SST25PF040C-40I/MF är ett seriellt flashminne med 4 Mbit (512 Kbyte) från Microchip Technology, tillverkat med företagets SuperFlash-teknik i CMOS. Enligt databladet ger den delade gate-cellen (split-gate) och tunnlingsinjektorn med tjockt oxid bättre tillförlitlighet och tillverkningsbarhet än alternativa metoder. Kretsen tillhör Serial Flash 25-serien och har ett fyrtrådigt SPI-kompatibelt gränssnitt, vilket ger få stift och litet kortutrymme. Läsning, programmering och radering sker med en enda matningsspänning på 2,3 V till 3,6 V.
Beteckningen -40I/MF betyder 40 MHz driftfrekvens, industriellt temperaturområde (-40 °C till +85 °C) och kapseln MF, en 8-kontakts WDFN med 5 x 6 mm kropp. Databladet anger att SuperFlash-tekniken använder mindre ström vid programmering och har kortare raderingstid än alternativa flashtekniker, så att den totala energin vid radering eller programmering blir lägre. Kretsen stöder SPI-lägena 0 och 3 samt Dual Output och Dual I/O för snabbare läsning.
Teknik och prestanda
- Minne: 4 Mbit, organiserat som 128 enhetliga sektorer om 4 Kbyte och åtta raderbara 64 Kbyte-block. Adressrymden är 000000H till 07FFFFH.
- Klockfrekvens: upp till 40 MHz för High-Speed Read (0BH), Fast-Read Dual Output (3BH) och Fast-Read Dual I/O (BBH). Den vanliga Read-instruktionen (03H) är begränsad till 25 MHz.
- Strömförbrukning: typisk aktiv läsström 5 mA, typisk standbyström 5 µA och typisk standbyström i djupt strömsparläge 3 µA. Maxvärden är 6 mA vid 25 MHz, 10 mA vid 40 MHz och 12 mA vid 40 MHz Dual I/O för läsning, 15 mA för programmering och radering, 50 µA för standby och 10 µA för djupt strömsparläge.
- Programmering: Page Program skriver 1 till 256 byte, typiskt 4 ms och högst 5 ms per sida. Sidans data måste vara raderad (FFH) innan programmering.
- Radering: sektor typiskt 40 ms (högst 150 ms), 64 Kbyte-block typiskt 80 ms (högst 250 ms) och hela kretsen typiskt 250 ms (högst 2 s).
- Tillförlitlighet: 100 000 radera-/programmeringscykler (JEDEC A117), 100 000 skrivcykler för STATUS-registret och datalagring i minst 20 år (JEDEC A103).
- Uppstart: databladets specifikationer gäller för en VDD-ramp snabbare än 1 V per 100 ms. Minst 100 µs krävs från VDD min till läs- eller skrivoperation, och en avkopplingskondensator på 0,1 µF mellan VDD och VSS ska finnas vid varje krets.
- Skyddsfunktioner: kretsen har återställning vid påslag, och Microchip garanterar inte data vid ett ögonblickligt strömavbrott under skrivning. Mjukvaruskyddet gör att kommandon inte känns igen om stigande CE#-flank inte sammanfaller med en hel buscykel (8 klockpulser), om Page Program-data inte ligger i hela byte eller om WRSR matas in över två buscykler eller mer.
Anslutningar och gränssnitt
SPI-bussen består av chipval (CE#), seriell klocka (SCK), datain (SI) och datautgång (SO). Instruktioner, adresser och data skiftas in med mest signifikanta bit först och latchas vid stigande flank på SCK, medan data skiftas ut vid fallande flank. I Dual I/O-läge används SI/SIO0 och SO/SIO1 för att överföra två bitar per klockpuls. CE# måste vara låg under hela instruktionen, och kretsen är avvald och i standby när CE# är hög.
