Kioxia America

Kioxia America THGJFJT2T85BAT0 – minne/lagring

Art.nr GB-5826 Tillv. nr THGJFJT2T85BAT0

KIOXIA THGJFJT2T85BAT0 är ett inbyggt UFS-flashminne (Universal Flash Storage) med BiCS FLASH 3D-minne och styrkrets i ett JEDEC-standardiserat BGA-hölje. Avsett för smartphones, surfplattor och andra mobila enheter; familjen täcker UFS 3.1/4.0/4.1 och 128GB–1TB.

  • Universal Flash Storage (UFS) enligt JEDEC-stand
  • KIOXIA BiCS FLASH™ 3D-flashminne och styrkrets i
  • UFS-versioner 3.1, 4.0 och 4.1 i familjen
  • Max datahastighet 2,320 MB/s (UFS 3.1) respektiv
1 883 kr

I lager (124 st)Leverans 1–3 vardagar

Datablad (PDF)
  • Fri frakt över 2 000 kr
  • 30 dagars öppet köp
  • Faktura för företag

Frågor om produkten? info@gotbitab.com · Vardagar 08–17

Beskrivning

KIOXIA THGJFJT2T85BAT0 är en inbyggd flashlagringskrets enligt Universal Flash Storage (UFS). KIOXIAs UFS-lösning är utformad för att möta de höga kraven i mobila enheter och ger hög hastighet, bättre energieffektivitet och ökad lagringskapacitet i smartphones och ett brett urval av andra tillämpningar. Lösningen integrerar KIOXIAs BiCS FLASH™ 3D-flashminne och en styrkrets i ett JEDEC-standardiserat kapselformat.

Beskrivningen bygger på KIOXIAs produktbroschyr för UFS-familjen (UFS | Product Brief, Rev. 3.0, 2025). Familjen finns i JEDEC/UFS-versionerna 3.1, 4.0 och 4.1 med densiteter från 128GB till 1TB. Artikelnumret THGJFJT2T85BAT0 finns inte uppräknat i broschyrens artikeltabell, så UFS-version, densitet och kapselmått för just denna variant bör bekräftas mot tillverkarens specifikation.

Teknik och prestanda

Enligt broschyren stöder den senaste styrkretsen den högsta UFS-gränssnittshastigheten som finns i dag, 46.4 Gbps, samt förbättrad felkorrigering (enhanced error correction), wear leveling, logisk-till-fysisk adressöversättning och bad-block management. KIOXIA anger att detta förenklar systemutvecklingen. KIOXIA-styrkretsen gäller endast UFS-versionerna 4.0 och 4.1.

  • UFS-versioner i familjen: 3.1, 4.0 och 4.1.
  • Max datahastighet: 2,320 MB/s för UFS 3.1 och 4,640 MB/s för UFS 4.0 och 4.1.
  • Densiteter i familjen: 128GB, 256GB, 512GB och 1TB.
  • Snabbt seriellt gränssnitt med stöd för fullduplex och lågt antal pinnar.
  • Matning: VCC 2.4 till 2.7 V och VCCQ 1.14 till 1.26 V.
  • Drifttemperatur: -25 till 85 °C.
  • Kapslar: BGA, 9 x 13 mm och 11 x 13 mm.

Anslutningar och gränssnitt

UFS-gränssnittet är seriellt och kännetecknas enligt broschyren av hög gränssnittshastighet, stöd för fullduplex och lågt antal pinnar. Kretsen matas med två spänningar, VCC 2.4 till 2.7 V och VCCQ 1.14 till 1.26 V (dual-supply operation), medan VCCQ2 inte behöver matas. Kapselmåtten i broschyrens tabell är 11.0 x 13.0 x 0.8 mm för UFS 3.1 och 9.0 x 13.0 x 0.8 mm, 9.0 x 13.0 x 0.85 mm eller 9.0 x 13.0 x 0.9 mm för UFS 4.0 och 4.1, beroende på modell.

Programvara och kompatibilitet

UFS är en JEDEC-standard för inbyggda minnesprodukter. Prestandan är högre för version 4.1 än för 4.0 och högre för 4.0 än för 3.1, men det är oftast systemkretsen (SoC) som avgör vilken UFS-version som krävs. JEDEC avser att varje UFS-version ska vara bakåtkompatibel med tidigare versioner, men KIOXIA uppmanar till att bekräfta detta genom att utvärdera matningsspänning och SoC. UFS är enligt broschyren aktuellt när högre densiteter behövs (från 128GB till 1TB), när bättre prestanda önskas och när det finns SoC:er med gränssnitt mot UFS.

