Microchip Technology

Microchip Technology SST39SF040-70-4C-NHE – minne/lagring

Art.nr GB-5637 Tillv. nr SST39SF040-70-4C-NHE

SST39SF040-70-4C-NHE från Microchip är ett parallellt NOR-flashminne på 4 Mbit (512K x8) med SuperFlash-teknik, 4,5–5,5 V matning och 70 ns åtkomsttid. Kommersiell klass (0 °C till +70 °C), 32-bens PLCC, likformiga 4 KByte-sektorer och Software Data Protection.

  • 4 Mbit (512K x8) parallellt NOR-flash med SuperF
  • Enkel matning 4,5–5,5 V för läsning och skrivnin
  • Åtkomsttid 70 ns
  • Likformiga 4 KByte-sektorer; sektorradering typi
128 kr

I lager (3 779 st)Leverans 1–3 vardagar

Datablad (PDF)
  • Fri frakt över 2 000 kr
  • 30 dagars öppet köp
  • Faktura för företag

Frågor om produkten? info@gotbitab.com · Vardagar 08–17

Beskrivning

SST39SF040 är ett parallellt NOR-flashminne på 4 Mbit (512K x8) ur Multi-Purpose Flash-serien (MPF) från Microchip (SST), tillverkat i CMOS-tekniken SuperFlash. Minnet läser och skriver (programmerar och raderar) med en enda matningsspänning på 4,5–5,5 V och följer JEDEC-standardens stiftordning för x8-minnen. Databladet (DS20005022C) gäller de tre familjemedlemmarna SST39SF010A, SST39SF020A och SST39SF040 (128K, 256K respektive 512K x8).

Beteckningen SST39SF040-70-4C-NHE avkodas enligt databladets beställningsschema: 39 = Multi-Purpose Flash, S = 4,5–5,5 V, 040 = 4 Mbit, 70 = läsåtkomst 70 ns, 4 = minsta uthållighet 10 000 cykler, C = kommersiell temperaturklass (0 °C till +70 °C), N = PLCC, H = 32 ben och slutbokstaven E = blyfritt lod (RoHS-kompatibelt). Enligt databladet lämpar sig kretsen för program-, konfigurations- och dataminne som behöver uppdateras bekvämt och ekonomiskt. SuperFlash ger fasta program- och raderingstider oberoende av antalet cykler, så systemets programvara eller maskinvara behöver inte justeras för åldrande.

Teknik och prestanda

  • Organisation: 512K x8 med adresserna A0–A18 och data DQ7–DQ0. Sektorerna är likformiga om 4 KByte; adresslinjerna A18–A12 väljer sektor, vilket ger 128 sektorer.
  • Läsning: åtkomsttid 70 ns för den här varianten (TRC minst 70 ns; TCE och TAA högst 70 ns; TOE högst 35 ns). Mätvillkoret för 70 ns är CL = 100 pF. Samma familj finns även med 55 ns.
  • Programmering: byteprogrammering typiskt 14 µs (högst 20 µs). Målsektorn måste vara helt raderad före programmering. Omskrivning av hela chippet tar typiskt 8 sekunder för SST39SF040.
  • Radering: sektor (4 KByte) typiskt 18 ms (högst 25 ms) och hela chippet typiskt 70 ms (högst 100 ms).
  • Effekt: typiskt 10 mA aktiv ström och 30 µA standbyström vid 14 MHz. Garanterade maxvärden: 25 mA läsning (värden för 70 ns), 35 mA program och radering, 3 mA standby med TTL-nivåer och 100 µA med CMOS-nivåer. De typiska värdena är medelvärden vid 25 °C och VDD = 5 V och är inte 100 % testade.
  • Tillförlitlighet: uthållighet typiskt 100 000 cykler; tillförlitlighetstabellen anger en kvalificerad minimispecifikation på 10 000 cykler för hela komponenten. Dataretention över 100 år.
  • Uppstart: minst 100 µs från spänningspåslag till läs- respektive program- eller raderingsoperation.
  • Maskinvaruskydd: en WE#- eller CE#-puls kortare än 5 ns startar ingen skrivning, skrivning spärras när VDD är under 2,5 V, och Write Inhibit (OE# låg, CE# hög eller WE# hög) förhindrar oavsiktlig skrivning vid påslagning och avstängning av matningen.

