Microchip Technology AT28HC64B-12SU – minne/lagring

AT28HC64B-12SU är ett snabbt parallellt EEPROM (elektriskt raderbart och programmerbart läsminne) på 64 kbit, organiserat som 8 192 ord × 8 bit, med sidskrivning och programvarubaserat dataskydd (SDP). Enligt Microchips beställningskodsystem anger beteckningen 64 kbit (64), revision B, standardutförande med 10 ms skrivcykel (utan F), hastighetsklassen 120 ns (-12), 28-polig 0,300 tum bred plast-SOIC med gull wing-ben (S) samt industriellt temperaturområde -40 °C till +85 °C med 100 % matt tenn som ytbehandling (U).

Kretsen nås som ett statiskt RAM, utan externa komponenter, vid både läsning och skrivning. Ett 64-byte sidregister gör att upp till 64 byte kan skrivas samtidigt: adresser och data låses internt, vilket frigör adress- och databussen, och en intern kontrolltimer slutför skrivningen automatiskt. Slutet på skrivcykeln kan avkännas med DATA Polling på I/O7 eller med Toggle Bit på I/O6. Effektförlusten är enligt databladet endast 220 mW och CMOS-standbyströmmen är under 100 µA. Kapseln finns endast i grönt (RoHS-kompatibelt) utförande.

Teknik och prestanda

• Minne: 64 kbit, 8 192 ord × 8 bit, tillverkat i Microchips ickeflyktiga CMOS-teknik.
• Åtkomsttider för klassen -12 (120 ns): tACC max 120 ns, tCE max 120 ns, tOE max 50 ns, tDF max 50 ns och tOH min 0 ns. AT28HC64B finns även i klasserna 70 och 90 ns.
• Skrivning: 64-byte sidskrivning med skrivcykeltid (tWC) max 10 ms för AT28HC64B (AT28HC64BF max 2 ms) och byteladdningstid (tBLC) max 150 µs. Skrivtåligheten är 100 000 cykler och dataretentionen 10 år.
• Ström: aktiv ström (ICC) max 40 mA vid 5 MHz och IOUT = 0 mA. Standbyström max 100 µA vid CE = VCC – 0,3 V till VCC + 1 V och max 2 mA vid CE = 2,0 V till VCC + 1 V.
• Logiknivåer: VIL max 0,8 V, VIH min 2,0 V, VOL max 0,4 V (IOL = 2,1 mA) och VOH min 2,4 V (IOH = -400 µA). In- och utgångsläckström max 10 µA vardera.

Anslutningar och gränssnitt

Gränssnittet är parallellt och byte-brett enligt JEDEC-godkänd pinout, med 13 adresslinjer (A0–A12), 8 data-I/O (I/O0–I/O7) och styrsignalerna CE (chip enable), OE (output enable) och WE (write enable). In- och utgångarna är CMOS- och TTL-kompatibla. I den 28-poliga SOIC-kapseln sitter VCC på stift 28 och GND på stift 14, medan CE är stift 20, OE stift 22 och WE stift 27. Stift 1 och 26 är NC.

Driftlägen: läsning (CE låg, OE låg, WE hög), skrivning (CE låg, OE hög, WE låg), standby och skrivspärr (CE hög, utgångarna i högimpedansläge), utgångsavstängning (OE hög) samt chipradering (CE låg, OE = VH 12,0 V ±0,5 V, WE låg). Vid sidskrivning väljer A0–A5 byte i sidan och A6–A12 sidadressen. AC-skrivtider: setup min 0 ns, adress-hold min 50 ns, skrivpulsbredd min 100 ns, data-setup min 50 ns, data-hold min 0 ns och skrivpulsbredd hög min 50 ns vid sidskrivning.

Programvara och kompatibilitet

• Skrivslutsdetektering: DATA Polling (en läsning av senast skriven byte ger komplementet av skriven data på I/O7 tills cykeln är klar) eller Toggle Bit (I/O6 växlar mellan 1 och 0 under skrivningen).
• Maskinvaruskydd: skrivning spärras när VCC är under 3,8 V (typiskt); efter att VCC nått 3,8 V väntar kretsen 5 ms (typiskt) innan skrivning tillåts; skrivning hindras om OE är låg, CE hög eller WE hög; pulser kortare än 15 ns (typiskt) på WE eller CE startar ingen skrivcykel.
• Programvaruskydd (SDP): aktiveras med tre skrivkommandon (AA till adress 1555, 55 till 0AAA och A0 till 1555), är avaktiverat när kretsen lämnar tillverkaren och ligger kvar över spänningsavbrott. Det avaktiveras med en sekvens på sex kommandon (AA/1555, 55/0AAA, 80/1555, AA/1555, 55/0AAA, 20/1555).
• Enhetsidentifiering: 64 extra byte EEPROM på adresserna 1FC0H–1FFFH, åtkomliga när A9 höjs till 12 V ±0,5 V.
• Chipradering: sker i driftläget Chip Erase (CE låg, OE = VH 12,0 V ±0,5 V, WE låg) med tS och tH min 5 µs och tW min 10 ms.
• Kompatibilitet: databladet gäller både AT28HC64B och AT28HC64BF (120 ns, skrivcykel max 2 ms); båda använder JEDEC byte-wide pinout.

Egenskaper

• 64 kbit (8 192 × 8) parallellt EEPROM
• Åtkomsttid 120 ns (klass -12)
• 64-byte sidskrivning med automatisk intern timer
• Skrivcykeltid max 10 ms, byteladdning max 150 µs
• Skrivtålighet 100 000 cykler, dataretention 10 år
• Matning 5 V ±10 %, aktiv ström max 40 mA
• CMOS-standbyström max 100 µA
• DATA Polling (I/O7) och Toggle Bit (I/O6)
• Maskinvaru- och programvaruskydd (SDP)
• 64 byte extra EEPROM för identifiering
• 28-polig SOIC, industriellt -40 °C till +85 °C
• CMOS- och TTL-kompatibla in-/utgångar, JEDEC byte-wide pinout

Användningsområden

• Icke-flyktigt program- och konfigurationsminne på en parallell databuss i industriella och inbyggda system
• Parametrar och kalibreringsdata som skrivs om ofta, tack vare 100 000 skrivcykler och sidskrivning
• System som kräver skydd mot oavsiktliga skrivningar vid spänningsövergångar
• Lagring av enhetsidentitet eller spårningsdata i de extra 64 byten
• Konstruktioner som använder JEDEC byte-wide pinout för 8K × 8 EEPROM

Certifieringar och standarder: RoHS-kompatibel kapsel (Green)

Artikelraden anger ”1M”, men databladet (AT28HC64B/AT28HC64BF) anger 64 kbit (8 192 × 8) och har använts. Funktionslistan nämner 70 ns för AT28HC64B, men klassen -12 har 120 ns enligt databladets AC-tabell och beställningskodsystem.

Tillverkarens artikelnummer AT28HC64B-12SU. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.