Microchip Technology

Microchip Technology 23LCV1024-I/P – minne/lagring

Art.nr GB-5977 Tillv. nr 23LCV1024-I/P

Seriellt SPI-SRAM på 1 Mbit (128K x 8 bitar) från Microchip med stöd för externt batteribackup via VBAT (stift 7) och SDI-läge. Matning 2.5 V–5.5 V, klockfrekvens 20 MHz, obegränsat antal läs- och skrivcykler, industriell temperaturklass (-40 °C till +85 °C), 8-poligt PDIP-hus.

  • 1 Mbit seriellt SRAM, 128K x 8 bitar, 32 byte si
  • SPI-kompatibel buss med SDI-läge, klockfrekvens
  • Stöd för externt batteri eller knappcell på VBAT
  • Matningsspänning VCC 2.5 V–5.5 V
130 kr

I lager (1 659 st)Leverans 1–3 vardagar

Datablad (PDF)
  • Fri frakt över 2 000 kr
  • 30 dagars öppet köp
  • Faktura för företag

Frågor om produkten? info@gotbitab.com · Vardagar 08–17

Beskrivning

23LCV1024-I/P är ett seriellt SRAM-minne på 1 Mbit från Microchip Technology, organiserat som 128K x 8 bitar (128 Kbyte) med 32 byte sidstorlek. Minnet nås via en enkel SPI-kompatibel seriebuss med klockingång (SCK), separata ledningar för data in (SI) och data ut (SO) samt en Chip Select-ingång (CS). SDI (Serial Dual Interface) stöds för applikationer som behöver högre datahastighet, och databladet anger lägena SPI och SDI.

Kretsens särdrag är stödet för datasäkerhetskopiering via ett externt batteri eller en knappcell som ansluts till VBAT (stift 7). Kretsen har dessutom obegränsat antal läs- och skrivcykler och noll skrivtid (Zero Write Time). Databladet (DS20005156B) beskriver endast 23LCV1024. I beteckningen 23LCV1024-I/P anger I industriell temperaturklass och P det 8-poliga PDIP-huset.

Teknik och prestanda

  • Organisation: 128K x 8 bitar (1 Mbit) med 32 byte sidstorlek.
  • Gränssnitt: SPI-kompatibelt med SDI (dubbel I/O); klockfrekvens 20 MHz.
  • Matningsspänning (VCC): 2.5 V–5.5 V.
  • Batteribackup: stöd för externt batteri eller knappcell på VBAT (stift 7).
  • Lågeffekts-CMOS: läsström 3 mA vid 5.5 V och 20 MHz; standbyström 4 µA vid +85 °C.
  • Läsning och skrivning i byte-, sid- och sekventiellt läge.
  • Temperaturområde: industriellt, -40 °C till +85 °C.

DC-egenskaper (TA = -40 °C till +85 °C): VIH minst 0.7 VCC (högst VCC + 0.3 V), VIL högst 0.10 x VCC (från -0.3 V), VOL högst 0.2 V vid IOL = 1 mA och VOH minst VCC -0.5 V vid IOH = -400 µA. Absoluta maxvärden (belastning över dessa kan ge bestående skador): VCC 6.5 V, spänning på in- och utgångar mot VSS -0.3 V till VCC +0.3 V, lagringstemperatur -65 °C till +150 °C och omgivningstemperatur under spänning -40 °C till +85 °C. Långvarig exponering för maxvärden kan påverka kretsens tillförlitlighet.

Anslutningar och gränssnitt

Kretsen har åtta stift med samma stiftfunktion i kapslarna PDIP, SOIC och TSSOP (P, SN, ST); denna artikel har PDIP-hus (P). SI/SIO0 och SO/SIO1 anges som SDI-stift, och VBAT beskrivs som ingång för extern reservmatning (External Backup Supply Input).