Anslutningar och gränssnitt

Gränssnittet är parallellt och asynkront (x8) med TTL-kompatibla in- och utgångar. Kommandon skrivs med WE# låg och CE# låg; adressen latchas på fallande flank av WE# eller CE# (den som kommer sist) och data på stigande flank (den som kommer först). Läsning styrs av CE# och OE#, som båda måste vara låga; databussen är högohmig när något av dem är högt.

  • Signaler: A0–A18, DQ0–DQ7, CE# (chipval), OE# (utgångsaktivering), WE# (skrivaktivering), VDD (5,0 V, 4,5–5,5 V) och VSS.
  • Kapsel för den här beteckningen: 32-bens PLCC (SST-kod NH), enligt JEDEC MS-016 AE. Mått i tum (max): kropp 0,553 x 0,453, totalt över benen 0,595 x 0,495, höjd 0,140; stiftavstånd 0,050 (BSC).
  • Familjen finns även i 32-bens TSOP (8 mm x 14 mm) och 32-stifts PDIP (600 mil).

Programvara och kompatibilitet

Kommandouppsättning och stiftordning följer JEDEC-standarden för flash-EEPROM. Software Data Protection (SDP) är permanent aktiverad från fabrik: byteprogrammering kräver en tre-byte-sekvens (AAH till 5555H, 55H till 2AAAH, A0H till 5555H, därefter adress och data) och radering en sex-byte-sekvens med Sector-Erase 30H och sektoradress eller Chip-Erase 10H till adress 5555H. Ogiltiga kommandon i en SDP-sekvens avbryter och återför kretsen till läsläge.

Slutet på en programmering eller radering upptäcks med Data# Polling (DQ7) eller växlingsbiten (DQ6). Under intern programmering ger DQ7 komplementet av sann data och under radering värdet 0; när operationen är klar ger DQ7 sann data respektive 1. Hela databussen är giltig först efter ungefär 1 µs. Om ett tvetydigt resultat uppstår bör programvaran läsa adressen ytterligare två gånger.

Produktidentifiering (Software ID Entry, 90H; avslut med F0H) ger tillverkar-ID BFH på adress 0000H och enhets-ID B7H för SST39SF040 på adress 0001H (SST39SF010A: B5H, SST39SF020A: B6H). Funktionen kan användas för att identifiera kretsen när flera tillverkare förekommer i samma sockel.

Egenskaper

  • 4 Mbit (512K x8) parallellt NOR-flash med SuperFlash-teknik
  • Enkel matning 4,5–5,5 V för läsning och skrivning
  • Åtkomsttid 70 ns
  • Likformiga 4 KByte-sektorer; sektorradering typiskt 18 ms, chipradering typiskt 70 ms
  • Byteprogrammering typiskt 14 µs; hela chippet skrivs om på typiskt 8 s
  • Typiskt 10 mA aktiv ström och 30 µA standbyström vid 14 MHz
  • Typiskt 100 000 cykler och över 100 års dataretention
  • Slutdetektering med Data# Polling och växlingsbit
  • Software Data Protection permanent aktiverad; skrivspärr under VDD 2,5 V
  • TTL-kompatibla in- och utgångar; JEDEC-stiftordning och kommandouppsättning
  • 32-bens PLCC, kommersiell klass 0 °C till +70 °C
  • RoHS-kompatibel

