Microchip Technology
Microchip Technology 93AA56A-I/SN – minne/lagring · EEPROM 256×8 – 1.8V
Art.nr GB-5921 Tillv. nr 93AA56A-I/SN
93AA56A-I/SN är ett 2-Kbit Microwire-kompatibelt serie-EEPROM (256 x 8 bit) från Microchip Technology i 8-stifts SOIC. Matning 1,8 V till 5,5 V, treledarbuss (CS, CLK, DI, DO), Ready/Busy-status, självtidad auto-radering och industriellt temperaturområde -40 °C till +85 °C.
- 2 Kbit (256 x 8 bit), A-variant utan ORG-stift
- Microwire-kompatibel treledarbuss (CS, CLK, DI,
- Matningsspänning 1,8 V till 5,5 V
- Klockfrekvens 2 MHz (2,5 V till 5,5 V), 1 MHz (1
I lager (6 085 st)Leverans 1–3 vardagar
- Fri frakt över 2 000 kr
- 30 dagars öppet köp
- Faktura för företag
Frågor om produkten? info@gotbitab.com · Vardagar 08–17
Beskrivning
93AA56A-I/SN är ett lågspänt seriellt EEPROM på 2 Kbit med Microwire-kompatibelt treledargränssnitt från Microchip Technology. A-versionen har dedikerad 8-bitars organisation, 256 x 8 bit, och saknar ORG-stift. 93AA-varianterna arbetar med matningsspänning från 1,8 V till 5,5 V. Enligt databladets beställningsinformation (DS20001794J) anger I industriellt temperaturområde -40 °C till +85 °C och SN en 8-stifts plast-SOIC med 3,90 mm kroppsbredd.
Kretsen har självtidade raderings- och skrivcykler med automatisk radering, automatisk radering av hela minnet (ERAL) före skrivning av hela minnet (WRAL), skydd vid till- och frånslag av matningen, en statussignal (Ready/Busy) på DO och sekventiell läsning. Databladet anger uthållighet på 1 000 000 skriv-/raderingscykler, dataretention över 200 år, ESD-skydd över 4000 V och RoHS-kompatibilitet. CS är aktivt hög: hög nivå väljer kretsen och låg nivå avmarkerar den.
Teknik och prestanda
Minnet är organiserat som 256 x 8 bit. Familjens 93XX56B har 128 x 16 bit och 93XX56C väljer 8 eller 16 bitar med ORG-stiftet. Skriv- och raderingscykler är självtidade: efter sista adress- respektive databiten startar fallande flank på CS den interna cykeln (för 93AA och 93LC), och CLK behöver inte klockas under cykeln. Programcykeltiden (TWC) är högst 6 ms för 93AA- och 93LC-varianter. ERAL (TEC) tar högst 6 ms och WRAL (TWL) högst 15 ms vid 4,5 V till 5,5 V.
- Klockfrekvens för A-varianten: högst 2 MHz vid 2,5 V till 5,5 V och 1 MHz vid 1,8 V till 2,5 V. Gränsen 3 MHz vid 4,5 V till 5,5 V gäller endast 93XX56C.
- Strömförbrukning enligt DC-tabellen: skrivström högst 2 mA vid 3 MHz och 5,5 V (500 µA typiskt vid 2 MHz och 2,5 V), läsström högst 1 mA vid 3 MHz och 5,5 V, högst 500 µA vid 2 MHz och 3,0 V och 100 µA typiskt vid 2 MHz och 2,5 V, samt standbyström högst 1 µA (I-temperatur) respektive 5 µA (E-temperatur).
- Tidsparametrar för A-varianten vid 2,5 V till 5,5 V respektive 1,8 V till 2,5 V: klockans högtid 250 ns respektive 450 ns, klockans lågtid 200 ns respektive 450 ns samt data setup och data hold 100 ns respektive 250 ns. CS ska vara låg minst 250 ns mellan instruktioner. Utgångsdata är giltig högst 200 ns (4,5 V till 5,5 V), 250 ns (2,5 V till 4,5 V) respektive 400 ns (1,8 V till 2,5 V) efter klockflanken vid CL = 100 pF.
- Spänningsdetektering: alla funktioner spärras när VCC understiger typiskt 1,5 V.