  • Stift 1, CS: Chip Select-ingång
  • Stift 2, SO/SIO1: seriell datautgång, SDI-stift
  • Stift 3, NC: ej ansluten
  • Stift 4, VSS: jord
  • Stift 5, SI/SIO0: seriell dataingång, SDI-stift
  • Stift 6, SCK: seriell klocka
  • Stift 7, VBAT: ingång för extern reservmatning
  • Stift 8, VCC: matningsspänning

Programvara och kompatibilitet

Kretsen är SPI-kompatibel och kan, där värdsystemet stöder det, användas i SDI-läge för högre datahastighet. Matningsspänningsområdet 2.5 V–5.5 V omfattar både 3.3 V och 5 V. Enligt databladets valtabell anges 23LCV1024 för 2.5 V–5.5 V med SDI, batteribackup och högsta klockfrekvens 20 MHz, i kapslarna PDIP (P), SOIC (SN) och TSSOP (ST). Uppgifter om VBAT:s spänningsområde och om omkoppling mellan VCC och VBAT redovisas inte här; se tillverkarens datablad vid konstruktion av batteribackup.

Egenskaper

  • 1 Mbit seriellt SRAM, 128K x 8 bitar, 32 byte sidstorlek
  • SPI-kompatibel buss med SDI-läge, klockfrekvens 20 MHz
  • Stöd för externt batteri eller knappcell på VBAT (stift 7)
  • Matningsspänning VCC 2.5 V–5.5 V
  • Läsström 3 mA vid 5.5 V och 20 MHz
  • Standbyström 4 µA vid +85 °C
  • Obegränsat antal läs- och skrivcykler
  • Noll skrivtid (Zero Write Time)
  • Byte-, sid- och sekventiellt läge för läsning och skrivning
  • Industriell temperaturklass -40 °C till +85 °C
  • 8-poligt PDIP-hus (P), blyfri, RoHS-kompatibel och halogenfri

Användningsområden

  • Datalagring med reservmatning från externt batteri eller knappcell via VBAT
  • Utökat arbetsminne eller buffert för mikrokontroller med SPI-gränssnitt
  • Mellanlagring av större datamängder (1 Mbit) i inbyggda system
  • Industriell utrustning inom temperaturområdet -40 °C till +85 °C

Certifieringar och standarder: RoHS-kompatibel, Blyfri (Pb-Free), Halogenfri

Uppgifter om VBAT:s spänningsområde och omkoppling mellan VCC och VBAT ingår inte i underlaget; se tillverkarens datablad. Användningsområden är härledda ur produkttyp och egenskaper.

Tillverkarens artikelnummer 23LCV1024-I/P. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.

Specifikationer

VarumärkeMicrochip Technology
Tillverkarens artikelnummer23LCV1024-I/P
ArtikelnummerGB-5977
TillverkareMicrochip Technology
MinnestypSeriellt SRAM med stöd för externt batteribackup
Minnesstorlek1 Mbit
Organisation128K x 8 bitar
Sidstorlek32 byte
GränssnittSPI-kompatibel seriebuss med stöd för SDI (SPI/SDI-läge)
Max klockfrekvens20 MHz
Matningsspänning (VCC)2.5 V–5.5 V
BatteribackupExternt batteri eller knappcell på VBAT (stift 7)
Läsström3 mA vid 5.5 V och 20 MHz
Standbyström4 µA vid +85 °C
Läs- och skrivcyklerObegränsat antal
SkrivtidNoll (Zero Write Time)
DriftlägenByte-, sid- och sekventiellt läge för läsning och skrivning
TemperaturområdeIndustriellt, -40 °C till +85 °C
Kapsel8-poligt PDIP (P)
Stiftkonfiguration1 CS, 2 SO/SIO1, 3 NC, 4 VSS, 5 SI/SIO0, 6 SCK, 7 VBAT, 8 VCC
Insignalnivå VIHmin 0.7 VCC, max VCC + 0.3 V
Insignalnivå VILmin -0.3 V, max 0.10 x VCC
Utsignal VOLmax 0.2 V vid IOL = 1 mA
Utsignal VOHmin VCC -0.5 V vid IOH = -400 µA
Absolut max VCC6.5 V
Absolut max, in- och utgångar mot VSS-0.3 V till VCC +0.3 V
Lagringstemperatur-65 °C till +150 °C
Omgivningstemperatur under spänning-40 °C till +85 °C
MiljöBlyfri (Pb-Free), RoHS-kompatibel, halogenfri
DatabladsreferensDS20005156B
KategoriMinne & lagring

Recensioner

Recensioner

Det finns inga recensioner än.

Bli först med att recensera ”Microchip Technology 23LCV1024-I/P – minne/lagring”

Din e-postadress kommer inte publiceras. Obligatoriska fält är märkta *