Stiftordning i 8-kontakts WDFN (samma som SOIC och USON):
- Stift 1: CE# (chipval)
- Stift 2: SO/SIO1 (datautgång, Dual I/O)
- Stift 3: WP# (skrivskydd)
- Stift 4: VSS (jord)
- Stift 5: SI/SIO0 (datain, Dual I/O)
- Stift 6: SCK (seriell klocka)
- Stift 7: HOLD# (paus)
- Stift 8: VDD (matning, 2,3 V till 3,6 V)
HOLD# pausar en pågående seriell sekvens utan att välja bort kretsen; SO blir då högimpedant. WP# aktiverar låsfunktionen för bit BPL i STATUS-registret: när WP# är låg och BPL är 1 ignoreras instruktionen WRSR, och när WP# är hög är låsfunktionen avstängd. Kapselmåtten och lödmönstret finns i specifikationerna nedan.
Programvara och kompatibilitet
Varje buscykel för kommando, adress och data är 8 bitar. WREN (06H) måste ges före sektorradering, blockradering, Page Program, WRSR och chipradering, och skrivaktiveringsbiten WEL (Write Enable Latch) nollställs automatiskt när operationen är klar. Slutförd operation kontrolleras genom att läsa BUSY-biten i STATUS-registret med RDSR (05H). Instruktionsuppsättningen:
- Read 03H, High-Speed Read 0BH, Fast-Read Dual Output 3BH och Fast-Read Dual I/O BBH, med automatisk adressinkrementering och återgång till adress 000000H efter 07FFFFH.
- Sector Erase 20H eller D7H, 64-Kbyte Block Erase D8H och Chip Erase 60H eller C7H.
- Page Program 02H, RDSR 05H, WRSR 01H, WREN 06H och WRDI 04H.
- Read-ID ABH (enhets-ID 6EH) och JEDEC Read-ID 9FH, som returnerar 62H, 06H, 13H och 00H.
- Deep Power-Down B9H och Release from Deep Power-Down ABH.
Skrivskyddet styrs av bitarna BP0, BP1, BP2, TB och BPL, som är icke-flyktiga. Skyddsnivåerna omfattar 1/8, 1/4 eller 1/2 av minnet i toppen eller botten samt hela minnet. Chipradering kan bara utföras när alla blockskyddsbitar är 0, och program- eller raderkommandon mot skyddat område ignoreras.
Egenskaper
- 4 Mbit (512 Kbyte) SPI-flash med SuperFlash-teknik
- Enkel matningsspänning 2,3 V till 3,6 V för läsning och skrivning
- Klockfrekvens upp till 40 MHz, SPI-läge 0 och 3
- Dual Output (3BH) och Dual I/O (BBH) för snabbare läsning
- Enhetliga 4 Kbyte-sektorer och 64 Kbyte-block
- Page Program på 256 byte, typiskt 4 ms
- Sektorradering typiskt 40 ms, chipradering typiskt 250 ms
- Typisk aktiv läsström 5 mA och standbyström 5 µA
- Djupt strömsparläge med typiskt 3 µA
- Skrivskydd via BP-bitar i STATUS-registret samt WP#-stift och HOLD#-stift
- 100 000 cykler och datalagring i minst 20 år
- 8-kontakts WDFN (5 x 6 mm), industriellt temperaturområde -40 °C till +85 °C, RoHS
Användningsområden
- Lagring av firmware och bootkod för inbyggda system med SPI-gränssnitt
- Parameter-, konfigurations- och loggdata som uppdateras i små delar tack vare 4 Kbyte-sektorer
- Batteri- och lågeffektsapplikationer med djupt strömsparläge
- Kompakta kretskort där en 8-kontakts WDFN-kapsel används
- Utökat icke-flyktigt minne i 3,3 V-system
Certifieringar och standarder: RoHS, AEC-Q100 (anges i databladet; avser varianter med automotive-suffix)
Databladet (DS20005397F) gäller SST25PF040C i flera kapslar och temperaturområden; värdena avser 40I/MF (40 MHz, industriellt, WDFN 5 x 6 mm). AEC-Q100 gäller automotive-varianter med särskild suffixkod (18GVAO) i databladets ordersystem; verifiera exakt variant vid krav.
Tillverkarens artikelnummer SST25PF040C-40I/MF. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.
Recensioner
Det finns inga recensioner än.