Renesas / Dialog

Renesas / Dialog AT25DF512C-SSHN-B – minne/lagring

Art.nr GB-5913 Tillv. nr AT25DF512C-SSHN-B

AT25DF512C-SSHN-B är ett 512 Kbit SPI-seriellt NOR-flashminne från Renesas / Dialog i 8-lead SOIC (150 mil). Upp till 104 MHz, SPI-läge 0 och 3, Dual Output Read samt 128 byte OTP-säkerhetsregister. 100,000 program/erase-cykler och 20 års dataretention.

  • 512 Kbit SPI-seriellt NOR-flash med Dual Output
  • Matning 1.65 V - 3.6 V; leverantörens artikelupp
  • Upp till 104 MHz, clock-to-output (tV) 6 ns
  • SPI-läge 0 och 3
111 kr

I lager (4 566 st)Leverans 1–3 vardagar

Datablad (PDF)
  • Fri frakt över 2 000 kr
  • 30 dagars öppet köp
  • Faktura för företag

Frågor om produkten? info@gotbitab.com · Vardagar 08–17

Beskrivning

AT25DF512C-SSHN-B är ett 512 Kbit seriellt flashminne med SPI-gränssnitt från Renesas / Dialog. Databladet (AT25DF512C, DS-AT25DF512C-030 Rev.H, 2024-01-08) beskriver kretsen som ”512-Kbit, 1.65 V Minimum SPI Serial Flash Memory with Dual-Read Support”. Enligt leverantörens artikeluppgifter är den ett NOR-flash med matning 1.7 V till 3.6 V, temperaturområde -40 °C till +85 °C och kapseln SOIC-N 150 mil (tub).

Kretsen är optimerad för lagring av både programkod och data (”Code + Data Storage Applications”). Den stöder SPI-läge 0 och 3 samt Dual Output Read, kan köras upp till 104 MHz med clock-to-output (tV) på 6 ns och har en flexibel raderingsarkitektur med sidradering (256 byte), enhetliga block om 4 kByte och 32 kByte samt radering av hela kretsen. Databladet framhåller även låg effektförbrukning, ett 128 byte stort OTP-säkerhetsregister och hårdvarustyrd låsning av skyddade sektorer via WP-stiftet.

Teknik och prestanda

  • Matning: enkel matningsspänning 1.65 V – 3.6 V enligt databladets funktionslista. Temperaturområdet anges som -10 °C till +85 °C vid 1.65 V – 3.6 V och -40 °C till +85 °C vid 1.7 V – 3.6 V.
  • Frekvens: högst 104 MHz. Clock-to-output (tV): 6 ns.
  • Programmering: byte/page program (1 till 256 byte). Typisk tid för sidprogrammering (256 byte): 1.5 ms.
  • Radering: typiskt 50 ms för block om 4 kByte och 350 ms för 32 kByte.
  • Felkontroll: automatisk kontroll och rapportering av radera- och programmeringsfel.
  • Effektförbrukning (typiska värden): 200 nA i Ultra-Deep Power-Down, 5 µA i Deep Power-Down, 25 µA i standby och 4.5 mA vid aktiv läsning.
  • Uthållighet: 100,000 program/erase-cykler (-40 °C till +85 °C).
  • Dataretention: 20 år.

Anslutningar och gränssnitt

Gränssnittet är SPI-kompatibelt med stöd för SPI-läge 0 och 3 samt Dual Output Read. Skyddade sektorer kan låsas hårdvarustyrt via WP-stiftet. Databladet innehåller även avsnitt om funktionerna Hold och Reset, och kretsen kan återställas med programvara (Software Controlled Reset). Kapselalternativen enligt databladet är:

  • 8-lead SOIC (150-mil), vilket enligt leverantörens artikeluppgifter är kapseln för denna artikel.
  • 8-pad Ultra Thin DFN (UDFN).
  • 8-lead TSSOP (4.4 mm).

Samtliga kapselalternativ anges som ”Industry Standard Green” (Pb-/halogenfria och RoHS-kompatibla).

Programvara och kompatibilitet

Databladets kommandouppsättning omfattar följande grupper:

  • Läsning: Read Array (opkoderna 03h och 0Bh) och Dual-Output Read Array.
  • Programmering: Byte/Page Program.
  • Radering: Page Erase, Block Erase och Chip Erase.
  • Skydd: Write Enable, Write Disable och Block Protection samt skyddade tillstånd i förhållande till WP-stiftet (Protected States and the Write Protect Pin).
  • Säkerhet: Program OTP Security Register och Read OTP Security Register. OTP-registret är 128 byte, varav 64 byte är fabriksprogrammerade med en unik identifierare och 64 byte är användarprogrammerbara.
  • Status: Read Status Register, Write Status Register och Write Status Register Byte 2.
  • Övrigt: Read Manufacturer and Device ID, Read ID (Legacy Command), Deep Power-Down, Resume from Deep Power-Down, Ultra-Deep Power-Down, Exit Ultra-Deep Power-Down, Hold och Reset.

