Microchip Technology
Microchip Technology AT28C010E-12TU – minne/lagring · EEPROM IND TEMP GREEN PKG
Art.nr GB-5800 Tillv. nr AT28C010E-12TU
AT28C010E-12TU från Microchip (Atmel) är ett parallellt EEPROM på 1 Mbit (128K × 8) med 128-byte sidskrivning, 120 ns åtkomsttid och 5 V-matning, enligt artikelraden i industriellt temperaturområde och grön kapsel. Beskrivningen bygger på databladet för AT28C010-12DK; variantspecifika värden kan avvika.
- 1 Mbit (131 072 × 8 bit) parallellt EEPROM
- Åtkomsttid 120 ns
- 128-byte sidskrivning med intern kontrolltimer
- Skrivcykeltid max 10 ms, byteladdning max 150 µs
I lager (151 st)Leverans 1–3 vardagar
- Fri frakt över 2 000 kr
- 30 dagars öppet köp
- Faktura för företag
Frågor om produkten? info@gotbitab.com · Vardagar 08–17
Beskrivning
AT28C010E-12TU är ett parallellt EEPROM (elektriskt raderbart och programmerbart läsminne) på 1 Mbit, organiserat som 131 072 ord × 8 bit (128K × 8), med automatisk sidskrivning om upp till 128 byte. Läsåtkomsttiden är 120 ns. Enligt artikelraden har kretsen industriellt temperaturområde och grön kapsel. Kretsen är en Atmel-konstruktion som listas under varumärket Microchip Technology.
Observera underlaget: det bifogade databladet (Rev. 4259E–AERO–02/11) gäller AT28C010-12DK, en rymdkvalificerad variant i samma produktserie AT28C010, i 32-polig keramisk Flat Pack. Beskrivningen redovisar därför minnesarkitektur, skrivfunktioner och dataskydd enligt det databladet. Värden som är specifika för rymdvarianten – driftområde -55 till +125 °C, strålningsdata, skrivtålighet vid marknivå och kapselutförande – har utelämnats, eftersom de inte kan antas gälla AT28C010E-12TU, och bör kontrolleras mot tillverkarens datablad för just den artikeln.
Teknik och prestanda
- Minne: 1 Mbit, 131 072 ord × 8 bit, tillverkat i Atmels avancerade ickeflyktiga CMOS-teknik. Kretsen nås som ett statiskt RAM vid både läsning och skrivning, utan externa komponenter.
- Läsåtkomsttid: 120 ns. Effektförlusten anges i databladet till 275 mW.
- Sidskrivning: ett 128-byte sidregister tillåter att 1 till 128 byte skrivs under en enda intern programmeringsperiod. Adress och data låses internt, vilket frigör adress- och databussen, och en intern kontrolltimer slutför skrivningen. Skrivcykeltiden (tWC) är max 10 ms.
- Byteladdning: varje ytterligare byte måste skrivas inom 150 µs (tBLC) efter föregående, annars slutar kretsen ta emot data och startar den interna programmeringen. Alla byte i en sidskrivning måste ligga på samma sida (samma A7–A16); A0–A6 väljer byte i sidan.
- Matning och ström enligt DK-databladet: VDD 5 V ±10 % (4,5–5,5 V), aktiv ström max 50 mA vid 5 MHz och IOUT = 0 mA samt standbyström max 10 mA.
- Logiknivåer: VIL max 0,8 V, VIH min 2,0 V, VOL max 0,45 V (IOL = 2,1 mA) och VOH min 2,4 V. In- och utgångarna är CMOS- och TTL-kompatibla.
- Pinkapacitans (1 MHz, 25 °C): CIN typiskt 4 pF och max 10 pF, COUT typiskt 8 pF och max 12 pF.
- Absoluta maxvärden: ingångsspänningar (inklusive NC-stift) mot jord -0,6 V till +6,25 V, utgångsspänningar -0,6 V till VDD + 0,6 V samt spänning på OE och A9 -0,6 V till +13,5 V.
- Tillförlitlighet: intern felkorrigering ger utökad skrivtålighet och förbättrade dataretentionsegenskaper. Dataretentionen är 10 år.
Anslutningar och gränssnitt
Gränssnittet är parallellt och byte-brett med JEDEC-godkänd pinout: 17 adresslinjer (A0–A16), 8 bidirektionella data-I/O (I/O0–I/O7) och styrsignalerna CE (chip enable), OE (output enable) och WE (write enable). Dubbel styrning med CE och OE gör att konstruktören kan förhindra bussbråk (bus contention); utgångarna går till högimpedansläge när CE eller OE är hög.
Driftlägen: läsning (CE låg, OE låg, WE hög), skrivning (CE låg, OE hög, WE låg), standby (CE hög, utgångarna i högimpedansläge) och utgångsavstängning (OE hög). Skrivning spärras bland annat när CE är hög, OE låg eller WE hög. AC-skrivtider: adress- och OE-setup min 0 ns, adress-hold min 50 ns, chip select-setup och -hold min 0 ns, skrivpulsbredd (WE eller CE) min 100 ns, data-setup min 50 ns, data- och OE-hold min 0 ns samt skrivpulsbredd hög (tWPH) min 50 ns.
Programvara och kompatibilitet
- Skrivslutsdetektering: DATA Polling – en läsning av senast skriven byte ger komplementet av skriven data på I/O7 tills skrivningen är klar – eller Toggle Bit, där I/O6 växlar mellan 1 och 0 under skrivningen och slutar växla när den är klar. Båda kan användas när som helst under skrivcykeln.
