1,8 V och 300 µA vid 3,0 V. Maximal strömförbrukning anges till 8 mA för burstläsning eller burstskrivning i SPI-läge vid 33 MHz och 15 mA i QPI-läge vid 104 MHz. Maximal standbyström (ISB1) är 400 µA vid 85 °C och 500 µA vid 105 °C. Ett Deep Power Down-läge ingår bland driftlägena.

Temperaturklasser enligt databladet: industriell -40 °C till +85 °C, Auto (A1) -40 °C till +85 °C och Auto (A2) -40 °C till +105 °C.

Anslutningar och gränssnitt

• 6 signalpinnar: CE# (chipselect), CLK (seriell klocka) och SIO0–SIO3 (seriell data in/ut)
• Kapselalternativ enligt databladet: K = 8-kontakters WSON 6×5 mm och N = 8-pin SOIC 150 mil
• Grön kapsel: RoHS-kompatibel, halogenfri och TSCA-kompatibel

Kapselkoden N i artikelbeteckningen motsvarar enligt databladets kapsellista 8-pin SOIC 150 mil. Kretsen saknar dedikerad RESET#-pinne; i stället stöds In-Band Reset, och databladet beskriver även en Reset-operation.

Programvara och kompatibilitet

Databladet beskriver SPI-läsning och SPI-skrivning, QPI-läge med snabb QPI-läsning, QPI-skrivning och QPI-avslut (QPI Exit), samt Read ID, Reset, Set Burst Length, In-Band Reset och Deep Power Down. Kommando- och adresslåsning (Command/Address Latching Truth) och uppstartsinitiering (Power-up Initialization) har egna avsnitt, liksom ett enhetsidentifieringsregister (Device Identification Register).

Databladets gränssnittsbeskrivning omfattar adressrymd (Address Space), sidlängd (Page Length), drivstyrka (Driver Strength), status vid uppstart (Power-on Status) och avslut av läs- och skrivoperationer (Read/Write Termination). Refresh av DRAM-matrisen beskrivs i databladet som dold refresh (Hidden Refresh Operation). För att använda kretsen behöver värdsystemet, till exempel en mikrokontroller eller processor, ha ett SPI- eller QPI-kapabelt gränssnitt.

Egenskaper

• 128 Mb PSRAM, 16M × 8 bitar (stapel av två 64 Mb-chip)
• SPI (1-1-1 och 1-4-4) och QPI (4-4-4)
• Sex signalpinnar: CE#, CLK och SIO0–SIO3
• Upp till 104 MHz vid snabb läsning, 33 MHz vid normal läsning
• Längsta tid från klocka till access 7 ns vid 104 MHz
• Sidstorlek 1024 byte, wrapped burst 32 eller 1024
• Matning 1,65–1,95 V eller 2,7–3,6 V (enkel matning)
• Typisk standbyström 240 µA (1,8 V) och 300 µA (3,0 V)
• Dold refresh och In-Band Reset
• Deep Power Down-läge
• Drivstyrka 50 ohm
• RoHS-kompatibel och halogenfri kapsel

Användningsområden

• Extra arbetsminne eller buffert i inbyggda system där ett parallellt minnesgränssnitt tar för många pinnar
• Mikrokontroller- och processorsystem med SPI- eller QPI-gränssnitt
• Industriell utrustning i temperaturområdet -40 °C till +85 °C
• Konstruktioner där låg standbyström och Deep Power Down-läge är viktiga

Certifieringar och standarder: RoHS-kompatibel (grön kapsel), Halogenfri, TSCA-kompatibel

Databladet gäller familjen IS66/67WVS16M8FALL/BLL med två matningsområden (1,65–1,95 V och 2,7–3,6 V) och flera temperaturklasser; variantspecifika värden kan avvika. Kapsel (N = SOIC 150 mil) och temperaturklass (I = industriell, -40 °C till +85 °C) är tolkade ur suffixet -104NLI i artikelbeteckningen och bör verifieras mot tillverkarens beställningsinformation.

Tillverkarens artikelnummer IS66WVS16M8FBLL-104NLI. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.