Microchip Technology

Microchip Technology 93LC46A-I/SN – minne/lagring · EEPROM 128×8

Art.nr GB-5802 Tillv. nr 93LC46A-I/SN

93LC46A-I/SN är en 1 Kbit Microwire-kompatibel seriell EEPROM från Microchip, organiserad som 128 x 8 bitar, i 8-pins SOIC-kapsel (3,90 mm). Den arbetar från 2,5 V till 5,5 V i industriellt temperaturområde och har tretrådigt gränssnitt, självtidsstyrd radering/skrivning och dataskydd.

  • 1 Kbit seriell EEPROM, 128 x 8 bitar (A-variant
  • Matningsspänning 2,5 V till 5,5 V
  • Tretrådigt Microwire-kompatibelt gränssnitt (CS,
  • Klockfrekvens högst 2 MHz vid 2,5 V till under 5
103 kr

I lager (10 591 st)Leverans 1–3 vardagar

Datablad (PDF)
  • Fri frakt över 2 000 kr
  • 30 dagars öppet köp
  • Faktura för företag

Frågor om produkten? info@gotbitab.com · Vardagar 08–17

Beskrivning

93LC46A-I/SN är en seriell EEPROM från Microchip Technology med 1 Kbit minne, organiserat som 128 x 8 bitar. Kretsen tillhör familjen 93AA46A/B/C, 93LC46A/B/C och 93C46A/B/C, som databladet (DS20001749L) beskriver som 1-Kbit lågspänningsminnen med Microwire-kompatibelt seriellt gränssnitt. A-varianterna har dedikerad 8-bitarsorganisation (128 x 8) utan ORG-stift, B-varianterna dedikerad 16-bitarsorganisation (64 x 16) och C-varianterna låter stiftet ORG välja ordstorlek. Suffixet -I anger industriellt temperaturområde (-40 °C till +85 °C) och /SN anger kapseln, en 8-pins SOIC med smal 3,90 mm (.150 tum) kropp.

93LC46A arbetar från 2,5 V till 5,5 V, medan 93AA46 anges för 1,8 V till 5,5 V och 93C46 för 4,5 V till 5,5 V. Enligt databladet gör avancerad CMOS-teknik kretsarna lämpliga för icke-flyktiga minnesapplikationer med låg effektförbrukning. Kretsen har självtidsstyrda radera- och skrivcykler med automatisk radering, automatisk radering av hela arrayen före Write All, en Ready/Busy-statussignal, sekventiell läsning och dataskydd vid på- och avslag.

Teknik och prestanda

  • Minne: 1 Kbit som 128 x 8 bitar. Som A-variant saknar kretsen ORG-stift, och stift 6 saknar intern anslutning.
  • Matning och temperatur: VCC 2,5 V till 5,5 V och omgivningstemperatur -40 °C till +85 °C (industriellt område I).
  • Klockfrekvens (FCLK): högst 2 MHz vid 2,5 V till under 5,5 V. Databladets rad för 3 MHz vid 4,5 V till 5,5 V gäller endast 93XX46C.
  • Strömförbrukning: skrivström (ICC write) högst 2 mA vid FCLK = 3 MHz och VCC = 5,5 V samt typiskt 500 µA vid FCLK = 2 MHz och VCC = 2,5 V. Läsström (ICC read) högst 1 mA vid 3 MHz och 5,5 V, högst 500 µA vid 2 MHz och 3,0 V samt typiskt 100 µA vid 2 MHz och 2,5 V. Standbyström högst 1 µA i industriellt område.
  • Tidsparametrar vid 2,5 V till 5,5 V: klockan högt minst 250 ns (TCKH) och lågt minst 200 ns (TCKL), datasetup och datahold minst 100 ns (TDIS, TDIH), chipval låg minst 250 ns (TCSL) samt datautgångens fördröjning (TPD) högst 250 ns vid 2,5 V till under 4,5 V och högst 200 ns vid 4,5 V till 5,5 V (CL = 100 pF).
  • Programmeringstid: den självtidsstyrda radera-/skrivcykeln (TWC) tar högst 6 ms. ERAL tar högst 6 ms (TEC) och WRAL högst 15 ms (TWL), och båda kräver VCC på minst 4,5 V.
  • Tillförlitlighet: minst 1 000 000 radera-/skrivcykler (+25 °C, VCC = 5,0 V; parametern testas inte men säkerställs genom karakterisering), datalagring över 200 år och ESD-skydd över 4000 V.
  • Dataskydd: all drift blockeras när VCC understiger typiskt 1,5 V. Efter påslag startar kretsen i EWDS-läge, så en EWEN-instruktion krävs före första ERASE eller WRITE. Databladet rekommenderar EWDS efter varje skrivning och ett externt 10 kΩ pulldown-motstånd på CS.