Tillverkar- och enhets-ID läses enligt JEDEC-standardmetod (JEDEC Standard Manufacturer and Device ID Read Methodology). Databladet innehåller även avsnitt om absoluta maxvärden, DC- och AC-egenskaper samt program- och raderingsegenskaper.

Egenskaper

  • 512 Kbit SPI-seriellt NOR-flash med Dual Output Read
  • Matning 1.65 V – 3.6 V; leverantörens artikeluppgifter anger 1.7 V – 3.6 V för denna artikel
  • Upp till 104 MHz, clock-to-output (tV) 6 ns
  • SPI-läge 0 och 3
  • Radering: sida 256 byte, block 4 och 32 kByte samt hel krets
  • Sidprogrammering (256 byte) 1.5 ms typiskt, radering av 4 kByte 50 ms typiskt
  • 128 byte OTP-säkerhetsregister, varav 64 byte unik identifierare från fabrik
  • Hårdvarustyrd sektorlåsning via WP-stiftet
  • Ultra-Deep Power-Down 200 nA, Deep Power-Down 5 µA, standby 25 µA, aktiv läsning 4.5 mA (typiskt)
  • 100,000 program/erase-cykler och 20 års dataretention
  • Tillverkar- och enhets-ID enligt JEDEC-standardmetod, programvarustyrd reset
  • Kapsel: 8-lead SOIC 150 mil, Pb-/halogenfri

Användningsområden

  • Lagring av programkod och data i inbyggda system
  • Konfigurations- och parameterlagring via SPI
  • Applikationer med krav på låg effektförbrukning (Ultra-Deep Power-Down 200 nA, typiskt)
  • Lagring av en unik identifierare och användardata i OTP-säkerhetsregistret

Certifieringar och standarder: RoHS-kompatibel (Industry Standard Green, Pb-/halogenfri)

Databladet anger 1.65 V – 3.6 V med -10 °C till +85 °C respektive 1.7 V – 3.6 V med -40 °C till +85 °C. Leverantörens artikeluppgifter för denna artikel anger 1.7 V till 3.6 V och -40 °C till +85 °C. Tillgänglig databladstext omfattar funktionslistan och innehållsförteckningen men inte stiftbeskrivning eller elektriska tabeller.

Tillverkarens artikelnummer AT25DF512C-SSHN-B. Uppgifterna är hämtade ur tillverkarens datablad (PDF). Lagerförd vara – skickas inom 1–3 vardagar.

Specifikationer

VarumärkeRenesas / Dialog
Tillverkarens artikelnummerAT25DF512C-SSHN-B
ArtikelnummerGB-5913
TillverkareRenesas / Dialog
MinnestypSPI seriellt NOR-flash
Minneskapacitet512 Kbit
Matningsspänning1.65 V - 3.6 V (databladets funktionslista); leverantörens artikeluppgifter för artikeln: 1.7 V till 3.6 V
Temperaturområde-10 °C till +85 °C (1.65 V till 3.6 V); -40 °C till +85 °C (1.7 V till 3.6 V)
Max driftfrekvens104 MHz
Clock-to-output (tV)6 ns
SPI-lägen0 och 3
Dual-läsningDual Output Read
RaderingSida 256 byte; block 4 kByte och 32 kByte; hel krets
ProgrammeringByte/Page Program 1 till 256 byte
Typisk sidprogrammeringstid (256 byte)1.5 ms
Typisk raderingstid 4 kByte50 ms
Typisk raderingstid 32 kByte350 ms
OTP-säkerhetsregister128 byte (64 byte fabriksprogrammerad unik identifierare, 64 byte användarprogrammerbara)
SkrivskyddHårdvarustyrd låsning av skyddade sektorer via WP-stiftet
Ultra-Deep Power-Down-ström (typisk)200 nA
Deep Power-Down-ström (typisk)5 µA
Standby-ström (typisk)25 µA
Aktiv läsström (typisk)4.5 mA
Uthållighet100,000 program/erase-cykler (-40 °C till +85 °C)
Dataretention20 år
Kapsel (denna artikel)SOIC-N 150 mil (8-lead SOIC 150-mil), tub (Tube)
Övriga kapslar i databladet8-pad UDFN, 8-lead TSSOP (4.4 mm)
MiljöIndustry Standard Green (Pb-/halogenfri, RoHS-kompatibel)
DatabladsrevisionDS-AT25DF512C-030 Rev.H (2024-01-08)
KategoriMinne & lagring

Recensioner

Recensioner

Det finns inga recensioner än.

Bli först med att recensera ”Renesas / Dialog AT25DF512C-SSHN-B – minne/lagring”

Din e-postadress kommer inte publiceras. Obligatoriska fält är märkta *