SMARTsemi KTDM2G3C818BGIEAT – minne/lagring

KTDM2G3C818BGIEAT är en DRAM-komponent av typen DDR3(L) SDRAM från SMARTsemi. Kretsen har densiteten 2Gb och är organiserad som 256M × 8, det vill säga med x8 databredd. Hastighetsklassen är DDR3-1866, som leverantörens lista anger som 1866 Mbps, och spänningskoden C motsvarar 1,35 V/1,5 V. Artikeln har industriell temperaturklass (kod I) och Mono BGA-kapsel (kod BG); leverantörens lista beskriver kapseln som 78-FBGA. Förpackningstypen är tray (kod T).

Databladet heter ”Memory IC Datasheet DDR3-1866 2Gb x8” och är Rev 1.0 från 22 juni 2022 (första utgåvan, ”Initial release”). Det gäller artikelnummerfamiljen KTDM2G3C818BGxEAT, där tecknet x anger temperaturklassen: C för Commercial och I för Industrial. Leverantörens lista skriver ”2GB 256MX8”, medan databladet anger densiteten 2Gb; 256M × 8 motsvarar 2 gigabit per krets.

Teknik och prestanda

Artikelnumret är uppbyggt enligt databladets ”Part Number Decoder”. KTDM2G3C818BGIEAT avkodas så här:

• KT (position 1–2): IC-leverantör SMARTsemi.
• DM (position 3–4): produktfamilj DRAM.
• 2G (position 5–6): densitet 2Gb.
• 3 (position 7): teknik DDR3.
• C (position 8): spänning 1,35 V/1,5 V.
• 8 (position 9): databredd x8.
• 18 (position 10–11): hastighetsklass DDR3-1866.
• BG (position 12–13): kapsel Mono BGA.
• I (position 14): temperaturklass Industrial (alternativet C betyder Commercial).
• EA (position 15–16): intern kod (”For Internal Use”).
• T (position 17): förpackning Tray.

Databladets innehållsförteckning visar vilka elektriska specifikationer dokumentet omfattar. Dit hör absoluta maxvärden (Absolute Maximum DC Ratings), komponentens driftstemperaturområde (Temperature Range) och rekommenderade DC-driftsvillkor samt AC- och DC-insignalnivåer för kommando och adress respektive för DQ och DM, inklusive VREF-toleranser. Dokumentet specificerar också differentiella insignalnivåer (bland annat tDVAC och korsningspunktsspänning för CK och DQS), utsignalnivåer och slew rate (single-ended och differentiell), referenslast för AC-timing samt gränser för överskjutning och underskjutning (overshoot/undershoot) för adress- och styrstift respektive för klocka, data, strobe och mask.

För utgångsdrivaren anger databladet en 34 Ohm Output Driver med DC-egenskaper efter ZQ-kalibrering med RZQ = 240 ohm, samt känslighet för temperatur och spänning. On-die termination (ODT) behandlas med nivåer och I-V-egenskaper (RZQ = 240 ohm ±1 %), temperatur- och spänningskänslighet samt timingdefinitionerna tAON, tAONPD, tAOF, tAOFPD och tADC. Därutöver specificeras in- och utgångskapacitans (Input / Output Capacitance) samt strömförbrukning (IDD och IDDQ) med definierade mätförhållanden och mätmönster för bland annat IDD0, IDD1, IDD2NT, IDD4R/IDDQ4R och IDD4W.

Anslutningar och gränssnitt

Komponenten är en DDR3(L) SDRAM-krets med x8 databredd i en Mono BGA-kapsel (78-FBGA enligt leverantörens lista). Av innehållsförteckningen framgår att gränssnittet omfattar signalgrupperna kommando och adress, data (DQ) och datamask (DM), klocka (CK) och datastrobe (DQS), referensspänningen VREF samt ODT och kalibreringsmotståndet RZQ (ZQ-kalibrering). Stiftbeskrivningen finns i databladets avsnitt ”Input / Output Functional Description”, som inte ingår i det tillgängliga textutdraget; kapselmått och kulplacering anges därför inte här.

Programvara och kompatibilitet

Komponenten har ingen programvara; hur den används bestäms av minneskontrollern i värdsystemet. Beteckningen DDR3(L) och spänningskoden C (1,35 V/1,5 V) anger att komponenten är avsedd för både 1,35 V och 1,5 V, och innehållsförteckningen nämner DDR3L-1866 vid specifikationen av DQS-utsignalens korsningspunktsspänning (VOX). Det tillgängliga textutdraget innehåller inga uppgifter om mode registers, latenser eller initieringssekvens; kontrollera dessa i originaldatabladet innan komponenten konstrueras in.

Egenskaper

• Densitet 2Gb (256M × 8), x8 databredd
• Hastighetsklass DDR3-1866 (1866 Mbps)
• DDR3(L) SDRAM, spänningskod C: 1,35 V/1,5 V
• Industriell temperaturklass (kod I)
• Mono BGA-kapsel (kod BG), 78-FBGA enligt leverantörens lista
• 34 Ohm utgångsdrivare, ZQ-kalibrering med RZQ = 240 ohm
• On-die termination (ODT) med specificerade nivåer och timing (tAON, tAONPD, tAOF, tAOFPD, tADC)
• IDD och IDDQ specificerade med definierade mätmönster
• Förpackning i tray (kod T)
• Datablad Rev 1.0, 22 juni 2022

Användningsområden

• Inbyggda och industriella system med DDR3(L)-minne på komponentnivå
• Kretskortsdesign med x8-organiserade DDR3-1866-komponenter i BGA-kapsel
• System där minnet matas med 1,35 V eller 1,5 V
• Applikationer som kräver komponent i industriell temperaturklass (kod I)

Textutdraget ur databladet omfattar endast titelsidan, artikelnummerdekodern, versionshistoriken och innehållsförteckningen; sidorna med funktioner, adressering, absoluta maxvärden, temperaturområde (siffror), AC/DC-värden och IDD-tabeller ingår inte. Beskrivningen bygger därför på dekodern, innehållsförteckningen och leverantörens rad. Leverantörsraden skriver ”2GB”; databladet anger 2Gb (256M × 8). Inga certifieringar anges i underlaget. Användningsområdena är typiska exempel för produkttypen.

Tillverkarens artikelnummer KTDM2G3C818BGIEAT. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.