Anslutningar och gränssnitt

Kretsen använder ett tretrådigt seriellt gränssnitt med chipval (CS), klocka (CLK), datain (DI) och datautgång (DO). Instruktioner, adresser och skrivdata klockas in på DI vid stigande flank på CLK, och läsdata skiftas ut på DO vid stigande flank. DO är högimpedant utom vid läsning och vid avläsning av Ready/Busy-status, och återgår till högimpedans vid fallande flank på CS. DI och DO kan kopplas ihop, men databladet anger att ett motstånd då bör sitta mellan dem för att begränsa strömmen vid en eventuell busskonflikt under dummy-nollan före läsning.

Stiftordning i 8-pins SOIC (standardstiftordning, artikelnummer utan suffixet X):

  • Stift 1: CS (chipval)
  • Stift 2: CLK (seriell klocka)
  • Stift 3: DI (datain)
  • Stift 4: DO (datautgång)
  • Stift 5: VSS (jord)
  • Stift 6: ORG/NC, för 93XX46A/B utan intern anslutning
  • Stift 7: NC (ingen intern anslutning)
  • Stift 8: VCC (matning)

CS måste vara låg i minst 250 ns (TCSL) mellan två instruktioner. Startvillkoret är att CS och DI båda är höga vid CLK:s stigande flank, och därefter måste rätt antal klockpulser tillföras innan instruktionen utförs. CLK kan stoppas var som helst i sekvensen. Kapselmåtten finns i specifikationerna nedan.

Programvara och kompatibilitet

Kretsen är Microwire-kompatibel och styrs med sju instruktioner. I 8-bitarsorganisation (93XX46A, eller 93XX46C med ORG = 0) används 7 adressbitar (A6 till A0), och instruktionerna kräver följande antal klockcykler enligt databladet:

  • ERASE (opcode 11): 10 cykler. Sätter alla databitar på vald adress till logiskt 1.
  • ERAL (radera alla): 10 cykler. Sätter hela minnesarrayen till logiskt 1.
  • EWEN (tillåt radering/skrivning) och EWDS (spärra radering/skrivning): 10 cykler vardera.
  • READ (opcode 10): 18 cykler. En dummy-nolla föregår de 8 databitarna, och sekventiell läsning är möjlig när CS hålls hög, då minnet automatiskt går vidare till nästa adress.
  • WRITE (opcode 01): 18 cykler. För 93AA- och 93LC-kretsar startar fallande flank på CS den självtidsstyrda auto-erase- och programmeringscykeln.
  • WRAL (skriv alla): 18 cykler. Innehåller en automatisk ERAL, kräver EWEN-läge och VCC på minst 4,5 V.

Programmeringsstatus läses på DO genom att ta CS hög efter minst 250 ns låg nivå: låg nivå på DO betyder att programmeringen pågår och hög nivå att kretsen är redo för nästa instruktion. Efter avslutad cykel rensas statusen på DO genom att ge en startbit och sedan ta CS låg. READ är oberoende av EWEN och EWDS.

Egenskaper

  • 1 Kbit seriell EEPROM, 128 x 8 bitar (A-variant utan ORG-stift)
  • Matningsspänning 2,5 V till 5,5 V
  • Tretrådigt Microwire-kompatibelt gränssnitt (CS, CLK, DI, DO)
  • Klockfrekvens högst 2 MHz vid 2,5 V till under 5,5 V
  • Självtidsstyrd radera-/skrivcykel med automatisk radering, högst 6 ms
  • ERAL och WRAL med automatisk radering före skrivning
  • Ready/Busy-statussignal på DO och sekventiell läsning
  • Dataskydd vid på-/avslag (VPOR typiskt 1,5 V) samt EWEN/EWDS-skrivspärr
  • Standbyström högst 1 µA i industriellt temperaturområde
  • Minst 1 000 000 radera-/skrivcykler, datalagring över 200 år, ESD-skydd över 4000 V
  • Drifttemperatur -40 °C till +85 °C
  • 8-pins SOIC-kapsel (3,90 mm), RoHS-kompatibel