Anslutningar och gränssnitt
Stiftordning för 8-stifts SOIC med standardstiftordning (ingen X i beteckningen):
- Stift 1: CS (chip select, aktiv hög)
- Stift 2: CLK (seriell klocka)
- Stift 3: DI (seriell dataingång)
- Stift 4: DO (seriell datautgång)
- Stift 5: VSS (jord)
- Stift 6: ORG/NC (ORG på C-varianter, ingen intern anslutning på A- och B-varianter)
- Stift 7: NC (ingen intern anslutning)
- Stift 8: VCC (matningsspänning)
En redan påbörjad programcykel slutförs även om CS går låg. Instruktioner, adresser och skrivdata klockas in på DI vid positiv flank på CLK, och data klockas ut på DO vid positiv flank. CLK kan stoppas var som helst i sekvensen. DO är högimpedant utom vid läsning och vid Ready/Busy-kontroll: om CS sätts hög efter minst 250 ns låg tid visar låg nivå på DO att programmeringen pågår och hög nivå att kretsen är redo. DO går till högimpedant läge vid fallande flank på CS. DI och DO kan kopplas ihop, men vid läsning kan en busskonflikt uppstå under den inledande dummy zero-biten om A0 är hög; ett motstånd mellan DI och DO begränsar då strömmen.
Kapseln är en 8-stifts plast-SOIC, 3,90 mm (.150 tum) kroppsbredd (SN), ritning C04-057-SN. Enligt databladet är stiftavståndet 1,27 mm, total bredd 6,00 mm, total längd 4,90 mm, total höjd högst 1,75 mm och avståndet mellan kropp och underlag 0,10 till 0,25 mm. Rekommenderat landmönster: kontaktavstånd 1,27 mm, avstånd mellan kontaktrader 5,40 mm och kontaktyta högst 0,60 mm bred och 1,55 mm lång.
Programvara och kompatibilitet
Instruktionerna för x8-organisation består av en startbit (1), en operationskod på 2 bitar samt adress- och databitar:
- READ (opkod 10, adress A7-A0): matar ut data på DO efter en dummy zero-bit; 20 klockcykler. Vid sekventiell läsning med CS hög går datat automatiskt vidare till nästa adress.
- WRITE (opkod 01, adress A7-A0, data D7-D0): 20 klockcykler; fallande flank på CS efter sista databiten startar automatisk radering och programmering.
- ERASE (opkod 11, adress A7-A0): sätter alla bitar på vald adress till 1; 12 klockcykler.
- ERAL (opkod 00, adressbitar 10): raderar hela minnet till 1; 12 klockcykler; kräver VCC ≥ 4,5 V.
- WRAL (opkod 00, adressbitar 01, data D7-D0): skriver samma data till hela minnet med inbyggd ERAL; 20 klockcykler; kräver VCC ≥ 4,5 V.
- EWEN (opkod 00, adressbitar 11) och EWDS (opkod 00, adressbitar 00): tillåter respektive spärrar skrivning och radering; 12 klockcykler.
Efter påslag är kretsen automatiskt i EWDS-läge, så en EWEN-instruktion måste ges före första ERASE eller WRITE. Skrivning och radering förblir tillåtna tills EWDS ges eller VCC tas bort, och READ påverkas inte av EWEN och EWDS. För extra skydd bör EWDS ges efter varje skrivning och en extern 10 kΩ pull-down-resistor läggas på CS. Startvillkoret detekteras när CS och DI båda är höga vid en positiv klockflank.
Databladet nämner AEC-Q100-kvalificering för familjen; bilvarianterna beställs med en variantkod (15KVAO eller 15KVXX) som saknas i den här artikelbeteckningen.
Egenskaper
- 2 Kbit (256 x 8 bit), A-variant utan ORG-stift
- Microwire-kompatibel treledarbuss (CS, CLK, DI, DO)
- Matningsspänning 1,8 V till 5,5 V
- Klockfrekvens 2 MHz (2,5 V till 5,5 V), 1 MHz (1,8 V till 2,5 V)
- Självtidad radering och skrivning med automatisk radering, högst 6 ms
- Ready/Busy-statussignal på DO
- ERAL, WRAL (med automatisk ERAL), EWEN och EWDS
- Sekventiell läsning
- Spärr av alla funktioner under typiskt 1,5 V VCC
- 1 000 000 skriv-/raderingscykler, dataretention över 200 år
- ESD-skydd över 4000 V
- Industriellt temperaturområde -40 °C till +85 °C; 8-stifts SOIC
Användningsområden
- Lågeffekts, icke-flyktiga minnesapplikationer (enligt databladets beskrivning)
- Lagring av parametrar och konfigurationsdata i system med Microwire-kompatibel treledarbuss
- System som arbetar vid låga matningsspänningar från 1,8 V
- Konstruktioner som behöver byteorganiserat minne (x8) på 256 byte
- Data som skyddas mot oavsiktlig skrivning med EWEN/EWDS och spänningsspärr
Certifieringar och standarder: RoHS
Databladet (DS20001794J) gäller familjen 93AA56A/B/C, 93LC56A/B/C och 93C56A/B/C. Värdena avser A-varianten (256 x 8 bit, utan ORG-stift) i 93AA-utförande; 3 MHz-gränsen vid 4,5 V till 5,5 V och ORG-funktionen gäller endast 93XX56C. DC-tabellen anger strömvärden vid 3 MHz, medan A-varianten enligt AC-tabellen är specificerad för högst 2 MHz. AEC-Q100-kvalificering gäller enligt databladet bilvarianter med variantkod (15KVAO/15KVXX), som saknas i den här beteckningen.