Användningsområden

  • Program-, konfigurations- och dataminne som behöver uppdateras bekvämt och ekonomiskt
  • System med 5 V matning och parallell x8-minnesbuss
  • Firmware som uppdateras i sektorer om 4 KByte
  • Konstruktioner där flera tillverkare förekommer i samma sockel och kretsen identifieras via Product Identification

Certifieringar och standarder: RoHS

Databladet (DS20005022C) gäller SST39SF010A, SST39SF020A och SST39SF040; här redovisas SST39SF040 med 70 ns åtkomst i kommersiell klass och PLCC-kapsel (suffix NHE). Uthållighet anges typiskt 100 000 cykler under Features men som minst 10 000 cykler i tillförlitlighetstabellen (kvalificerat för hela komponenten). Typiska strömvärden är medelvärden vid 25 °C och VDD = 5 V och är inte 100 % testade.

Tillverkarens artikelnummer SST39SF040-70-4C-NHE. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.

Specifikationer

VarumärkeMicrochip Technology
Tillverkarens artikelnummerSST39SF040-70-4C-NHE
ArtikelnummerGB-5637
TillverkareMicrochip Technology (SST)
ProduktfamiljSST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040, Multi-Purpose Flash (MPF)
MinnestypParallellt NOR-flash (SuperFlash), x8
Minnesstorlek4 Mbit (512K x8)
Matningsspänning VDD4,5 V till 5,5 V (läsning och skrivning)
Läsåtkomsttid70 ns (TRC minst 70 ns; TOE högst 35 ns)
AdresseringA0–A18; data DQ7–DQ0
SektorstrukturLikformiga 4 KByte-sektorer (A18–A12 väljer sektor; 128 sektorer)
ProgrammeringstidByte typiskt 14 µs (högst 20 µs)
RaderingstidSektor typiskt 18 ms (högst 25 ms); chip typiskt 70 ms (högst 100 ms)
Omskrivning av hela chippetTypiskt 8 sekunder
Aktiv strömTypiskt 10 mA vid 14 MHz; läsning högst 25 mA (70 ns)
Program- och raderingsströmHögst 35 mA
StandbyströmTypiskt 30 µA; högst 3 mA (TTL-nivåer) och 100 µA (CMOS-nivåer)
UthållighetTypiskt 100 000 cykler; minimispecifikation 10 000 cykler (hela komponenten)
DataretentionÖver 100 år
EnhetsidentitetTillverkar-ID BFH (0000H); enhets-ID B7H (0001H)
IngångsnivåerVIL högst 0,8 V; VIH minst 2,0 V (TTL)
UtgångsnivåerVOL högst 0,4 V vid 2,1 mA; VOH minst 2,4 V vid -400 µA
DataskyddSoftware Data Protection (permanent aktiverad); skrivspärr när VDD är under 2,5 V
Drifttemperatur (denna variant)0 °C till +70 °C (kommersiell, kod C)
Temperaturklasser i familjenKommersiell 0 °C till +70 °C; industriell -40 °C till +85 °C
Absoluta maxvärdenFörvaring -65 °C till +150 °C; spänning på stift -0,5 V till VDD+0,5 V; A9 -0,5 V till 13,2 V
Kapsel (denna variant)32-bens PLCC (kod NHE)
Kapselmått PLCC (tum, max)Kropp 0,553 x 0,453; totalt 0,595 x 0,495; höjd 0,140; stiftavstånd 0,050
Övriga kapslar i familjen32-lead TSOP (8 mm x 14 mm); 32-pin PDIP (600 mil)
KapacitansI/O-stift högst 12 pF; ingång högst 6 pF
LödningYtmontering 240 °C i 3 sekunder; hålmontering 300 °C i 10 sekunder
UppstartMinst 100 µs till läs- respektive program-/raderingsoperation
KategoriMinne & lagring

Recensioner

Recensioner

Det finns inga recensioner än.

Bli först med att recensera ”Microchip Technology SST39SF040-70-4C-NHE – minne/lagring”

Din e-postadress kommer inte publiceras. Obligatoriska fält är märkta *