Renesas / Dialog

Renesas / Dialog AT25FF161A-SHN-B – minne/lagring

Art.nr GB-6039 Tillv. nr AT25FF161A-SHN-B

AT25FF161A-SHN-B är ett 16 Mbit SPI NOR-flashminne från Renesas med Single/Dual/Quad SPI och 133 MHz maximal driftfrekvens. Matningsspänningen är 1.65 V - 3.75 V enligt databladet (1.65 V till 3.6 V för denna variant), viloströmmen ned till 5 - 7 nA (UDPD, typiskt) och kapseln SOIC-W 208 mil.

  • 16 Mbit (2 MB) SPI NOR-flash med Single, Dual oc
  • Matning 1.65 V - 3.75 V enligt databladet (1.65
  • 133 MHz maximal driftfrekvens; XiP via quad I/O
  • Standby 30 µA, DPD 8.2 µA och UDPD 5 - 7 nA (typ
110 kr

I lager (4 711 st)Leverans 1–3 vardagar

Datablad (PDF)
  • Fri frakt över 2 000 kr
  • 30 dagars öppet köp
  • Faktura för företag

Frågor om produkten? info@gotbitab.com · Vardagar 08–17

Beskrivning

AT25FF161A är ett seriellt flashminne på 16 Mbit (2 MB) med SPI-gränssnitt och stöd för Multi-I/O från Renesas. Artikeln AT25FF161A-SHN-B är enligt produktlistan en NOR-flash med brett spänningsområde (Wide Vcc, 1.65 V till 3.6 V) och temperaturområde -40°C till +85°C i kapseln SOIC-W 208 mil (Tube), med stöd för Single, Dual och Quad SPI. Databladet (DS-AT25FF161A-182 Rev. R, 29 januari 2026) anger spänningsområdet 1.65 V – 3.75 V för kretsfamiljen.

Minnet har en flexibel raderingsarkitektur med 4-kB, 32-kB och 64-kB block samt full chip-radering, programmering från 1 till 256 byte och möjlighet att pausa och återuppta radering och programmering. Energiförbrukningen är låg: typisk standby-ström är 30 µA, typisk Deep Power-Down-ström (DPD) 8.2 µA och typisk Ultra-Deep Power-Down-ström (UDPD) 5 – 7 nA.

Teknik och prestanda

Gränssnittet är SPI (Serial Peripheral Interface) med stöd för SPI-lägena 0 och 3. Utöver standard-SPI (1-1-1) stöds dual output (1-1-2), quad output (1-1-4) samt quad I/O / XiP (1-4-4 och 0-4-4). Maximal driftfrekvens är 133 MHz. Databladet har separata avsnitt för DC-egenskaper och maximala klockfrekvenser för tre kombinationer: 1.65 V till 3.6 V (-40°C till 85°C), 1.65 V till 3.75 V (-40°C till 85°C) och 1.65 V till 3.6 V (-40°C till 105°C).

Strömförbrukning enligt databladets egenskapslista: aktiv läsström 8.3 mA (1-1-1 vid 108 MHz), programström 10.1 mA och raderingsström 10.7 mA. Standby-strömmen är 30 µA (typisk), DPD 8.2 µA (typisk) och UDPD 5 – 7 nA (typisk). Kommandon finns för Deep Power-Down (B9h), Ultra-Deep Power-Down (79h) och återgång till normal drift (ABh), och strömsparlägena behandlas i ett eget avsnitt (Power-Down Considerations).

Radering och programmering: 4-kB, 32-kB och 64-kB blockradering samt full chip-radering; byte/page program (1 till 256 byte); sekventiellt programläge; dual output byte/page program och quad output page program samt suspend och resume för både radering och programmering. Databladet beskriver även nästlade operationer vid suspend (Erase/Program Suspend Considerations and Nested Operations). Drivstyrkan för I/O-pinnarna är användarkonfigurerbar och kan även ställas in automatiskt.

Uthållighet och datalagring: 100,000 program-/raderingscykler samt 10,000 cykler vid -40°C till +105°C. Dataretention är 20 år vid -40°C till +85°C respektive 10 år vid -40°C till +105°C. Temperaturområdena enligt databladet är -40°C till +85°C och -40°C till +105°C.

