Renesas / Dialog AT25SF161B-SSHB-B – minne/lagring

AT25SF161B är ett seriellt SPI-flashminne på 16 Mbit (2 MB) med stöd för Dual I/O och Quad I/O från Renesas. Artikeln AT25SF161B-SSHB-B är enligt produktlistan en NOR-flash för 3.0 V (2.7 V till 3.6 V) i kapseln SOIC-N 150 mil (Tube) med temperaturområdet -40°C till +85°C och stöd för Single, Dual och Quad SPI. Databladet (DS-AT25SF161B-188 Rev. H, 19 september 2024) anger två matningsspänningsalternativ: 2.7 V – 3.6 V och 2.5 V – 3.6 V.

Maximal driftfrekvens är 108 MHz. Databladet anger typiska tider för radering och programmering: blockradering 4 kB 50 ms, blockradering 32 kB och 64 kB 120 ms respektive 200 ms, full chip-radering 5.5 sekunder och page-programmering 0.4 ms. Strömförbrukningen i viloläge anges som högst 15 µA i standby och högst 1.5 µA i deep power-down.

Teknik och prestanda

Gränssnittet är SPI med lägena 0 och 3. Läsfunktionerna omfattar dual output (1-1-2), dual I/O (1-2-2), quad output (1-1-4) och quad I/O (1-4-4) samt XiP-drift (0-4-4). Fast read stöds upp till 108 MHz, och continuous read finns med wrap på 8, 16, 32 eller 64 byte. Databladet visar även dual I/O- och quad I/O-läsning i continuous read-läge, där lägesbitarna M5, M4 = 1,0 har satts i föregående kommando.

Erase- och programarkitekturen är flexibel: block erase 4 kB (50 ms, typisk), 32 kB (120 ms, typisk) och 64 kB (200 ms, typisk) samt full chip erase (5.5 sekunder, typisk). Page/byte program stöder 1 till 256 byte, med typisk page program-tid 0.4 ms. Erase/program suspend och resume stöds (kommandon 75h och 7Ah).

Energi: standby-strömmen är högst 15 µA och deep power-down-strömmen högst 1.5 µA. Deep Power-Down aktiveras med kommando B9h och avslutas med Resume from Deep Power-Down (ABh).

Skydd och säkerhet: kretsen har ett användardefinierat skyddat område i början eller slutet av minnesmatrisen, och skyddet kan aktiveras och inaktiveras med WP-stiftet. Databladet beskriver detta i avsnitten Non-Volatile Protection och Protected States and the Write Protect Pin. Det finns tre OTP-säkerhetsregister på 256 byte vardera (3 x 256-byte One-Time Programmable), med kommandon för radering (44h), programmering (42h) och läsning (48h), samt ett unikt ID-nummer som läses med 4Bh. SFDP-registret (Serial Flash Discoverable Parameters) läses med 5Ah.

Uthållighet: 100,000 program- och raderingscykler. Dataretention: 20 år. Temperaturområde: -40°C till +85°C. Kapslarna är gröna (Pb-/halogenfria och RoHS-kompatibla).

Anslutningar och gränssnitt

• Gränssnitt: SPI, lägen 0 och 3; Single, dual output (1-1-2), dual I/O (1-2-2), quad output (1-1-4) och quad I/O (1-4-4)
• Skrivskydd: WP-stift för att aktivera och inaktivera skydd
• Hold-funktionen (Hold Function) beskrivs i databladets avsnitt 12.7
• Kapsel för denna artikel: 8-lead SOIC, 150 mil smal (SOIC-N; 8-pad, 150-mil Narrow JEDEC SOIC); förpackningsform Tube enligt produktlistan
• Övriga kapselalternativ enligt databladet: 8-lead SOIC 0.208 tum bred (8-lead, 208-mil Wide EIAJ SOIC), 8-pad DFN (5 x 6 x 0.6 mm), 8-ball WLCSP (3 x 2 x 3, kulrutnät) och Die Wafer Form
• Pinbeskrivningar och pinouts för SOIC, WLCSP och DFN finns i databladets kapitel 2

Programvara och kompatibilitet

Kretsen identifieras med JEDEC-standardiserat tillverkar- och enhets-ID (Read Manufacturer and Device ID, 9Fh), med det äldre ID-kommandot (90h) samt med dual I/O (92h) och quad I/O (94h) för ID-läsning. SFDP-registret gör det möjligt för värdsystemet att läsa kretsens parametrar. Enligt databladets innehållsförteckning finns bland annat följande kommandon:

• Läsning: Read Array (0Bh och 03h), Dual-Output Read Array (3Bh), Dual-I/O Read Array (BBh), Quad Output Fast Read Array (6Bh), Quad-I/O Read Array (EBh), Quad-I/O Word Fast Read (E7h) och Read SFDP (5Ah)
• Programmering: Byte/Page Program (02h) och Quad Page Program (32h)
• Radering: Block Erase (20h, 52h eller D8h) och Chip Erase (60h eller C7h)
• Suspend och resume: Program/Erase Suspend (75h) och Program/Erase Resume (7Ah)
• Skrivstyrning: Write Enable (06h), Write Disable (04h) och Write Enable for Volatile Status Register (50h)
• Statusregister: Read Status Register (05h, 35h och 15h) och Write Status Register (01h, 31h, 11h)
• Säkerhetsregister: Read Unique ID Number (4Bh), Erase Security Registers (44h), Program Security Registers (42h) och Read Security Registers (48h)
• Reset och strömsparläge: Enable Reset (66h), Reset Device (99h), Deep Power-Down (B9h) och Resume from Deep Power-Down (ABh)

Egenskaper

• 16 Mbit (2 MB) SPI NOR-flash med Single, Dual och Quad I/O
• Matning 2.7 V till 3.6 V för denna artikel; databladet anger även alternativet 2.5 V – 3.6 V
• 108 MHz maximal driftfrekvens; fast read upp till 108 MHz
• Quad I/O / XiP (1-4-4, 0-4-4) och continuous read med 8/16/32/64-byte wrap
• Blockradering 4 kB: 50 ms, 32 kB: 120 ms, 64 kB: 200 ms (typiska värden)
• Full chip-radering 5.5 sekunder (typisk)
• Page/byte program 1 till 256 byte; page program 0.4 ms (typisk)
• Standby max 15 µA; Deep Power-Down max 1.5 µA
• 3 x 256-byte OTP-säkerhetsregister och SFDP-register
• Användardefinierat skyddat område i början eller slutet av minnet samt WP-stift
• 100,000 program-/raderingscykler; dataretention 20 år
• SOIC-N 150 mil, -40°C till +85°C, Pb-/halogenfri och RoHS-kompatibel

Användningsområden

• Lagring av firmware och bootkod i inbyggda system med 3.0 V-matning
• Programkod som körs direkt från flash (XiP) via quad I/O
• Lagring av konfigurations-, kalibrerings- och parameterdata
• Strömkänsliga enheter där deep power-down-strömmen (max 1.5 µA) är viktig

Certifieringar och standarder: RoHS-kompatibel, Pb-/halogenfri (green)

Databladet gäller hela AT25SF161B-familjen (flera kapslar och spänningsalternativ); variantspecifika värden för -SSHB-B kan avvika. Den utdragna databladstexten omfattar egenskaper och innehållsförteckning men inte de elektriska tabellerna (kapitel 13).

Tillverkarens artikelnummer AT25SF161B-SSHB-B. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.