Microchip Technology
Microchip Technology 25AA256-I/MF – minne/lagring · EEPROM 32kx8 – 1.8V
Art.nr GB-5658 Tillv. nr 25AA256-I/MF
25AA256-I/MF är ett 256-Kbit SPI-seriellt EEPROM (32 768 x 8 bit) från Microchip i 8-Lead DFN-S, för 1,8 V till 5,5 V och industriellt temperaturområde -40 °C till +85 °C. Klocka upp till 10 MHz, 64-byte sidor, blockskrivskydd och standby-ström 1 µA vid 5,5 V.
- 256 Kbit seriellt EEPROM, 32 768 x 8 bit, 64-byt
- SPI-kompatibelt gränssnitt, klocka upp till 10 M
- Matningsspänning 1,8 V till 5,5 V (25AA256)
- Skrivström max 5 mA och läsström 6 mA vid 5,5 V
I lager (1 338 st)Leverans 1–3 vardagar
- Fri frakt över 2 000 kr
- 30 dagars öppet köp
- Faktura för företag
Frågor om produkten? info@gotbitab.com · Vardagar 08–17
Beskrivning
25AA256-I/MF är ett seriellt EEPROM med 256 Kbit minne (32 768 x 8 bit) från Microchip Technology i 8-Lead DFN-S-kapsel (kod MF). Kretsen har ett SPI-kompatibelt gränssnitt med klockfrekvens upp till 10 MHz och arbetar från 1,8 V till 5,5 V. Suffixet -I anger industriellt temperaturområde, -40 °C till +85 °C.
Databladet (DS20001822J) omfattar 25AA256 och 25LC256, med den gemensamma benämningen 25XX256. Kretsen har en sidstorlek på 64 byte och flera inbyggda skydd mot oavsiktlig skrivning: blockskrivskydd, skrivaktiveringslås, WP-stift och dataskyddskretsar vid spänningspåslag och -avstängning. Databladet gäller även utökad temperaturklass (E, -40 °C till +125 °C), men den här artikeln är I-varianten.
Teknik och prestanda
- Organisation: 32 768 x 8 bit (256 Kbit), 64-byte sida och sekventiell läsning.
- Skrivcykel: självtajmad radera- och skrivcykel på högst 5 ms.
- Hastighet: klockfrekvens upp till 10 MHz.
- Strömförbrukning (CMOS): max skrivström 5 mA vid 5,5 V och 10 MHz, läsström 6 mA vid 5,5 V och 10 MHz samt standby-ström 1 µA vid 5,5 V.
- Skrivskydd: blockskydd för inget, 1/4, 1/2 eller hela arrayen, tillsammans med WP-stift, skrivaktiveringslås (write enable latch) och skydd vid spänningspåslag och -avstängning.
- Uthållighet och datalagring: 1 000 000 radera-/skrivcykler och datalagring i över 200 år. ESD-skyddet är över 4000 V.
- Temperatur: industriell klass (I), -40 °C till +85 °C, vid VCC 1,8 V till 5,5 V enligt databladets DC-tabell.
Absoluta maxvärden enligt databladet (belastningsgränser, inte driftvillkor): VCC 6,5 V, spänning på alla in- och utgångar mot VSS -0,6 V till VCC +1,0 V, lagringstemperatur -65 °C till +150 °C, omgivningstemperatur med spänning påslagen -40 °C till +125 °C och ESD-skydd på alla stift 4 kV. Hög ingångsnivå (VIH) anges från 0,7 x VCC till VCC +1 V.
Anslutningar och gränssnitt
Kretsen använder SPI-signalerna SCK (klocka), SI (data in), SO (data ut) och CS (Chip Select), samt WP och HOLD som extra styrsignaler. Stiftfunktioner enligt databladet: CS (Chip Select Input), SO (Serial Data Output), WP (Write-Protect), VSS (Ground), SI (Serial Data Input), SCK (Serial Clock Input), HOLD (Hold Input) och VCC (Supply Voltage).
I DFN-S-kapseln sitter CS, SO, WP och VSS på stift 1 till 4 enligt databladets figur, och SI, SCK, HOLD och VCC följer på stift 5 till 8, i samma ordning som i PDIP och SOIC. Databladets stifttabell anger CS på stift 1 och SO på stift 2 i DFN-S.
HOLD kan användas för att pausa kommunikationen. Medan kretsen är pausad ignoreras förändringar på ingångarna, med undantag för Chip Select, vilket gör att värdsystemet kan hantera avbrott med högre prioritet. Familjen erbjuds i 8-Lead DFN-S, PDIP, SOIC, SOIJ och TSSOP (kapselkoderna MF, P, SN, SM och ST).