Skydd och säkerhet: databladet anger flera minnesskydd, bland annat individuellt blockskydd och ett användardefinierat skyddat område i början eller slutet av minnesmatrisen (standard). Kretsen har en fabriksprogrammerad unik identifierare på 1 x 128 byte och 3 x 128-byte OTP-säkerhetsregister (One Time Programmable) med låsfunktion (OTP Security Register Lock). Statusregistren finns i icke-flyktig och flyktig form (Status Register 1-5) och kan låsas med Status Register Lock (6Fh). Mjukvarustyrda Reset- och Terminate-kommandon samt ett alternativ med hårdvarureset-stift och JEDEC-standardiserad hårdvaruåterställning (JEDEC hardware reset) finns.

Anslutningar och gränssnitt

  • Gränssnitt: SPI, lägen 0 och 3; Single, dual output, quad output samt quad I/O / XiP
  • Kapsel för denna artikel: 8-lead SOIC, 208 mil bred (SOIC-W); förpackningsform Tube enligt produktlistan
  • Kapselalternativ för AT25FF161A enligt databladet: 8-lead 150 mil Narrow SOIC; 8-lead 208 mil Wide SOIC; 8-pad 5 x 6 x 0.8 mm DFN; 8-ball 3 x 2 x 3 WLCSP; Die in Wafer Form (DWF); 8-pad 2 x 3 x 0.6 mm DFN
  • Pinbeskrivningar, blockschema och kapselpinouts finns i databladets kapitel 2-4; HOLD/RESET-funktionen beskrivs i avsnitt 5.14 och begränsningar för Chip Select i avsnitt 5.13
  • Återställning: hårdvarureset-stift som alternativ (hardware reset pin option) och JEDEC hardware reset

Programvara och kompatibilitet

Kretsen identifieras med JEDEC-standardiserat tillverkar- och enhets-ID (Read JEDEC ID, 9Fh; Read Manufacturer/Device ID, 90h; Quad I/O Read Manufacturer/Device ID, 94h) och stöder SFDP (Serial Flash Discoverable Parameters, kommando 5Ah), så att värdsystemet kan läsa kretsens parametrar. Enligt databladets innehållsförteckning finns bland annat följande kommandon:

  • Läsning: Read Array (03h, 0Bh), Dual Output Read Array (3Bh), Quad Output Read Array (6Bh), XiP Read (EBh) och XiP Read med dubbelordsjusterad adress (E7h)
  • Radering: Block Erase (20h, 52h, D8h) och Chip Erase (60h, C7h)
  • Programmering: Byte/Page Program (02h), Sequential Program Mode (ADh/AFh), Dual Output Byte/Page Program (A2h) och Quad Output Page Program (32h)
  • Suspend och resume: Program/Erase Suspend (75h/B0h) och Program/Erase Resume (7Ah/D0h)
  • Skrivstyrning och skydd: Write Enable (06h), Write Disable (04h), Volatile Status Register Write Enable (50h), Individual Block Lock (36h), Individual Block Unlock (39h), Read Block Lock (3Ch/3Dh), Global Block Lock (7Eh) och Global Block Unlock (98h)
  • Statusregister: Read Status Registers 1-3 (05h, 35h, 15h), Read Status Registers (65h), Write Status Registers 1-3 direkt (01h, 31h, 11h), Write Status Registers indirekt (71h) och Status Register Lock (6Fh)
  • Säkerhetsregister: Program Security Register (9Bh) och Read OTP Security Register (4Bh)
  • Reset och strömsparlägen: Enable Reset (66h) och Reset Device (99h), Terminate (F0h), Deep Power-Down (B9h), Ultra-Deep Power-Down (79h) och Resume (ABh)

Egenskaper

  • 16 Mbit (2 MB) SPI NOR-flash med Single, Dual och Quad I/O
  • Matning 1.65 V – 3.75 V enligt databladet (1.65 V till 3.6 V för denna artikel)
  • 133 MHz maximal driftfrekvens; XiP via quad I/O (1-4-4, 0-4-4)
  • Standby 30 µA, DPD 8.2 µA och UDPD 5 – 7 nA (typiska värden)
  • Aktiv läsström 8.3 mA (108 MHz), program 10.1 mA, radering 10.7 mA
  • 4-kB, 32-kB och 64-kB blockradering samt full chip-radering
  • Byte/page program 1 till 256 byte med suspend och resume
  • 1 x 128-byte unik identifierare och 3 x 128-byte OTP-säkerhetsregister
  • Individuellt blockskydd och användardefinierat skyddat område
  • 100,000 program-/raderingscykler; dataretention 20 år vid -40°C till +85°C
  • SFDP, JEDEC-ID samt mjukvarureset och Terminate-kommando
  • SOIC-W 208 mil (8-lead), Pb-/halogenfri och RoHS-kompatibel

