Microchip Technology

Microchip Technology AT28C010E-12TU – minne/lagring · EEPROM IND TEMP GREEN PKG

Art.nr GB-5800 Tillv. nr AT28C010E-12TU

AT28C010E-12TU från Microchip (Atmel) är ett parallellt EEPROM på 1 Mbit (128K × 8) med 128-byte sidskrivning, 120 ns åtkomsttid och 5 V-matning, enligt artikelraden i industriellt temperaturområde och grön kapsel. Beskrivningen bygger på databladet för AT28C010-12DK; variantspecifika värden kan avvika.

  • 1 Mbit (131 072 × 8 bit) parallellt EEPROM
  • Åtkomsttid 120 ns
  • 128-byte sidskrivning med intern kontrolltimer
  • Skrivcykeltid max 10 ms, byteladdning max 150 µs
671 kr

I lager (151 st)Leverans 1–3 vardagar

Datablad (PDF)
  • Fri frakt över 2 000 kr
  • 30 dagars öppet köp
  • Faktura för företag

Frågor om produkten? info@gotbitab.com · Vardagar 08–17

Beskrivning

AT28C010E-12TU är ett parallellt EEPROM (elektriskt raderbart och programmerbart läsminne) på 1 Mbit, organiserat som 131 072 ord × 8 bit (128K × 8), med automatisk sidskrivning om upp till 128 byte. Läsåtkomsttiden är 120 ns. Enligt artikelraden har kretsen industriellt temperaturområde och grön kapsel. Kretsen är en Atmel-konstruktion som listas under varumärket Microchip Technology.

Observera underlaget: det bifogade databladet (Rev. 4259E–AERO–02/11) gäller AT28C010-12DK, en rymdkvalificerad variant i samma produktserie AT28C010, i 32-polig keramisk Flat Pack. Beskrivningen redovisar därför minnesarkitektur, skrivfunktioner och dataskydd enligt det databladet. Värden som är specifika för rymdvarianten – driftområde -55 till +125 °C, strålningsdata, skrivtålighet vid marknivå och kapselutförande – har utelämnats, eftersom de inte kan antas gälla AT28C010E-12TU, och bör kontrolleras mot tillverkarens datablad för just den artikeln.

Teknik och prestanda

  • Minne: 1 Mbit, 131 072 ord × 8 bit, tillverkat i Atmels avancerade ickeflyktiga CMOS-teknik. Kretsen nås som ett statiskt RAM vid både läsning och skrivning, utan externa komponenter.
  • Läsåtkomsttid: 120 ns. Effektförlusten anges i databladet till 275 mW.
  • Sidskrivning: ett 128-byte sidregister tillåter att 1 till 128 byte skrivs under en enda intern programmeringsperiod. Adress och data låses internt, vilket frigör adress- och databussen, och en intern kontrolltimer slutför skrivningen. Skrivcykeltiden (tWC) är max 10 ms.
  • Byteladdning: varje ytterligare byte måste skrivas inom 150 µs (tBLC) efter föregående, annars slutar kretsen ta emot data och startar den interna programmeringen. Alla byte i en sidskrivning måste ligga på samma sida (samma A7–A16); A0–A6 väljer byte i sidan.
  • Matning och ström enligt DK-databladet: VDD 5 V ±10 % (4,5–5,5 V), aktiv ström max 50 mA vid 5 MHz och IOUT = 0 mA samt standbyström max 10 mA.
  • Logiknivåer: VIL max 0,8 V, VIH min 2,0 V, VOL max 0,45 V (IOL = 2,1 mA) och VOH min 2,4 V. In- och utgångarna är CMOS- och TTL-kompatibla.
  • Pinkapacitans (1 MHz, 25 °C): CIN typiskt 4 pF och max 10 pF, COUT typiskt 8 pF och max 12 pF.
  • Absoluta maxvärden: ingångsspänningar (inklusive NC-stift) mot jord -0,6 V till +6,25 V, utgångsspänningar -0,6 V till VDD + 0,6 V samt spänning på OE och A9 -0,6 V till +13,5 V.
  • Tillförlitlighet: intern felkorrigering ger utökad skrivtålighet och förbättrade dataretentionsegenskaper. Dataretentionen är 10 år.

Anslutningar och gränssnitt

Gränssnittet är parallellt och byte-brett med JEDEC-godkänd pinout: 17 adresslinjer (A0–A16), 8 bidirektionella data-I/O (I/O0–I/O7) och styrsignalerna CE (chip enable), OE (output enable) och WE (write enable). Dubbel styrning med CE och OE gör att konstruktören kan förhindra bussbråk (bus contention); utgångarna går till högimpedansläge när CE eller OE är hög.

Driftlägen: läsning (CE låg, OE låg, WE hög), skrivning (CE låg, OE hög, WE låg), standby (CE hög, utgångarna i högimpedansläge) och utgångsavstängning (OE hög). Skrivning spärras bland annat när CE är hög, OE låg eller WE hög. AC-skrivtider: adress- och OE-setup min 0 ns, adress-hold min 50 ns, chip select-setup och -hold min 0 ns, skrivpulsbredd (WE eller CE) min 100 ns, data-setup min 50 ns, data- och OE-hold min 0 ns samt skrivpulsbredd hög (tWPH) min 50 ns.

