Microchip Technology
Microchip Technology 23LCV1024-I/P – minne/lagring
Art.nr GB-5977 Tillv. nr 23LCV1024-I/P
Seriellt SPI-SRAM på 1 Mbit (128K x 8 bitar) från Microchip med stöd för externt batteribackup via VBAT (stift 7) och SDI-läge. Matning 2.5 V–5.5 V, klockfrekvens 20 MHz, obegränsat antal läs- och skrivcykler, industriell temperaturklass (-40 °C till +85 °C), 8-poligt PDIP-hus.
- 1 Mbit seriellt SRAM, 128K x 8 bitar, 32 byte si
- SPI-kompatibel buss med SDI-läge, klockfrekvens
- Stöd för externt batteri eller knappcell på VBAT
- Matningsspänning VCC 2.5 V–5.5 V
I lager (1 659 st)Leverans 1–3 vardagar
- Fri frakt över 2 000 kr
- 30 dagars öppet köp
- Faktura för företag
Frågor om produkten? info@gotbitab.com · Vardagar 08–17
Beskrivning
23LCV1024-I/P är ett seriellt SRAM-minne på 1 Mbit från Microchip Technology, organiserat som 128K x 8 bitar (128 Kbyte) med 32 byte sidstorlek. Minnet nås via en enkel SPI-kompatibel seriebuss med klockingång (SCK), separata ledningar för data in (SI) och data ut (SO) samt en Chip Select-ingång (CS). SDI (Serial Dual Interface) stöds för applikationer som behöver högre datahastighet, och databladet anger lägena SPI och SDI.
Kretsens särdrag är stödet för datasäkerhetskopiering via ett externt batteri eller en knappcell som ansluts till VBAT (stift 7). Kretsen har dessutom obegränsat antal läs- och skrivcykler och noll skrivtid (Zero Write Time). Databladet (DS20005156B) beskriver endast 23LCV1024. I beteckningen 23LCV1024-I/P anger I industriell temperaturklass och P det 8-poliga PDIP-huset.
Teknik och prestanda
- Organisation: 128K x 8 bitar (1 Mbit) med 32 byte sidstorlek.
- Gränssnitt: SPI-kompatibelt med SDI (dubbel I/O); klockfrekvens 20 MHz.
- Matningsspänning (VCC): 2.5 V–5.5 V.
- Batteribackup: stöd för externt batteri eller knappcell på VBAT (stift 7).
- Lågeffekts-CMOS: läsström 3 mA vid 5.5 V och 20 MHz; standbyström 4 µA vid +85 °C.
- Läsning och skrivning i byte-, sid- och sekventiellt läge.
- Temperaturområde: industriellt, -40 °C till +85 °C.
DC-egenskaper (TA = -40 °C till +85 °C): VIH minst 0.7 VCC (högst VCC + 0.3 V), VIL högst 0.10 x VCC (från -0.3 V), VOL högst 0.2 V vid IOL = 1 mA och VOH minst VCC -0.5 V vid IOH = -400 µA. Absoluta maxvärden (belastning över dessa kan ge bestående skador): VCC 6.5 V, spänning på in- och utgångar mot VSS -0.3 V till VCC +0.3 V, lagringstemperatur -65 °C till +150 °C och omgivningstemperatur under spänning -40 °C till +85 °C. Långvarig exponering för maxvärden kan påverka kretsens tillförlitlighet.
Anslutningar och gränssnitt
Kretsen har åtta stift med samma stiftfunktion i kapslarna PDIP, SOIC och TSSOP (P, SN, ST); denna artikel har PDIP-hus (P). SI/SIO0 och SO/SIO1 anges som SDI-stift, och VBAT beskrivs som ingång för extern reservmatning (External Backup Supply Input).