Densiteten anges utifrån minneskretsarnas densitet i produkten och inte utifrån den kapacitet som är tillgänglig för slutanvändaren. Användbar kapacitet blir lägre på grund av overhead-dataområden, formatering, dåliga block och andra begränsningar och kan även variera med värdenhet och tillämpning. KIOXIA definierar 1 GB som 1,073,741,824 byte (2^30). Angivna läs- och skrivhastigheter är de bästa värden som uppnåtts i en specifik testmiljö hos KIOXIA Corporation och garanteras inte för enskilda enheter; hastigheten kan variera med använd enhet och filstorlek.

Egenskaper

  • Universal Flash Storage (UFS) enligt JEDEC-standard
  • KIOXIA BiCS FLASH™ 3D-flashminne och styrkrets i samma kapsel
  • UFS-versioner 3.1, 4.0 och 4.1 i familjen
  • Max datahastighet 2,320 MB/s (UFS 3.1) respektive 4,640 MB/s (UFS 4.0 och 4.1)
  • Gränssnittshastighet upp till 46.4 Gbps (senaste styrkretsen)
  • Felkorrigering, wear leveling och bad-block management
  • Logisk-till-fysisk adressöversättning i styrkretsen
  • Fullduplex och lågt antal pinnar
  • Densiteter från 128GB till 1TB i familjen
  • Matning VCC 2.4 till 2.7 V och VCCQ 1.14 till 1.26 V
  • Drifttemperatur -25 till 85 °C
  • BGA-kapslar i 9 x 13 mm och 11 x 13 mm

Användningsområden

  • Smartphones
  • AR/VR-enheter
  • Surfplattor och 2-i-1-enheter
  • Streaming media-enheter
  • Smarta högtalare
  • Andra tillämpningar med UFS-kompatibel SoC

Databladet är en produktbroschyr (Rev. 3.0, 2025) för hela KIOXIA UFS-familjen (UFS 3.1/4.0/4.1, 128GB–1TB); artikeltabellen är rubricerad Consumer Grade och innehåller inte THGJFJT2T85BAT0. UFS-version, densitet, kapselmått och datahastighet för just denna variant ska verifieras mot tillverkarens specifikation. Mouser-raden hänvisar till produktkommentarer som inte ingår i underlaget.

Tillverkarens artikelnummer THGJFJT2T85BAT0. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.

Specifikationer

VarumärkeKioxia America
Tillverkarens artikelnummerTHGJFJT2T85BAT0
ArtikelnummerGB-5826
TillverkareKIOXIA (Kioxia America)
ModellbeteckningTHGJFJT2T85BAT0
ProdukttypInbyggt flashlagringsminne, Universal Flash Storage (UFS), JEDEC-standard
FlashminneKIOXIA BiCS FLASH™ 3D-flashminne
StyrkretsIntegrerad styrkrets; KIOXIA-styrkrets för UFS 4.0 och 4.1
UFS-versioner i familjen3.1, 4.0 och 4.1
Högsta UFS-gränssnittshastighet (senaste styrkretsen)46.4 Gbps
Max datahastighet, UFS 3.12,320 MB/s
Max datahastighet, UFS 4.0 och 4.14,640 MB/s
Densiteter i familjen128GB, 256GB, 512GB, 1TB
Matningsspänning VCC2.4 till 2.7 V
Matningsspänning VCCQ1.14 till 1.26 V
Matningsspänning VCCQ2Behöver inte matas (dual-supply operation vid VCC och VCCQ)
Drifttemperatur-25 till 85 °C
KapseltypBGA, 9 x 13 mm och 11 x 13 mm
Kapselmått, UFS 3.111.0 x 13.0 x 0.8 mm
Kapselmått, UFS 4.0 och 4.19.0 x 13.0 x 0.8 mm, 9.0 x 13.0 x 0.85 mm eller 9.0 x 13.0 x 0.9 mm (beroende på modell)
GränssnittsegenskaperSnabbt seriellt gränssnitt, fullduplex, lågt antal pinnar
StyrkretsfunktionerFelkorrigering, wear leveling, logisk-till-fysisk adressöversättning, bad-block management
DatabladUFS Product Brief, Rev. 3.0 (2025)
KategoriMinne & lagring

Recensioner

Recensioner

Det finns inga recensioner än.

Bli först med att recensera ”Kioxia America THGJFJT2T85BAT0 – minne/lagring”

Din e-postadress kommer inte publiceras. Obligatoriska fält är märkta *