Programvara och kompatibilitet
Åtkomsten sker via en enkel SPI-kompatibel seriebuss där Chip Select styr vilken krets som är vald. 25AA256 och 25LC256 delar datablad, sidstorlek (64 byte) och kapselutbud; 25AA256 arbetar från 1,8 V och 25LC256 från 2,5 V. Funktionslistan anger att familjen är RoHS-kompatibel och AEC-Q100-kvalificerad (Automotive).
Egenskaper
- 256 Kbit seriellt EEPROM, 32 768 x 8 bit, 64-byte sida
- SPI-kompatibelt gränssnitt, klocka upp till 10 MHz
- Matningsspänning 1,8 V till 5,5 V (25AA256)
- Skrivström max 5 mA och läsström 6 mA vid 5,5 V och 10 MHz
- Standby-ström 1 µA vid 5,5 V
- Självtajmade radera-/skrivcykler, högst 5 ms
- Blockskrivskydd: inget, 1/4, 1/2 eller hela arrayen
- WP-stift, skrivaktiveringslås och skydd vid spänningspåslag/-avstängning
- HOLD-ingång för att pausa kommunikationen
- 1 000 000 radera-/skrivcykler, datalagring över 200 år, ESD-skydd över 4000 V
- Industriellt temperaturområde -40 °C till +85 °C (I)
- 8-Lead DFN-S, RoHS-kompatibel
Användningsområden
- Inbyggda system med lagring av konfigurations- och kalibreringsdata
- Parameter- och loggdata som ska bevaras vid spänningsbortfall
- Lågspänningssystem med matning från 1,8 V
- System med låg standby-ström (1 µA vid 5,5 V)
- Utrustning med skrivskyddat konfigurationsområde via blockskydd och WP-stift
Certifieringar och standarder: RoHS, AEC-Q100 (anges i databladet för produktfamiljen)
Databladet (DS20001822J) gäller både 25AA256 och 25LC256; 2,5 V-drift gäller 25LC256. AEC-Q100 anges för familjen, så kontrollera tillverkarens uppgifter för exakt artikelvariant och temperaturklass. Utdraget saknar AC-tidsvärden, kapselmått och instruktionsuppsättning; kapselkoden MF är tolkad som 8-Lead DFN-S.
Tillverkarens artikelnummer 25AA256-I/MF. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.
Specifikationer
| Varumärke | Microchip Technology |
|---|---|
| Tillverkarens artikelnummer | 25AA256-I/MF |
| Artikelnummer | GB-5658 |
| Tillverkare | Microchip Technology |
| Produktfamilj (datablad) | 25AA256/25LC256 (25XX256), DS20001822J |
| Minnestyp | Seriellt EEPROM |
| Minnesstorlek | 256 Kbit |
| Organisation | 32 768 x 8 bit |
| Sidstorlek | 64 byte |
| Gränssnitt | SPI-kompatibelt (SCK, SI, SO, CS) |
| Matningsspänning (VCC) | 1,8 V till 5,5 V (25AA256) |
| Max. klockfrekvens | 10 MHz |
| Skrivström | Max 5 mA vid 5,5 V och 10 MHz |
| Läsström | 6 mA vid 5,5 V och 10 MHz |
| Standby-ström | 1 µA vid 5,5 V |
| Skrivtid | Högst 5 ms (självtajmade radera-/skrivcykler) |
| Blockskrivskydd | Inget, 1/4, 1/2 eller hela arrayen |
| Övrigt skrivskydd | WP-stift, skrivaktiveringslås, dataskydd vid spänningspåslag/-avstängning |
| Pausfunktion | HOLD-ingång |
| Radera-/skrivcykler | 1 000 000 |
| Datalagring | Mer än 200 år |
| ESD-skydd | Mer än 4000 V |
| Drifttemperatur | -40 °C till +85 °C (industriell, I) |
| Kapsel | 8-Lead DFN-S (kod MF) |
| Stiftordning (DFN-S) | 1 CS, 2 SO, 3 WP, 4 VSS, 5 SI, 6 SCK, 7 HOLD, 8 VCC |
| Hög ingångsnivå (VIH) | 0,7 x VCC till VCC +1 V |
| Abs. max VCC | 6,5 V |
| Abs. max spänning på in-/utgångar mot VSS | -0,6 V till VCC +1,0 V |
| Lagringstemperatur | -65 °C till +150 °C |
| Miljö | RoHS-kompatibel |
| Kategori | Minne & lagring |

































Recensioner
Det finns inga recensioner än.