- Stift 1, CS: Chip Select-ingång
- Stift 2, SO/SIO1: seriell datautgång, SDI-stift
- Stift 3, NC: ej ansluten
- Stift 4, VSS: jord
- Stift 5, SI/SIO0: seriell dataingång, SDI-stift
- Stift 6, SCK: seriell klocka
- Stift 7, VBAT: ingång för extern reservmatning
- Stift 8, VCC: matningsspänning
Programvara och kompatibilitet
Kretsen är SPI-kompatibel och kan, där värdsystemet stöder det, användas i SDI-läge för högre datahastighet. Matningsspänningsområdet 2.5 V–5.5 V omfattar både 3.3 V och 5 V. Enligt databladets valtabell anges 23LCV1024 för 2.5 V–5.5 V med SDI, batteribackup och högsta klockfrekvens 20 MHz, i kapslarna PDIP (P), SOIC (SN) och TSSOP (ST). Uppgifter om VBAT:s spänningsområde och om omkoppling mellan VCC och VBAT redovisas inte här; se tillverkarens datablad vid konstruktion av batteribackup.
Egenskaper
- 1 Mbit seriellt SRAM, 128K x 8 bitar, 32 byte sidstorlek
- SPI-kompatibel buss med SDI-läge, klockfrekvens 20 MHz
- Stöd för externt batteri eller knappcell på VBAT (stift 7)
- Matningsspänning VCC 2.5 V–5.5 V
- Läsström 3 mA vid 5.5 V och 20 MHz
- Standbyström 4 µA vid +85 °C
- Obegränsat antal läs- och skrivcykler
- Noll skrivtid (Zero Write Time)
- Byte-, sid- och sekventiellt läge för läsning och skrivning
- Industriell temperaturklass -40 °C till +85 °C
- 8-poligt PDIP-hus (P), blyfri, RoHS-kompatibel och halogenfri
Användningsområden
- Datalagring med reservmatning från externt batteri eller knappcell via VBAT
- Utökat arbetsminne eller buffert för mikrokontroller med SPI-gränssnitt
- Mellanlagring av större datamängder (1 Mbit) i inbyggda system
- Industriell utrustning inom temperaturområdet -40 °C till +85 °C
Certifieringar och standarder: RoHS-kompatibel, Blyfri (Pb-Free), Halogenfri
Uppgifter om VBAT:s spänningsområde och omkoppling mellan VCC och VBAT ingår inte i underlaget; se tillverkarens datablad. Användningsområden är härledda ur produkttyp och egenskaper.
Tillverkarens artikelnummer 23LCV1024-I/P. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.
Specifikationer
| Varumärke | Microchip Technology |
|---|---|
| Tillverkarens artikelnummer | 23LCV1024-I/P |
| Artikelnummer | GB-5977 |
| Tillverkare | Microchip Technology |
| Minnestyp | Seriellt SRAM med stöd för externt batteribackup |
| Minnesstorlek | 1 Mbit |
| Organisation | 128K x 8 bitar |
| Sidstorlek | 32 byte |
| Gränssnitt | SPI-kompatibel seriebuss med stöd för SDI (SPI/SDI-läge) |
| Max klockfrekvens | 20 MHz |
| Matningsspänning (VCC) | 2.5 V–5.5 V |
| Batteribackup | Externt batteri eller knappcell på VBAT (stift 7) |
| Läsström | 3 mA vid 5.5 V och 20 MHz |
| Standbyström | 4 µA vid +85 °C |
| Läs- och skrivcykler | Obegränsat antal |
| Skrivtid | Noll (Zero Write Time) |
| Driftlägen | Byte-, sid- och sekventiellt läge för läsning och skrivning |
| Temperaturområde | Industriellt, -40 °C till +85 °C |
| Kapsel | 8-poligt PDIP (P) |
| Stiftkonfiguration | 1 CS, 2 SO/SIO1, 3 NC, 4 VSS, 5 SI/SIO0, 6 SCK, 7 VBAT, 8 VCC |
| Insignalnivå VIH | min 0.7 VCC, max VCC + 0.3 V |
| Insignalnivå VIL | min -0.3 V, max 0.10 x VCC |
| Utsignal VOL | max 0.2 V vid IOL = 1 mA |
| Utsignal VOH | min VCC -0.5 V vid IOH = -400 µA |
| Absolut max VCC | 6.5 V |
| Absolut max, in- och utgångar mot VSS | -0.3 V till VCC +0.3 V |
| Lagringstemperatur | -65 °C till +150 °C |
| Omgivningstemperatur under spänning | -40 °C till +85 °C |
| Miljö | Blyfri (Pb-Free), RoHS-kompatibel, halogenfri |
| Databladsreferens | DS20005156B |
| Kategori | Minne & lagring |

Recensioner
Det finns inga recensioner än.