Renesas / Dialog AT25DF041B-SSHN-B – minne/lagring

AT25DF041B-SSHN-B är ett 4 Mbit seriellt flashminne med SPI-gränssnitt från Renesas / Dialog. Databladet (AT25DF041B, DS-AT25DF041B-040 Rev. H, 12/13/22) beskriver kretsen som ”4-Mbit, 1.65 V Minimum SPI Serial Flash Memory with Dual I/O Support”. Enligt leverantörens artikeluppgifter är den ett NOR-flash med matning 1.65 V till 3.6 V, temperaturområde -40 °C till +85 °C och kapseln SOIC-N 150 mil (tub).

Kretsen är optimerad för lagring av både programkod och data (”Code + Data Storage Applications”). Den stöder SPI-läge 0 och 3 samt Dual-I/O-drift, kan köras upp till 104 MHz med clock-to-output (tV) på 6 ns och har en flexibel raderingsarkitektur med sidradering (256 byte), enhetliga block om 4 kByte, 32 kByte och 64 kByte samt radering av hela kretsen. Databladet framhåller även låg effektförbrukning, ett 128 byte stort OTP-säkerhetsregister och hårdvarustyrd låsning av skyddade sektorer via WP-stiftet.

Teknik och prestanda

• Matning: enkel matningsspänning 1.65 V – 3.6 V (-40 °C till +85 °C). Databladet anger även matning 1.7 V – 3.6 V för -40 °C till +125 °C.
• Frekvens: högst 104 MHz. Clock-to-output (tV): 6 ns.
• Programmering: byte/page program (1 till 256 byte), dual-input byte/page program (1 till 256 byte) och sequential program mode. Typisk tid för sidprogrammering (256 byte): 1.25 ms.
• Radering: typiskt 35 ms för block om 4 kByte, 250 ms för 32 kByte och 450 ms för 64 kByte.
• Felkontroll: automatisk kontroll och rapportering av radera- och programmeringsfel.
• Effektförbrukning (typiska värden): 200 nA i Ultra Deep Power Down, 5 µA i Deep Power-Down, 25 µA i standby och 5 mA vid aktiv läsning.
• Uthållighet: 100,000 program/erase-cykler (-40 °C till +85 °C). För -40 °C till +125 °C anger databladet 20,000 cykler.
• Dataretention: 20 år.

Anslutningar och gränssnitt

Gränssnittet är SPI-kompatibelt med stöd för SPI-läge 0 och 3 samt Dual-I/O-drift (Dual-Output Read och Dual-Input Byte/Page Program). Skyddade sektorer kan låsas hårdvarustyrt via WP-stiftet. Databladet innehåller även avsnitt om funktionerna Hold och Reset, och kretsen kan återställas med programvara (Software Controlled Reset). Kapselalternativen enligt databladet är:

• 8-lead SOIC (150-mil), vilket enligt leverantörens artikeluppgifter är kapseln för denna artikel.
• 8-pad Ultra Thin DFN (2 x 3 x 0.6 mm).
• 8-pad Ultra Thin DFN (5 x 6 x 0.6 mm).
• 8-lead TSSOP.
• 8-ball WLCSP.
• Die in Wafer Form (DWF).

Samtliga kapselalternativ anges som ”Industry Standard Green” (Pb-/halogenfria och RoHS-kompatibla).

Programvara och kompatibilitet

Databladets kommandouppsättning omfattar följande grupper:

• Läsning: Read Array (opkoderna 03h och 0Bh) och Dual-Output Read Array.
• Programmering: Byte/Page Program, Dual-Input Byte/Page Program och Sequential Program Mode.
• Radering: Page Erase, Block Erase och Chip Erase.
• Skydd: Write Enable, Write Disable, Protect Sector, Unprotect Sector, Global Protect/Unprotect och Read Sector Protection Registers.
• Säkerhet: Program OTP Security Register och Read OTP Security Register. OTP-registret är 128 byte, varav 64 byte är fabriksprogrammerade med en unik identifierare och 64 byte är användarprogrammerbara.
• Status: Read Status Register, Active Status Interrupt, Write Status Register och Write Status Register Byte 2.
• Övrigt: Read Manufacturer and Device ID, Deep Power-Down, Resume from Deep Power-Down, Ultra-Deep Power-Down, Exit Ultra-Deep Power-Down, Hold och Reset.

Tillverkar- och enhets-ID läses enligt JEDEC-standardmetod (JEDEC Standard Manufacturer and Device ID Read Methodology). Databladet anger att kretsen uppfyller hela det industriella temperaturområdet.

Egenskaper

• 4 Mbit SPI-seriellt NOR-flash med Dual-I/O-stöd
• Matning 1.65 V – 3.6 V (-40 °C till +85 °C)
• Upp till 104 MHz, clock-to-output (tV) 6 ns
• SPI-läge 0 och 3
• Radering: sida 256 byte, block 4, 32 och 64 kByte samt hel krets
• Sidprogrammering (256 byte) 1.25 ms typiskt, radering av 4 kByte 35 ms typiskt
• 128 byte OTP-säkerhetsregister, varav 64 byte unik identifierare från fabrik
• Hårdvarustyrd sektorlåsning via WP-stiftet
• Ultra Deep Power Down 200 nA, Deep Power-Down 5 µA, standby 25 µA (typiskt)
• 100,000 program/erase-cykler och 20 års dataretention
• Tillverkar- och enhets-ID enligt JEDEC-standardmetod
• Kapsel: 8-lead SOIC 150 mil, Pb-/halogenfri

Användningsområden

• Lagring av programkod och data i inbyggda system
• Konfigurations- och parameterlagring via SPI
• Applikationer med krav på låg effektförbrukning (Ultra Deep Power Down 200 nA, typiskt)
• Lagring av en unik identifierare och användardata i OTP-säkerhetsregistret

Certifieringar och standarder: RoHS-kompatibel (Industry Standard Green, Pb-/halogenfri)

Tillgänglig databladstext omfattar funktionslistan och innehållsförteckningen men inte stiftbeskrivning eller elektriska tabeller. Databladet omfattar flera spännings- och temperaturområden samt kapslar; uppgifterna om 1.7 V – 3.6 V (-40 °C till +125 °C) och 20,000 program/erase-cykler gäller det utökade temperaturområdet. Kapsel och -40 °C till +85 °C för denna artikel anges i leverantörens artikeluppgifter.

Tillverkarens artikelnummer AT25DF041B-SSHN-B. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.