Microchip Technology
Microchip Technology 25AA512-I/SN – minne/lagring
Art.nr GB-5687 Tillv. nr 25AA512-I/SN
25AA512-I/SN är ett seriellt SPI-EEPROM från Microchip med 512 Kbit (64K x 8 bitar) i 8-Lead SOIC. Det klockas upp till 20 MHz och har 128-byte sida, sid-, sektor- och bulkradering (typiskt för flashprodukter), sektorskrivskydd samt Deep Power-down med 1 µA standbyström.
- 512 Kbit seriellt EEPROM (64K x 8 bitar) med SPI
- Klockfrekvens upp till 20 MHz
- Matningsspänning VCC 1,8 V till 5,5 V
- Byte- och sidskrivning, 128-byte sida, högst 5 m
I lager (4 710 st)Leverans 1–3 vardagar
- Fri frakt över 2 000 kr
- 30 dagars öppet köp
- Faktura för företag
Frågor om produkten? info@gotbitab.com · Vardagar 08–17
Beskrivning
25AA512-I/SN är ett seriellt EEPROM-minne på 512 Kbit (64K x 8 bitar) från Microchip Technology med SPI-kompatibelt gränssnitt. Kretsen har skrivfunktioner på både byte- och sidnivå och dessutom instruktioner för sidradering, sektorradering och chipradering, som annars är typiska för flashbaserade produkter. Raderingsinstruktionerna behövs inte vid byte- eller sidskrivning: ingen sid- eller sektorradering krävs före en skrivning. Sidstorleken är 128 byte och skrivtiden är högst 5 ms.
Bussignalerna är en klockingång (SCK) samt separata ledningar för dataingång (SI) och datautgång (SO), och åtkomsten styrs med en Chip Select-ingång (CS). Kommunikationen kan pausas via HOLD-ingången. Medan kretsen är pausad ignoreras övergångar på ingångarna, med undantag för Chip Select, vilket gör att värden kan hantera avbrott med högre prioritet. Artikelbeteckningen 25AA512-I/SN betyder temperaturklassen I (industriell) och kapselkoden SN, en 8-Lead SOIC. Databladet (DS20002021J) gäller enbart 25AA512, med matningsspänning 1,8 V till 5,5 V och 128-byte sida, i kapslarna P, SN, SM och MF. Leverantörens lista beskriver artikeln som EEPROM 512k, 64K x 8, 1,8 V, industriell.
Teknik och prestanda
- Klockfrekvens: högst 20 MHz.
- Skrivning: byte- och sidskrivning med 128-byte sida och högst 5 ms per skrivning. Ingen sid- eller sektorradering krävs.
- Radering (självtidsstyrd): sidradering 5 ms typiskt, sektorradering 10 ms per sektor typiskt och bulkradering 10 ms typiskt.
- Elektronisk signatur: enhets-ID kan läsas ut (Electronic Signature for Device ID).
- Lågeffekts-CMOS: högsta skrivström 7 mA vid 5,5 V, läsström 10 mA vid 5,5 V och 20 MHz samt standbyström 1 µA vid 2,5 V i läget Deep Power-down.
- Sektorskrivskydd (16 Kbyte per sektor): inget, 1/4, 1/2 eller hela minnesarrayen kan skyddas.
- Inbyggt skrivskydd: skyddskrets vid på- och avstängning av matningen (power-on/off data protection circuitry), write enable-latch och skrivskyddsstift (WP).
- Läsning: sekventiell läsning stöds.
- Tillförlitlighet: uthållighet 1 miljon radera-/skrivcykler, datalagringstid över 200 år och ESD-skydd 4 000 V.
- Temperatur: industriellt (I) -40 °C till +85 °C.
- Ingångsnivåer: VIH från 0,7 x VCC till VCC + 1 V. VIL från -0,3 V till 0,3 x VCC, och från -0,3 V till 0,2 x VCC vid VCC under 2,7 V.
Databladets tabell över DC-egenskaper anger två driftvillkor. För industriellt (I)*, ett begränsat industriellt temperaturområde, gäller TA = 0 °C till +85 °C vid VCC = 1,8 V till 5,5 V. För industriellt (I) gäller TA = -40 °C till +85 °C vid VCC = 2,0 V till 5,5 V. Det innebär att drift ned till 1,8 V enligt tabellen förutsätter att omgivningstemperaturen inte understiger 0 °C.
Absoluta gränsvärden enligt databladet är VCC 6,5 V, spänning på alla in- och utgångar mot VSS -0,6 V till VCC + 1,0 V, lagringstemperatur -65 °C till 150 °C, omgivningstemperatur med matning påslagen -40 °C till 125 °C och ESD-skydd 4 kV på alla stift. Värdena är stressgränser: belastning över dem kan ge permanenta skador, och drift vid dessa nivåer är inte specificerad.
Anslutningar och gränssnitt
Kretsen levereras här i 8-Lead SOIC för ytmontering. Stiftens funktioner enligt databladets stifttabell och stiftfigur för PDIP, SOIC och SOIJ är:
- Stift 1: CS, Chip Select-ingång
- Stift 2: SO, seriell datautgång
- Stift 3: WP, skrivskydd
- Stift 4: VSS, jord
- Stift 5: SI, seriell dataingång
- Stift 6: SCK, seriell klockingång
- Stift 7: HOLD, hold-ingång
- Stift 8: VCC, matningsspänning
Samma krets finns i familjen även i 8-Lead PDIP, SOIJ och DFN-S. Stiftnumren för CS och SO (1 och 2) är desamma i alla fyra kapslarna i databladets stifttabell.
