Microchip Technology AT28HC256E-12SU – minne/lagring

AT28HC256E-12SU är ett snabbt parallellt EEPROM (elektriskt raderbart och programmerbart läsminne) på 256 kbit, organiserat som 32 768 ord × 8 bit. Enligt Microchips beställningskodsystem anger beteckningen alternativet E med 100K utökad skrivtålighet, hastighetsklassen 120 ns (-12), 28-polig 0,300 tum bred plast-SOIC med gull wing-ben (S) samt industriellt temperaturområde -40 °C till +85 °C med 100 % matt tenn som ytbehandling (U).

Kretsen nås som ett statiskt RAM, utan externa komponenter, vid både läsning och skrivning. Ett 64-byte sidregister gör att upp till 64 byte kan skrivas samtidigt: adress och data låses internt, vilket frigör adress- och databussen, och en intern kontrolltimer slutför skrivningen automatiskt. Databladet beskriver dessutom intern felkorrigering för utökad skrivtålighet och bättre dataretention samt både maskinvaru- och programvaruskydd mot oavsiktliga skrivningar. Kapseln finns endast i grönt (RoHS-kompatibelt) utförande.

Teknik och prestanda

• Minne: 256 kbit, 32 768 ord × 8 bit, tillverkat i Microchips ickeflyktiga CMOS-teknik. Effektförlusten är enligt databladet endast 440 mW.
• Åtkomsttider för klassen -12: tACC max 120 ns, tCE max 120 ns, tOE max 50 ns, tDF max 50 ns och tOH min 0 ns. Familjens snabbaste klass är -70 med 70 ns.
• Skrivning: 64-byte sidskrivning med skrivcykeltid (tWC) max 10 ms för standardutförandet (F-varianten max 3 ms) och byteladdningstid (tBLC) max 150 µs. Skrivtåligheten är 100 000 cykler för E-alternativet (10 000 för standardutförandet) och dataretentionen 10 år.
• Ström: aktiv ström (ICC) max 80 mA vid 5 MHz och IOUT = 0 mA. Standbyström max 3 mA vid TTL-nivå (CE = 2,0 V till VCC) och max 300 µA vid CMOS-nivå (CE = VCC – 0,3 V till VCC) för klasserna -90 och -12.
• Logiknivåer: VIL max 0,8 V, VIH min 2,0 V, VOL max 0,45 V (IOL = 6,0 mA) och VOH min 2,4 V (IOH = -4 mA). In- och utgångsläckström max 10 µA vardera.

Anslutningar och gränssnitt

Gränssnittet är parallellt och byte-brett enligt JEDEC-godkänd pinout, med 15 adresslinjer (A0–A14), 8 data-I/O (I/O0–I/O7) och styrsignalerna CE (chip enable), OE (output enable) och WE (write enable). In- och utgångarna är CMOS- och TTL-kompatibla. I den 28-poliga SOIC-kapseln sitter VCC på stift 28 och GND på stift 14, medan CE är stift 20, OE stift 22 och WE stift 27.

Driftlägen: läsning (CE låg, OE låg, WE hög), skrivning (CE låg, OE hög, WE låg), standby och skrivspärr (CE hög, utgångarna i högimpedansläge), utgångsavstängning (OE hög) samt chipradering (CE låg, OE = VH 12,0 V ±0,5 V, WE låg). Vid sidskrivning väljer A0–A5 byte i sidan och A6–A14 sidadressen. AC-skrivtider: setup min 0 ns, adress-hold min 50 ns, skrivpulsbredd min 100 ns, data-setup min 50 ns, data-hold min 0 ns och skrivpulsbredd hög min 50 ns.

Programvara och kompatibilitet

• Skrivslutsdetektering: DATA Polling (en läsning av senast skriven byte ger komplementet av skriven data på I/O7 tills cykeln är klar) eller Toggle Bit (I/O6 växlar mellan 1 och 0 under skrivningen).
• Maskinvaruskydd: skrivning spärras när VCC är under 3,8 V (typiskt); efter att VCC nått 3,8 V väntar kretsen 5 ms (typiskt) innan skrivning tillåts; skrivning hindras om OE är låg, CE hög eller WE hög; pulser kortare än 15 ns (typiskt) på WE eller CE startar ingen skrivcykel.
• Programvaruskydd (SDP): aktiveras med tre skrivkommandon (AA till adress 5555, 55 till 2AAA och A0 till 5555), är avaktiverat när kretsen lämnar tillverkaren och ligger kvar över spänningsavbrott. Det avaktiveras med en sekvens på sex kommandon (AA/5555, 55/2AAA, 80/5555, AA/5555, 55/2AAA, 20/5555).
• Enhetsidentifiering: 64 extra byte EEPROM på adresserna 7FC0H–7FFFH, åtkomliga när A9 höjs till 12 V ±0,5 V.
• Chipradering: valfritt läge med en 6-byte programvarukod (application note AN0544, Software Chip Erase) eller via maskinvara med VH = 12,0 V ±0,5 V på OE; tS och tH min 5 µs, tW min 10 ms.
• Kompatibilitet: AT28HC256 finns i hastighetsklasserna 70, 90 och 120 ns och med alternativen E (100K skrivcykler) och F (3 ms skrivcykel); alla använder JEDEC byte-wide pinout.

Egenskaper

• 256 kbit (32 768 × 8) parallellt EEPROM
• Åtkomsttid 120 ns (klass -12)
• 64-byte sidskrivning med automatisk intern timer
• Skrivcykeltid max 10 ms (standardvärde), byteladdning max 150 µs
• Skrivtålighet 100 000 cykler (E-alternativ), dataretention 10 år
• Matning 5 V ±10 %, aktiv ström max 80 mA
• Standbyström max 3 mA (TTL) och 300 µA (CMOS)
• DATA Polling (I/O7) och Toggle Bit (I/O6)
• Maskinvaru- och programvaruskydd (SDP)
• 64 byte extra EEPROM för identifiering
• 28-polig SOIC, industriellt -40 °C till +85 °C
• CMOS- och TTL-kompatibla in-/utgångar, JEDEC byte-wide pinout

Användningsområden

• Icke-flyktigt program- och konfigurationsminne på en parallell databuss i industriella och inbyggda system
• Parametrar och kalibreringsdata som skrivs om ofta, tack vare 100 000 skrivcykler (E-alternativ) och sidskrivning
• System som kräver skydd mot oavsiktliga skrivningar vid spänningsövergångar
• Lagring av enhetsidentitet eller spårningsdata i de extra 64 byten
• Konstruktioner som använder JEDEC byte-wide pinout för 32K × 8 EEPROM

Certifieringar och standarder: RoHS-kompatibel kapsel (Green)

Databladet gäller hela AT28HC256-familjen. E-alternativet listas i databladets exempel bara för 70 och 90 ns; -12SU är tolkad enligt beställningskodsystemet, och tWC för E anges inte separat (standardvärdet 10 ms visas). ”883c” i artikelraden stöds inte av databladet och är inte medtaget.

Tillverkarens artikelnummer AT28HC256E-12SU. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.