Renesas / Dialog
Renesas / Dialog AT25DF512C-SSHN-B – minne/lagring
Art.nr GB-5913 Tillv. nr AT25DF512C-SSHN-B
AT25DF512C-SSHN-B är ett 512 Kbit SPI-seriellt NOR-flashminne från Renesas / Dialog i 8-lead SOIC (150 mil). Upp till 104 MHz, SPI-läge 0 och 3, Dual Output Read samt 128 byte OTP-säkerhetsregister. 100,000 program/erase-cykler och 20 års dataretention.
- 512 Kbit SPI-seriellt NOR-flash med Dual Output
- Matning 1.65 V - 3.6 V; leverantörens artikelupp
- Upp till 104 MHz, clock-to-output (tV) 6 ns
- SPI-läge 0 och 3
I lager (4 566 st)Leverans 1–3 vardagar
- Fri frakt över 2 000 kr
- 30 dagars öppet köp
- Faktura för företag
Frågor om produkten? info@gotbitab.com · Vardagar 08–17
Beskrivning
AT25DF512C-SSHN-B är ett 512 Kbit seriellt flashminne med SPI-gränssnitt från Renesas / Dialog. Databladet (AT25DF512C, DS-AT25DF512C-030 Rev.H, 2024-01-08) beskriver kretsen som ”512-Kbit, 1.65 V Minimum SPI Serial Flash Memory with Dual-Read Support”. Enligt leverantörens artikeluppgifter är den ett NOR-flash med matning 1.7 V till 3.6 V, temperaturområde -40 °C till +85 °C och kapseln SOIC-N 150 mil (tub).
Kretsen är optimerad för lagring av både programkod och data (”Code + Data Storage Applications”). Den stöder SPI-läge 0 och 3 samt Dual Output Read, kan köras upp till 104 MHz med clock-to-output (tV) på 6 ns och har en flexibel raderingsarkitektur med sidradering (256 byte), enhetliga block om 4 kByte och 32 kByte samt radering av hela kretsen. Databladet framhåller även låg effektförbrukning, ett 128 byte stort OTP-säkerhetsregister och hårdvarustyrd låsning av skyddade sektorer via WP-stiftet.
Teknik och prestanda
- Matning: enkel matningsspänning 1.65 V – 3.6 V enligt databladets funktionslista. Temperaturområdet anges som -10 °C till +85 °C vid 1.65 V – 3.6 V och -40 °C till +85 °C vid 1.7 V – 3.6 V.
- Frekvens: högst 104 MHz. Clock-to-output (tV): 6 ns.
- Programmering: byte/page program (1 till 256 byte). Typisk tid för sidprogrammering (256 byte): 1.5 ms.
- Radering: typiskt 50 ms för block om 4 kByte och 350 ms för 32 kByte.
- Felkontroll: automatisk kontroll och rapportering av radera- och programmeringsfel.
- Effektförbrukning (typiska värden): 200 nA i Ultra-Deep Power-Down, 5 µA i Deep Power-Down, 25 µA i standby och 4.5 mA vid aktiv läsning.
- Uthållighet: 100,000 program/erase-cykler (-40 °C till +85 °C).
- Dataretention: 20 år.
Anslutningar och gränssnitt
Gränssnittet är SPI-kompatibelt med stöd för SPI-läge 0 och 3 samt Dual Output Read. Skyddade sektorer kan låsas hårdvarustyrt via WP-stiftet. Databladet innehåller även avsnitt om funktionerna Hold och Reset, och kretsen kan återställas med programvara (Software Controlled Reset). Kapselalternativen enligt databladet är:
- 8-lead SOIC (150-mil), vilket enligt leverantörens artikeluppgifter är kapseln för denna artikel.
- 8-pad Ultra Thin DFN (UDFN).
- 8-lead TSSOP (4.4 mm).
Samtliga kapselalternativ anges som ”Industry Standard Green” (Pb-/halogenfria och RoHS-kompatibla).
Programvara och kompatibilitet
Databladets kommandouppsättning omfattar följande grupper:
- Läsning: Read Array (opkoderna 03h och 0Bh) och Dual-Output Read Array.
- Programmering: Byte/Page Program.
- Radering: Page Erase, Block Erase och Chip Erase.
- Skydd: Write Enable, Write Disable och Block Protection samt skyddade tillstånd i förhållande till WP-stiftet (Protected States and the Write Protect Pin).
- Säkerhet: Program OTP Security Register och Read OTP Security Register. OTP-registret är 128 byte, varav 64 byte är fabriksprogrammerade med en unik identifierare och 64 byte är användarprogrammerbara.
- Status: Read Status Register, Write Status Register och Write Status Register Byte 2.