Programvara och kompatibilitet
Kretsen styrs över en SPI-buss med klocka (SCK), dataingång (SI), datautgång (SO) och Chip Select (CS) samt styrstiften HOLD och WP. Förutom vanliga byte- och sidskrivningar finns instruktioner för sidradering, sektorradering och chipradering. Dessa behövs inte för att skriva data. Med den elektroniska signaturen kan programvaran läsa ut ett enhets-ID och identifiera kretsen i systemet. Skrivskyddet styrs sektorvis i steg om 16 Kbyte, och WP-stiftet samt write enable-latchen ingår i det inbyggda skyddet. Databladet anger att kretsen är RoHS-kompatibel. Instruktionsuppsättning och tidsdiagram finns i tillverkarens datablad DS20002021J.
Egenskaper
- 512 Kbit seriellt EEPROM (64K x 8 bitar) med SPI-kompatibelt gränssnitt
- Klockfrekvens upp till 20 MHz
- Matningsspänning VCC 1,8 V till 5,5 V
- Byte- och sidskrivning, 128-byte sida, högst 5 ms; ingen sid- eller sektorradering krävs
- Sidradering 5 ms, sektorradering 10 ms per sektor och bulkradering 10 ms (typiskt)
- Skrivström högst 7 mA (5,5 V), läsström 10 mA (5,5 V, 20 MHz)
- Standbyström 1 µA vid 2,5 V (Deep Power-down)
- Sektorskrivskydd (16 Kbyte per sektor): inget, 1/4, 1/2 eller hela arrayen
- Skrivskyddsstift (WP), write enable-latch och skydd vid på-/avstängning av matningen
- Elektronisk signatur för enhets-ID
- 1 miljon radera-/skrivcykler, datalagringstid över 200 år, ESD-skydd 4 000 V
- Industriellt temperaturområde -40 °C till +85 °C, 8-Lead SOIC
Användningsområden
- Lagring av konfigurations-, kalibrerings- och loggdata upp till 64 Kbyte i inbyggda system
- Applikationer som behöver snabb SPI-åtkomst, med klockfrekvens upp till 20 MHz
- System som delar in minnet i separat skyddade sektorer om 16 Kbyte
- Batteri- och lågeffektsapplikationer som utnyttjar Deep Power-down med 1 µA standbyström
- Produkter som elektroniskt ska identifiera minnet via elektronisk signatur
Certifieringar och standarder: RoHS
Databladet (DS20002021J) gäller enbart 25AA512; värdena avser suffix I och kapselkod SN. Standbyströmmen står utan enhetsprefix i textutdraget (1A); µA har antagits. Kapselkodens tolkning (SN = 8-Lead SOIC) följer Microchips standardbeteckning. Parningen av temperatur- och spänningsvillkor i DC-tabellen (0 °C vid 1,8 V, -40 °C vid 2,0 V) är tolkad ur tabellens layout i textutdraget. Utdraget innehåller inte instruktionsuppsättning eller AC-tabeller.
Tillverkarens artikelnummer 25AA512-I/SN. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.
Specifikationer
| Varumärke | Microchip Technology |
|---|---|
| Tillverkarens artikelnummer | 25AA512-I/SN |
| Artikelnummer | GB-5687 |
| Tillverkare | Microchip Technology |
| Produkttyp | Seriellt EEPROM med SPI-kompatibelt gränssnitt |
| Minneskapacitet | 512 Kbit |
| Organisation | 64K x 8 bitar |
| Sidstorlek | 128 byte |
| Matningsspänning VCC | 1,8 V till 5,5 V (se drifttemperatur) |
| Max klockfrekvens | 20 MHz |
| Skrivtid (byte och sida) | Max 5 ms |
| Raderingstider (typiskt) | Sidradering 5 ms, sektorradering 10 ms per sektor, bulkradering 10 ms |
| Skrivström | Max 7 mA vid 5,5 V |
| Läsström | 10 mA vid 5,5 V och 20 MHz |
| Standbyström | 1 µA vid 2,5 V (Deep Power-down) |
| Sektorskrivskydd | 16 Kbyte per sektor; inget, 1/4, 1/2 eller hela arrayen |
| Inbyggt skrivskydd | Skydd vid på-/avstängning av matningen, write enable-latch och WP-stift |
| Enhets-ID | Elektronisk signatur (Electronic Signature for Device ID) |
| Läsning | Sekventiell läsning |
| Uthållighet | 1 miljon radera-/skrivcykler |
| Datalagringstid | Över 200 år |
| ESD-skydd | 4 000 V |
| Drifttemperatur (suffix I) | -40 °C till +85 °C vid VCC = 2,0 V till 5,5 V; 0 °C till +85 °C vid VCC = 1,8 V till 5,5 V |
| Insignalnivåer | VIH 0,7 x VCC till VCC + 1 V; VIL -0,3 V till 0,3 x VCC (-0,3 V till 0,2 x VCC vid VCC under 2,7 V) |
| Kapsel | 8-Lead SOIC (kod SN) |
| Stiftordning | 1 CS, 2 SO, 3 WP, 4 VSS, 5 SI, 6 SCK, 7 HOLD, 8 VCC |
| Övriga kapslar i databladet | 8-Lead PDIP (P), SOIJ (SM) och DFN-S (MF) |
| Absolut max VCC | 6,5 V |
| Absolut max spänning på in-/utgångar mot VSS | -0,6 V till VCC + 1,0 V |
| Lagringstemperatur | -65 °C till 150 °C |
| Omgivningstemperatur med matning påslagen (absolut max) | -40 °C till 125 °C |
| Kategori | Minne & lagring |









Recensioner
Det finns inga recensioner än.