Programvara och kompatibilitet

  • Skrivslutsdetektering: DATA Polling – en läsning av senast skriven byte ger komplementet av skriven data på I/O7 tills skrivningen är klar – eller Toggle Bit, där I/O6 växlar mellan 1 och 0 under skrivningen och slutar växla när den är klar. Båda kan användas när som helst under skrivcykeln.
  • Maskinvaruskydd: skrivfunktionen spärras när VDD är under 3,8 V (typiskt); efter att VDD nått 3,8 V väntar kretsen 5 ms (typiskt) innan skrivning tillåts; skrivning hindras om OE är låg, CE hög eller WE hög; pulser kortare än 15 ns (typiskt) på WE eller CE startar ingen skrivcykel.
  • Programvaruskydd (SDP): valfritt och aktiveras av värdsystemet med tre skrivkommandon (tre specifika byte till tre specifika adresser: AA till 5555, 55 till 2AAA och A0 till 5555). Skyddet är avaktiverat när kretsen lämnar tillverkaren, ligger kvar över spänningsavbrott och avaktiveras med en sekvens på sex kommandon (AA/5555, 55/2AAA, 80/5555, AA/5555, 55/2AAA, 20/5555). I skyddat läge kan data ändå skrivas genom att först ange samma tre kommandon.
  • Enhetsidentifiering: ytterligare 128 byte EEPROM på adresserna 1FF80H–1FFFFH, åtkomliga när A9 höjs till 12 V ±0,5 V, för identifiering eller spårning.
  • Chipradering: valfritt läge där hela kretsen raderas med en 6-byte programvarukod; databladet hänvisar till Atmels application note om Software Chip Erase.

Egenskaper

  • 1 Mbit (131 072 × 8 bit) parallellt EEPROM
  • Åtkomsttid 120 ns
  • 128-byte sidskrivning med intern kontrolltimer
  • Skrivcykeltid max 10 ms, byteladdning max 150 µs
  • Matning 5 V ±10 % (4,5–5,5 V)
  • DATA Polling (I/O7) och Toggle Bit (I/O6)
  • Maskinvaru- och programvaruskydd (SDP)
  • 128 byte extra EEPROM för identifiering och spårning
  • Intern felkorrigering, dataretention 10 år
  • CMOS- och TTL-kompatibla in-/utgångar
  • JEDEC-godkänd byte-wide pinout
  • Industriellt temperaturområde och grön kapsel (enligt artikelraden)

Användningsområden

  • Icke-flyktigt program- eller konfigurationsminne på en parallell databuss i inbyggda system
  • Lagring av parametrar och kalibreringsdata som skrivs om i drift, med snabb 128-byte sidskrivning och DATA Polling
  • Lagring som kräver skydd mot oavsiktliga skrivningar vid spänningsövergångar (maskinvaru- och programvaruskydd)
  • Enhetsidentifiering eller spårning med den extra 128-byte-ytan
  • Konstruktioner som använder JEDEC byte-wide pinout för 128K × 8 EEPROM

Certifieringar och standarder: Grön kapsel (enligt artikelraden)

Det bifogade databladet (Rev. 4259E–AERO–02/11) avser AT28C010-12DK, en rymdkvalificerad variant i 32-polig keramisk Flat Pack (driftområde -55 till +125 °C, strålningsdata). Kapsel, temperaturområde, skrivtålighet (anges som ”5.104” cykler vid marknivå) och strålningsdata är därför inte angivna för AT28C010E-12TU; övriga värden kan avvika och bör verifieras mot databladet för rätt artikel.

Tillverkarens artikelnummer AT28C010E-12TU. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.

Specifikationer

VarumärkeMicrochip Technology
Tillverkarens artikelnummerAT28C010E-12TU
ArtikelnummerGB-5800
DatabladsunderlagAT28C010-12DK, Rev. 4259E–AERO–02/11 (rymdvariant, se notering)
TillverkareMicrochip Technology (Atmel-konstruktion)
MinnestypParallellt EEPROM med sidskrivning
Kapacitet1 Mbit
Organisation131 072 ord × 8 bit (128K × 8)
Åtkomsttid120 ns
Matningsspänning5 V ±10 % (4,5 V till 5,5 V)
Sidstorlek128 byte (1 till 128 byte per sidskrivning)
Skrivcykeltid (tWC)max 10 ms
Byteladdningstid (tBLC)max 150 µs
AdresseringA0–A16 (byte i sidan A0–A6, sidadress A7–A16)
Skrivpulsbredd (tWP)min 100 ns
Data-setup (tDS)min 50 ns
SkrivslutsdetekteringDATA Polling (I/O7) och Toggle Bit (I/O6)
DataskyddMaskinvaruskydd och programvaruskydd (SDP, avaktiverat från tillverkaren)
Extra EEPROM-yta128 byte för identifiering, 1FF80H–1FFFFH (A9 = 12 V ±0,5 V)
Dataretention10 år
Aktiv ström (DK-databladet)max 50 mA (5 MHz, IOUT = 0 mA)
Standbyström (DK-databladet)max 10 mA
Effektförlust (DK-databladet)275 mW
IngångsnivåerVIL max 0,8 V; VIH min 2,0 V
UtgångsnivåerVOL max 0,45 V (IOL = 2,1 mA); VOH min 2,4 V
Pinkapacitans (1 MHz, 25 °C)CIN typ. 4 pF / max 10 pF; COUT typ. 8 pF / max 12 pF
In-/utgångarCMOS- och TTL-kompatibla
PinoutJEDEC-godkänd byte-wide
TemperaturklassIndustriell (enligt artikelraden); värde ej angivet i bifogat datablad
KapselutförandeGrön (enligt artikelraden); kapseltyp ej angiven i bifogat datablad
KategoriMinne & lagring

Recensioner

Recensioner

Det finns inga recensioner än.

Bli först med att recensera ”Microchip Technology AT28C010E-12TU – minne/lagring · EEPROM IND TEMP GREEN PKG”

Din e-postadress kommer inte publiceras. Obligatoriska fält är märkta *