- Övrigt: Read Manufacturer and Device ID, Read ID (Legacy Command), Deep Power-Down, Resume from Deep Power-Down, Ultra-Deep Power-Down, Exit Ultra-Deep Power-Down, Hold och Reset.
Tillverkar- och enhets-ID läses enligt JEDEC-standardmetod (JEDEC Standard Manufacturer and Device ID Read Methodology). Databladet innehåller även avsnitt om absoluta maxvärden, DC- och AC-egenskaper samt program- och raderingsegenskaper.
Egenskaper
- 512 Kbit SPI-seriellt NOR-flash med Dual Output Read
- Matning 1.65 V – 3.6 V; leverantörens artikeluppgifter anger 1.7 V – 3.6 V för denna artikel
- Upp till 104 MHz, clock-to-output (tV) 6 ns
- SPI-läge 0 och 3
- Radering: sida 256 byte, block 4 och 32 kByte samt hel krets
- Sidprogrammering (256 byte) 1.5 ms typiskt, radering av 4 kByte 50 ms typiskt
- 128 byte OTP-säkerhetsregister, varav 64 byte unik identifierare från fabrik
- Hårdvarustyrd sektorlåsning via WP-stiftet
- Ultra-Deep Power-Down 200 nA, Deep Power-Down 5 µA, standby 25 µA, aktiv läsning 4.5 mA (typiskt)
- 100,000 program/erase-cykler och 20 års dataretention
- Tillverkar- och enhets-ID enligt JEDEC-standardmetod, programvarustyrd reset
- Kapsel: 8-lead SOIC 150 mil, Pb-/halogenfri
Användningsområden
- Lagring av programkod och data i inbyggda system
- Konfigurations- och parameterlagring via SPI
- Applikationer med krav på låg effektförbrukning (Ultra-Deep Power-Down 200 nA, typiskt)
- Lagring av en unik identifierare och användardata i OTP-säkerhetsregistret
Certifieringar och standarder: RoHS-kompatibel (Industry Standard Green, Pb-/halogenfri)
Databladet anger 1.65 V – 3.6 V med -10 °C till +85 °C respektive 1.7 V – 3.6 V med -40 °C till +85 °C. Leverantörens artikeluppgifter för denna artikel anger 1.7 V till 3.6 V och -40 °C till +85 °C. Tillgänglig databladstext omfattar funktionslistan och innehållsförteckningen men inte stiftbeskrivning eller elektriska tabeller.
Tillverkarens artikelnummer AT25DF512C-SSHN-B. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.
Specifikationer
| Varumärke | Renesas / Dialog |
|---|---|
| Tillverkarens artikelnummer | AT25DF512C-SSHN-B |
| Artikelnummer | GB-5913 |
| Tillverkare | Renesas / Dialog |
| Minnestyp | SPI seriellt NOR-flash |
| Minneskapacitet | 512 Kbit |
| Matningsspänning | 1.65 V - 3.6 V (databladets funktionslista); leverantörens artikeluppgifter för artikeln: 1.7 V till 3.6 V |
| Temperaturområde | -10 °C till +85 °C (1.65 V till 3.6 V); -40 °C till +85 °C (1.7 V till 3.6 V) |
| Max driftfrekvens | 104 MHz |
| Clock-to-output (tV) | 6 ns |
| SPI-lägen | 0 och 3 |
| Dual-läsning | Dual Output Read |
| Radering | Sida 256 byte; block 4 kByte och 32 kByte; hel krets |
| Programmering | Byte/Page Program 1 till 256 byte |
| Typisk sidprogrammeringstid (256 byte) | 1.5 ms |
| Typisk raderingstid 4 kByte | 50 ms |
| Typisk raderingstid 32 kByte | 350 ms |
| OTP-säkerhetsregister | 128 byte (64 byte fabriksprogrammerad unik identifierare, 64 byte användarprogrammerbara) |
| Skrivskydd | Hårdvarustyrd låsning av skyddade sektorer via WP-stiftet |
| Ultra-Deep Power-Down-ström (typisk) | 200 nA |
| Deep Power-Down-ström (typisk) | 5 µA |
| Standby-ström (typisk) | 25 µA |
| Aktiv läsström (typisk) | 4.5 mA |
| Uthållighet | 100,000 program/erase-cykler (-40 °C till +85 °C) |
| Dataretention | 20 år |
| Kapsel (denna artikel) | SOIC-N 150 mil (8-lead SOIC 150-mil), tub (Tube) |
| Övriga kapslar i databladet | 8-pad UDFN, 8-lead TSSOP (4.4 mm) |
| Miljö | Industry Standard Green (Pb-/halogenfri, RoHS-kompatibel) |
| Databladsrevision | DS-AT25DF512C-030 Rev.H (2024-01-08) |
| Kategori | Minne & lagring |


Recensioner
Det finns inga recensioner än.