Microchip Technology SST26VF032BA-104I/MF – minne/lagring

SST26VF032BA från Microchip Technology är ett NOR-flashminne på 32 Mbit ur Serial Quad I/O (SQI)-familjen i 26 Series. Gränssnittet är sextrådigt med 4-bitars I/O och ger enligt databladet låg effektförbrukning och hög prestanda i kapslar med få stift, vilket sparar kortyta och sänker systemkostnaden. Kretsen har dessutom full kommandokompatibilitet med traditionellt SPI-protokoll och stöder x1/x2/x4 SPI. Databladet (DS20005218K) omfattar både SST26VF032B och SST26VF032BA.

Alla kretsar i 26 Series tillverkas med Microchips CMOS-teknik SuperFlash®, där cellkonstruktionen med delad gate (split-gate) och en tunnelinjektor med tjockt oxidskikt enligt tillverkaren ger bättre tillförlitlighet och tillverkningsbarhet. Skrivning (programmering och radering) sker med en enda matningsspänning på 2.3-3.6 V. Två konfigurationer kan beställas. SST26VF032B startar med WP#- och HOLD#-stiften aktiverade och SIO2/SIO3 avaktiverade för SPI-drift. SST26VF032BA, som artikelbeteckningen SST26VF032BA-104I/MF avser, startar i stället med WP# och HOLD# avaktiverade och SIO2/SIO3 aktiverade för Quad I/O-drift. Konfigurationen av stiften beskrivs i avsnitt 4.5.8 (I/O Configuration, IOC) i databladet.

Teknik och prestanda

• Matning: enkel spänning för läsning och skrivning, 2.7V–3.6V eller 2.3V–3.6V.
• Klockfrekvens: högst 104 MHz vid 2.7V–3.6V och högst 80 MHz vid 2.3V–3.6V.
• Gränssnitt: nibble-wide (4 bitar) multiplexade I/O med SPI-liknande kommandostruktur, Mode 0 och Mode 3, samt x1/x2/x4 SPI-protokoll.
• Burst-lägen: kontinuerlig linjär burst samt linjär burst på 8/16/32/64 byte med wrap-around.
• Strömförbrukning: aktiv läsström typiskt 15 mA vid 104 MHz och standbyström typiskt 15 µA.
• Radering: sektor- och blockradering typiskt 18 ms (högst 25 ms) samt chipradering typiskt 35 ms (högst 50 ms).
• Programmering: 256 byte per sida i x1- eller x4-läge.
• Slutdetektering: programvaran läser BUSY-biten i statusregistret.
• Tillförlitlighet: uthållighet minst 100 000 cykler och databevarande i mer än 100 år.

Raderingsstrukturen är flexibel och består av enhetliga sektorer på 4 Kbyte, fyra parameter-overlay-block på 8 Kbyte upptill och nedtill, ett overlay-block på 32 Kbyte upptill och nedtill samt enhetliga overlay-block på 64 Kbyte. Med Write-Suspend kan en pågående programmering eller radering avbrytas för att komma åt ett annat block eller en annan sektor, och ett Software Reset (RST)-läge finns.

Skyddsfunktionerna omfattar individuellt skrivskydd per block med möjlighet till permanent låsning (lock-down) för 64-Kbyte-block, två 32-Kbyte-block och åtta 8-Kbyte-parameterblock. De översta och understa 8-Kbyte-parameterblocken kan dessutom lässkyddas. Kretsen har ett engångsprogrammerbart (OTP) Security ID på 2 Kbyte med en 64-bitars unik, fabriksprogrammerad identifierare samt ett användarprogrammerbart område.

Databladet anger tre temperaturklasser för serien: Industrial -40 °C till +85 °C, Industrial Plus -40 °C till +105 °C och Extended -40 °C till +125 °C. Serien anges även som Automotive AEC-Q100 Grade 1, Grade 2 och Grade 3, och alla enheter är RoHS-kompatibla.

Anslutningar och gränssnitt

Enligt pinfiguren (8-lead SOIC och 8-contact WDFN) är stiftbeteckningarna: 1 CE#, 2 SO/SIO1, 3 WP#/SIO2, 4 VSS, 5 SI/SIO0, 6 SCK, 7 HOLD#/SIO3 och 8 VDD. Stiften WP#/SIO2 och HOLD#/SIO3 har alltså dubbla funktioner: som WP# och HOLD# i SPI-läge och som databen SIO2 och SIO3 i Quad I/O-läge. Databladet anger följande kapslar för serien:

• 8-contact WDFN, 6 mm x 5 mm
• 8-lead SOIJ, 5.28 mm
• 24-ball TBGA, 6 mm x 8 mm

Programvara och kompatibilitet

SST26VF032B/032BA har full kommandokompatibilitet med traditionellt SPI-protokoll, vilket gör att kretsen kan styras som ett vanligt SPI-flash i x1-läge och sedan utnyttja x2/x4-lägena där värdsystemet stöder det. Beställningsvarianten avgör om kretsen vid uppstart arbetar i SPI-läge (SST26VF032B) eller i Quad I/O-läge (SST26VF032BA). Hur WP#/HOLD# och SIO2/SIO3 konfigureras beskrivs i avsnitt 4.5.8 (I/O Configuration, IOC) i databladet DS20005218K.

Egenskaper

• 32 Mbit NOR-flashminne med Serial Quad I/O (SQI), x1/x2/x4 SPI, Mode 0 och Mode 3
• Enkel matning 2.7V–3.6V eller 2.3V–3.6V
• Klocka upp till 104 MHz (2.7V–3.6V) respektive 80 MHz (2.3V–3.6V)
• Aktiv läsström typiskt 15 mA vid 104 MHz, standby typiskt 15 µA
• Sektor-/blockradering 18 ms och chipradering 35 ms (typiskt)
• Page Program 256 byte per sida i x1- eller x4-läge
• Burst-lägen: kontinuerlig samt 8/16/32/64 byte med wrap-around
• Write-Suspend och Software Reset
• Individuellt blockskydd med permanent låsning samt lässkydd för parameterblock
• 2-Kbyte OTP Security ID med 64-bitars unikt fabriksprogrammerat ID
• Uthållighet minst 100 000 cykler och databevarande över 100 år
• Kapslar i serien: 8-contact WDFN 6 x 5 mm, 8-lead SOIJ 5.28 mm, 24-ball TBGA 6 x 8 mm

Användningsområden

• Lagring av programkod och data i inbyggda system som använder SPI- eller Quad I/O-flash
• Konstruktioner som behöver snabb läsning över 4-bitars I/O med få stift (klocka upp till 104 MHz)
• Lagring av parametrar och konfiguration i parameterblock med blockvist läs- och skrivskydd
• Enheter som behöver ett unikt 64-bitars fabriks-ID eller engångsprogrammerbar (OTP) lagring
• Fordons- och industriapplikationer som kräver utökat temperaturområde (klasser upp till +125 °C i serien)

Certifieringar och standarder: RoHS, AEC-Q100 Grade 1, 2 och 3 (anges i databladet för serien)

Databladet (DS20005218K) gäller både SST26VF032B och SST26VF032BA; beställningskoden SST26VF032BA-104I/MF avser BA-varianten. Temperaturklass och kapseltyp för just denna beställningskod framgår inte av det utdragna textunderlaget; temperaturklasser, kapslar och AEC-Q100-kvalificering avser serien. Elektriska data och instruktionsuppsättning ingår inte i underlaget.

Tillverkarens artikelnummer SST26VF032BA-104I/MF. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.