Användningsområden

  • Lagring av konfigurations- och parameterdata i inbyggda system
  • Kalibreringsdata och serienummer i sensor- och styrmoduler
  • Batteridrivna lågeffektsapplikationer med matning från 2,5 V
  • Konstruktioner med få tillgängliga I/O-stift tack vare det tretrådiga gränssnittet
  • Ytmonterade kretskort där en 8-pins SOIC-kapsel används

Certifieringar och standarder: RoHS, AEC-Q100 (anges för produktfamiljen i databladet)

Databladet (DS20001749L) gäller hela familjen 93AA46A/B/C, 93LC46A/B/C och 93C46A/B/C; värdena avser 93LC46A i industriellt temperaturområde, och databladets tabeller omfattar även 93AA-varianter för 1,8 V. Klockfrekvensen 3 MHz gäller endast C-varianterna. AEC-Q100 anges för familjen, men automotive-varianter har särskild suffixkod (15KVAO) i databladets ordersystem; verifiera exakt variant vid krav.

Tillverkarens artikelnummer 93LC46A-I/SN. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.

Specifikationer

VarumärkeMicrochip Technology
Tillverkarens artikelnummer93LC46A-I/SN
ArtikelnummerGB-5802
TillverkareMicrochip Technology
MinnestypSeriell EEPROM, Microwire-kompatibelt tretrådigt gränssnitt
Minneskapacitet1 Kbit
Organisation128 x 8 bitar (A-variant, inget ORG-stift)
Matningsspänning VCC2,5 V till 5,5 V
Max klockfrekvens FCLK2 MHz (2,5 V till under 5,5 V); 3 MHz gäller endast 93XX46C
Skrivström ICC writeMax 2 mA (FCLK = 3 MHz, VCC = 5,5 V); typ 500 µA (FCLK = 2 MHz, VCC = 2,5 V)
Läsström ICC readMax 1 mA (3 MHz, 5,5 V); max 500 µA (2 MHz, 3,0 V); typ 100 µA (2 MHz, 2,5 V)
Standbyström ICCSMax 1 µA (industriellt temperaturområde)
Programcykeltid TWCMax 6 ms (radera/skriv, LC-variant)
ERAL-tid TEC / WRAL-tid TWLMax 6 ms / max 15 ms (4,5 V ≤ VCC ≤ 5,5 V)
UthållighetMinst 1 000 000 radera-/skrivcykler (+25 °C, VCC = 5,0 V)
DatalagringstidÖver 200 år
ESD-skyddÖver 4000 V (≥ 4 kV på alla stift)
Spänningsdetektering VPORTypiskt 1,5 V; all drift blockeras under denna nivå
Drifttemperatur (suffix I)-40 °C till +85 °C
Insignalnivå VIH / VILVIH min 2,0 V och VIL max 0,8 V (VCC ≥ 2,7 V); VIH min 0,7 VCC och VIL max 0,2 VCC (VCC under 2,7 V)
Utsignalnivå VOL / VOHVOL max 0,4 V (IOL = 2,1 mA, VCC = 4,5 V); VOH min 2,4 V (IOH = -400 µA, VCC = 4,5 V)
Läckström in/utMax ±1 µA
Pinnkapacitans CIN/COUTMax 7 pF (TA = 25 °C, FCLK = 1 MHz)
KapselSN, 8-pins SOIC, smal 3,90 mm (.150 tum) kropp (Microchip-ritning C04-057-SN Rev J)
KapselmåttDelning 1,27 mm (BSC); höjd max 1,75 mm; kroppsbredd 3,90 mm (BSC); kroppslängd 4,90 mm (BSC); total bredd 6,00 mm (BSC); benbredd 0,31 till 0,51 mm
Rekommenderat lödmönsterDelning 1,27 mm (BSC); padavstånd 5,40 mm; padbredd max 0,60 mm; padlängd max 1,55 mm
Stiftordning (standard)1 CS, 2 CLK, 3 DI, 4 DO, 5 VSS, 6 NC, 7 NC, 8 VCC
Kapselmarkering (SOIC)93LC46AT på första raden, där T är temperaturbokstaven
Absolut max VCC7,0 V
Absolut max spänning på in-/utgångar mot VSS-0,6 V till VCC + 1,0 V
Lagringstemperatur / omgivningstemperatur med matning (absol-65 °C till +150 °C / -40 °C till +125 °C
KategoriMinne & lagring

Recensioner

Recensioner

Det finns inga recensioner än.

Bli först med att recensera ”Microchip Technology 93LC46A-I/SN – minne/lagring · EEPROM 128×8”

Din e-postadress kommer inte publiceras. Obligatoriska fält är märkta *