Tillverkarens artikelnummer 93AA56A-I/SN. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.
Specifikationer
| Varumärke | Microchip Technology |
|---|---|
| Tillverkarens artikelnummer | 93AA56A-I/SN |
| Artikelnummer | GB-5921 |
| Tillverkare | Microchip Technology |
| Produkttyp | Seriellt EEPROM, Microwire-kompatibelt |
| Minnesstorlek | 2 Kbit |
| Organisation | 256 x 8 bit (A-variant, ingen ORG-pin) |
| Gränssnitt | Treledarbuss: CS, CLK, DI, DO |
| Matningsspänning (VCC) | 1,8 V till 5,5 V |
| Klockfrekvens, högsta | 2 MHz (2,5 V till 5,5 V); 1 MHz (1,8 V till 2,5 V) |
| Programcykeltid (TWC) | Högst 6 ms (93AA och 93LC) |
| Tid för ERAL och WRAL | ERAL högst 6 ms; WRAL högst 15 ms (4,5 V till 5,5 V) |
| Skrivström | Högst 2 mA vid 3 MHz och 5,5 V; 500 µA typiskt vid 2 MHz och 2,5 V |
| Läsström | Högst 1 mA vid 3 MHz och 5,5 V; högst 500 µA vid 2 MHz och 3,0 V; 100 µA typiskt vid 2 MHz och 2,5 V |
| Standbyström | Högst 1 µA (I-temperatur); högst 5 µA (E-temperatur) |
| Skriv-/raderingscykler | 1 000 000 (+25 °C, VCC = 5,0 V) |
| Dataretention | Över 200 år |
| ESD-skydd | Över 4000 V |
| Dataskydd | Skydd vid till-/frånslag (spärr under typiskt 1,5 V VCC); skriv-/raderingsspärr med EWEN och EWDS |
| Statussignal | Ready/Busy på DO |
| Drifttemperatur | -40 °C till +85 °C (industriell, I) |
| Ingångsnivåer | VIH min 2,0 V (VCC ≥ 2,7 V) respektive 0,7 VCC (VCC under 2,7 V); VIL max 0,8 V respektive 0,2 VCC |
| Utgångsnivåer | VOL max 0,4 V (IOL = 2,1 mA, 4,5 V) och 0,2 V (IOL = 100 µA, 2,5 V); VOH min 2,4 V (IOH = -400 µA, 4,5 V) och VCC - 0,2 V (IOH = -100 µA, 2,5 V) |
| Läckström (ILI, ILO) | ±1 µA |
| Pinnkapacitans | Högst 7 pF |
| Absoluta maxvärden | VCC 7,0 V; ingångar/utgångar -0,6 V till VCC + 1,0 V; lagringstemperatur -65 °C till +150 °C; omgivningstemperatur med matning -40 °C till +125 °C; ESD 4 kV |
| Kapsel | 8-stifts plast-SOIC, 3,90 mm (.150 tum) kroppsbredd (SN) |
| Antal stift | 8 |
| Kapselmått | Längd 4,90 mm; bredd 6,00 mm; kroppsbredd 3,90 mm; höjd högst 1,75 mm; stiftavstånd 1,27 mm |
| Rekommenderat landmönster | Kontaktavstånd 1,27 mm; avstånd mellan kontaktrader 5,40 mm; kontaktyta högst 0,60 mm x 1,55 mm |
| Märkning, rad 1 | 93AA56AT, där T är temperaturkod (I eller E) |
| Kategori | Minne & lagring |




Recensioner
Det finns inga recensioner än.