Användningsområden

  • Lagring av programkod och bootkod i inbyggda system, även kod som körs direkt från flash (XiP)
  • Batteridrivna och strömkänsliga enheter där ultradjup viloström är viktig
  • Lagring av konfigurations- och parameterdata, med unik identifierare och OTP-register för enhetsdata
  • Industriella styr- och sensorenheter inom temperaturområdet -40°C till +85°C

Certifieringar och standarder: RoHS-kompatibel, Pb-/halogenfri (green)

Databladet gäller hela AT25FF161A-familjen (flera kapslar och temperaturklasser); variantspecifika värden för -SHN-B kan avvika. Den utdragna databladstexten omfattar egenskaper och innehållsförteckning men inte de elektriska tabellerna (kapitel 8).

Tillverkarens artikelnummer AT25FF161A-SHN-B. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.

Specifikationer

VarumärkeRenesas / Dialog
Tillverkarens artikelnummerAT25FF161A-SHN-B
ArtikelnummerGB-6039
MinnestypSeriellt SPI NOR-flashminne (Single/Dual/Quad SPI)
Densitet16 Mbit (2 MB)
Matningsspänning (databladet)1.65 V - 3.75 V
Matningsspänning (denna artikel)1.65 V till 3.6 V (Wide Vcc)
GränssnittSPI, lägen 0 och 3; dual output (1-1-2), quad output (1-1-4), quad I/O / XiP (1-4-4 och 0-4-4)
Max driftfrekvens133 MHz
Aktiv läsström8.3 mA (1-1-1, 108 MHz)
Programström10.1 mA
Raderingsström10.7 mA
Standby-ström30 µA (typisk)
Deep Power-Down (DPD)8.2 µA (typisk)
Ultra-Deep Power-Down (UDPD)5 - 7 nA (typisk)
Raderingsblock4-kB, 32-kB och 64-kB blockradering samt full chip-radering
ProgrammeringByte/Page program 1 till 256 byte; sekventiellt programläge
Suspend och resumeErase/program suspend och resume
Unik identifierare1 x 128-byte, fabriksprogrammerad
OTP-säkerhetsregister3 x 128-byte (One Time Programmable)
SkyddIndividuellt blockskydd; användardefinierat skyddat område i början eller slutet av minnesmatrisen (standard)
StatusregisterIcke-flyktiga och flyktiga statusregister (Status Register 1-5)
Drivstyrka I/O-pinnarAnvändarkonfigurerbar och automatisk
Uthållighet100,000 program-/raderingscykler; 10,000 cykler (-40°C till +105°C)
Dataretention20 år (-40°C till +85°C); 10 år (-40°C till +105°C)
Drifttemperatur (denna artikel)-40°C till +85°C
Temperaturområden (databladet)-40°C till +85°C och -40°C till +105°C
Kapsel (denna artikel)8-lead SOIC, 208 mil bred (SOIC-W); Tube
Övriga kapselalternativ (databladet)8-lead 150 mil Narrow SOIC; 8-pad 5 x 6 x 0.8 mm DFN; 8-ball 3 x 2 x 3 WLCSP; Die in Wafer Form (DWF); 8-pad 2 x 3 x 0.6 mm DFN
MiljöGreen: Pb-/halogenfri, RoHS-kompatibel
ÅterställningHårdvarureset-stift som alternativ; JEDEC hardware reset; mjukvarureset och Terminate
IdentifieringJEDEC standard manufacturer and device ID; SFDP
DatabladDS-AT25FF161A-182 Rev. R (29 januari 2026)
KategoriMinne & lagring

Recensioner

Recensioner

Det finns inga recensioner än.

Bli först med att recensera ”Renesas / Dialog AT25FF161A-SHN-B – minne/lagring”

Din e-postadress kommer inte publiceras. Obligatoriska fält är märkta *