- Maskinvaruskydd: skrivfunktionen spärras när VDD är under 3,8 V (typiskt); efter att VDD nått 3,8 V väntar kretsen 5 ms (typiskt) innan skrivning tillåts; skrivning hindras om OE är låg, CE hög eller WE hög; pulser kortare än 15 ns (typiskt) på WE eller CE startar ingen skrivcykel.
- Programvaruskydd (SDP): valfritt och aktiveras av värdsystemet med tre skrivkommandon (tre specifika byte till tre specifika adresser: AA till 5555, 55 till 2AAA och A0 till 5555). Skyddet är avaktiverat när kretsen lämnar tillverkaren, ligger kvar över spänningsavbrott och avaktiveras med en sekvens på sex kommandon (AA/5555, 55/2AAA, 80/5555, AA/5555, 55/2AAA, 20/5555). I skyddat läge kan data ändå skrivas genom att först ange samma tre kommandon.
- Enhetsidentifiering: ytterligare 128 byte EEPROM på adresserna 1FF80H–1FFFFH, åtkomliga när A9 höjs till 12 V ±0,5 V, för identifiering eller spårning.
- Chipradering: valfritt läge där hela kretsen raderas med en 6-byte programvarukod; databladet hänvisar till Atmels application note om Software Chip Erase.
Egenskaper
- 1 Mbit (131 072 × 8 bit) parallellt EEPROM
- Åtkomsttid 120 ns
- 128-byte sidskrivning med intern kontrolltimer
- Skrivcykeltid max 10 ms, byteladdning max 150 µs
- Matning 5 V ±10 % (4,5–5,5 V)
- DATA Polling (I/O7) och Toggle Bit (I/O6)
- Maskinvaru- och programvaruskydd (SDP)
- 128 byte extra EEPROM för identifiering och spårning
- Intern felkorrigering, dataretention 10 år
- CMOS- och TTL-kompatibla in-/utgångar
- JEDEC-godkänd byte-wide pinout
- Industriellt temperaturområde och grön kapsel (enligt artikelraden)
Användningsområden
- Icke-flyktigt program- eller konfigurationsminne på en parallell databuss i inbyggda system
- Lagring av parametrar och kalibreringsdata som skrivs om i drift, med snabb 128-byte sidskrivning och DATA Polling
- Lagring som kräver skydd mot oavsiktliga skrivningar vid spänningsövergångar (maskinvaru- och programvaruskydd)
- Enhetsidentifiering eller spårning med den extra 128-byte-ytan
- Konstruktioner som använder JEDEC byte-wide pinout för 128K × 8 EEPROM
Certifieringar och standarder: Grön kapsel (enligt artikelraden)
Det bifogade databladet (Rev. 4259E–AERO–02/11) avser AT28C010-12DK, en rymdkvalificerad variant i 32-polig keramisk Flat Pack (driftområde -55 till +125 °C, strålningsdata). Kapsel, temperaturområde, skrivtålighet (anges som ”5.104” cykler vid marknivå) och strålningsdata är därför inte angivna för AT28C010E-12TU; övriga värden kan avvika och bör verifieras mot databladet för rätt artikel.
Tillverkarens artikelnummer AT28C010E-12TU. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.
Specifikationer
| Varumärke | Microchip Technology |
|---|---|
| Tillverkarens artikelnummer | AT28C010E-12TU |
| Artikelnummer | GB-5800 |
| Databladsunderlag | AT28C010-12DK, Rev. 4259E–AERO–02/11 (rymdvariant, se notering) |
| Tillverkare | Microchip Technology (Atmel-konstruktion) |
| Minnestyp | Parallellt EEPROM med sidskrivning |
| Kapacitet | 1 Mbit |
| Organisation | 131 072 ord × 8 bit (128K × 8) |
| Åtkomsttid | 120 ns |
| Matningsspänning | 5 V ±10 % (4,5 V till 5,5 V) |
| Sidstorlek | 128 byte (1 till 128 byte per sidskrivning) |
| Skrivcykeltid (tWC) | max 10 ms |
| Byteladdningstid (tBLC) | max 150 µs |
| Adressering | A0–A16 (byte i sidan A0–A6, sidadress A7–A16) |
| Skrivpulsbredd (tWP) | min 100 ns |
| Data-setup (tDS) | min 50 ns |
| Skrivslutsdetektering | DATA Polling (I/O7) och Toggle Bit (I/O6) |
| Dataskydd | Maskinvaruskydd och programvaruskydd (SDP, avaktiverat från tillverkaren) |
| Extra EEPROM-yta | 128 byte för identifiering, 1FF80H–1FFFFH (A9 = 12 V ±0,5 V) |
| Dataretention | 10 år |
| Aktiv ström (DK-databladet) | max 50 mA (5 MHz, IOUT = 0 mA) |
| Standbyström (DK-databladet) | max 10 mA |
| Effektförlust (DK-databladet) | 275 mW |
| Ingångsnivåer | VIL max 0,8 V; VIH min 2,0 V |
| Utgångsnivåer | VOL max 0,45 V (IOL = 2,1 mA); VOH min 2,4 V |
| Pinkapacitans (1 MHz, 25 °C) | CIN typ. 4 pF / max 10 pF; COUT typ. 8 pF / max 12 pF |
| In-/utgångar | CMOS- och TTL-kompatibla |
| Pinout | JEDEC-godkänd byte-wide |
| Temperaturklass | Industriell (enligt artikelraden); värde ej angivet i bifogat datablad |
| Kapselutförande | Grön (enligt artikelraden); kapseltyp ej angiven i bifogat datablad |
| Kategori | Minne & lagring |





Recensioner
Det finns inga recensioner än.